本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括一存储器阵列及一逻辑电路。逻辑电路耦接至存储器阵列，并用以响应来自一控制器的一操作指令，执行一对应操作。当一中断事件发生于对应操作期间，逻辑电路记录一存储器状态，且逻辑电路还用以响应...

一种半导体结构包括一存储结构。该存储结构包括一存储元件、一第一阻障层、和一第二阻障层。存储元件包括氧氮化钛。第一阻障层包括硅和氧化硅之中至少一者。第一阻障层设置在存储元件上。第二阻障层包括钛和氧化钛之中至少一者。第二阻障层设置在第一阻障...

一种半导体元件。半导体元件包括具有第一导电型的第一掺杂区与第二掺杂区以及具有第二导电型的第三掺杂区位于基底中。第三掺杂区位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第二掺杂区位于第一掺杂区的一侧。第二掺杂区的俯视图案具有至少一凹部。第三掺杂区的俯视...

一种存储器系统，包括第一闪存、第二闪存以及控制器。第一闪存包括存储器阵列，存储器阵列分成多个页。控制器耦接第一闪存以及第二闪存，并用以：在对该第一闪存中的一特定页作编程之前，控制该第二闪存记录该特定页的地址；以及在该特定页被编程之后，控...

提出的相变存储器材料为介电掺杂、富含锑(antimony‑rich)的GST家族材料，其相对于GST‑225具有较多的锑，此材料具有速度、保持、及耐受特性，适于储存级数据储存装置。一种存储装置包含含有多个存储单元的一阵列。各个存储单元包...

本发明公开了一种半导体结构的制造方法。其中，该半导体结构的制造方法包括以下步骤：形成一底氧化层；形成一第一导体层于底氧化层上；形成一叠层于第一导体层上，叠层包括交错设置的多个第二导体层和多个绝缘层；形成一第一开口，具有一第一剖面宽度，第...

本发明公开了一种用于静电放电(ESD)保护装置、电路及其制作方法。其中，静电放电保护装置包括：第一掺杂剂类型的基础阱，位于基底上；第一掺杂剂类型的第一阱，位于基础阱中；第二掺杂剂类型的第二阱，位于基础阱中；第一掺杂剂类型的第一高掺杂区及...

一种静电放电保护装置包括：半导体基板；N型掺杂阱，位于所述基板上，所述N型掺杂阱包括第一N+区及第一P+区；P型掺杂阱，位于所述基板上，所述P型掺杂阱包括第二N+区、第三N+区、及位于所述第二N+区与所述第三N+区之间的第二P+区；以及...

本发明提供一种静电放电保护元件与一种静电放电方法。静电放电保护元件包括第一阱区、第二阱区以及第四掺杂区至第六掺杂区。第一阱区与第二阱区位于基底中。第一阱区具有第一掺杂区至第三掺杂区，以构成第一晶体管。第二阱区位于第一阱区的一侧。第四掺杂...

一种半导体元件，其包括基底、第一掺杂区、第二掺杂区、隔离结构与栅极结构。基底包括第一区及与第一区相连的第二区。第一掺杂区具有第一导电型，位于基底中且包括第一螺旋状区域及块状区域。第二掺杂区具有第一导电型，位于基底中且包括第二螺旋状区域及...

本发明公开了一种具隔离拟置图案的三维半导体元件。其中，三维半导体元件包括：一衬底，具有一第一区域和一第二区域，且第二区域邻近并围绕第一区域，其中一阵列图案形成于第一区域(有源区域)；一叠层结构，具有多层叠置于衬底上，所述多层包括有源层(...

本发明公开了一种半导体元件及其关键尺寸的定义方法。其中，该半导体元件包括：半导体衬底、电路单元以及一个对位标记(align mark)。电路单元位于半导体衬底上。对位标记位于半导体衬底之中，包括第一部分以及第二部分，分别邻接于电路单元的...

本发明公开了一种三维叠层半导体装置及其制造方法。此方法包括：使用N个刻蚀掩模的组合以于接触区域中的这些导电层和这些绝缘层中产生出O种不同的移除层数，以形成多个着陆区域(landing area)于接触区域中的这些导电层上，这些着陆区域上...

本发明公开了一种存储器装置、系统及其操作方法。其中，该存储器装置包括存储器单元以及选择器。存储器单元用以存储数据。选择器耦接存储器单元，选择器具有可被设定成不同电平的可调式电性参数；其中当选择器的可调式电性参数被设定成第一电平，选择器响...

本发明公开了一种存储器元件及其制备方法。其中，所述存储器元件，包括：半导体衬底、第一导体层、多个绝缘层、多个第二导体层，至少一个接触插塞以及至少一个虚拟插塞(dummy plug)。第一导体层，位于该半导体衬底上。多个绝缘层，位于第一导...

本发明公开了一种多层元件的边缘结构及其制造方法，其中多层元件包括叠层的多层单元层。此边缘结构包括第一及第二阶梯结构。第一阶梯结构位于多层元件的须形成接触窗的第一方向，包括各单元层的第一方向的第一边缘部，这些第一边缘部的边界随层级升高而逐...

一种存储器元件，包括半导体基材、多层堆叠结构、多个存储单元、接触插塞以及介电层。多层堆叠结构包括交错堆叠于半导体基材上的多个导体层和多个绝缘层。存储单元形成于这些导体层之上。接触插塞穿过这些导体层和绝缘层。介电层位于多层堆叠结构之中，并...

本发明公开了一种存储器结构及其制造方法，该存储器结构包括一衬底、多个叠层、多个存储层、多个通道层、和多个接垫层。叠层设置在衬底上。这些叠层通过多个第一沟道彼此分离。叠层包括交替配置的多个第一叠层和多个第二叠层。叠层的每一者包括交替叠层的...

一种非易失性存储器(Non‑Volatile Memory，NVM)元件的操作方法，包括下述步骤：首先进行一个第一写入操作，此第一写入操作包括：对非易失性存储器元件的至少一个可变电阻式存储单元(resistance switching ...

一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。存储器系统包括一主控制器、一存储器控制器及一存储器阵列。存储器控制器电性连接于主控制器。存储器阵列电性连接于存储器控制器。存储器阵列包括多个存储器装置。一同位信息及一控制表存储在存储器阵列。读取方...