一种互连结构，包括基底与导电图案。导电图案包括底部。导电图案的底部设置于基底上。导电图案在底部的两侧壁上各具有缺口。

本发明公开了一种存储器装置及操作存储器装置的方法，存储器装置包含存储器阵列以及耦接至存储器阵列的位线。包含电压源以供应在充电操作内所使用的电压。诸如位线钳位晶体管的位线钳位晶体管被耦接至电压源，且经组态以响应于位线控制信号而调节对应位线...

一种内连线结构，包括基底、介电层、第一导电图案与第二导电图案。介电层设置于基底上，且具有开口。第一导电图案设置于开口中。第二导电图案设置于第一导电图案上，且暴露出第一导电图案的露出部分。第一导电图案的露出部分具有缺口。

一种存储装置，包含与绝缘条交替的导电条的多个叠层，绝缘条具有第一和第二侧，且导电条具有相对于绝缘条的第一侧内凹的第一侧壁，其在叠层侧定义出第一内凹区。垂直通道柱设置在叠层之间，垂直通道柱具有设置在相邻叠层上的第一和第二通道膜、及位于第一...

半导体存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个存储单元，所述存储单元处于一高阻抗状态或一低阻抗状态的任一者；一参考阵列，包括多个参考单元，所述存储单元与所述参考单元具有相同的阻抗‑温度关系，且所述参考单元处于一中阻抗状态，该中阻抗状态介于...

本发明公开了一种具一存储器结构的半导体元件，存储器结构包括一绝缘层设置于一基板上方；一底电极埋置于绝缘层中；一电阻转换层，设置于底电极上；和一顶电极，设置于电阻转换层上并覆盖电阻转换层。其中，底电极具有一凹陷上表面低于绝缘层的一平坦上表面。

本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法。横向扩散金属氧化物半导体晶体管包括基底、深阱区、阱区、隔离结构、栅极、栅介电层、第一掺杂区、第二掺杂区以及导电结构。深阱区配置于基底中。隔离结构配置于基底中，以定义出第一有源区...

一种存储器装置包括N条字线，其中所述字线包括一第i条字线和一第i+1条字线，第i条字线耦接至一第i个存储单元，第i+1条字线耦接至相邻于第i个存储单元的一第i+1个存储单元，第i+1个存储单元是一被写入的存储单元，i是0至N‑2的整数。...

一种存储控制方法，适用于一存储装置，包括：依据一非挥发性控制参数以及一挥发性控制参数产生一错误更正码(Error Correcting Codes，ECC)控制参数，其中该非挥发性控制参数储存于该存储装置中的一非挥发性存储区域，该挥发性...

一种在包含可编程电阻式存储单元的集成电路上生成数据集的方法，包含施加形成脉冲到可编程电阻式存储单元集合中的所有成员。形成脉冲具有形成脉冲电平，特色在于，在该集合的第一子集中引发从初始电阻范围到中间电阻范围的电阻变化，而在形成脉冲之后，该...

一种多层结构的制造方法。所述方法包括下列步骤。首先，形成一叠层于一基板上，此一叠层由交替的多个导电层和多个绝缘层所构成，且此叠层包括一多层区及邻接于多层区的一接触区。接着，形成多个第一开口于接触区中。之后，形成一导电连接结构于叠层上及第...

本发明公开了一种半导体存储器装置、芯片标识符产生方法与制造方法。其中，半导体存储器装置包括：多个可编程电阻式存储器单元；以及一控制器。该控制器：施加一形成脉冲到这些可编程电阻式存储器单元的一第一群组与一第二群组，该第一群组从一初始电阻范...

本发明涉及一种半导体装置，其包含半导体基板，沿第一维度及沿正交于所述第一维度的第二维度在所述半导体基板上配置的多个存储单元，其中所述多个存储单元中的每一存储单元包含在所述半导体基板中的通道区域、在所述通道区域上的隧穿介电层，以及在所述隧...

一种接垫结构，包括多个材料对以及多个接垫。多个材料对相互堆叠于基底上，以形成一阶梯结构。阶梯结构的一阶包括一个材料对。每一个材料对包括导体层以及位于导体层上的介电层。每一个接垫嵌入于阶梯结构的一阶中且外露于该阶所对应的介电层与该阶上方的...

本发明公开了一种管理存储器装置中存储器单元的实体信息的方法及系统，该方法包括：接收要求以存取包括于存储器装置的存储器单元的实体信息。判断实体信息在高速缓存中的实体信息表中是否可用。若存储器单元的实体信息在窗体中是可用的，从窗体中存取实体...

本发明公开了一种三维存储器元件及其制作方法，该三维存储器元件包括：基材、脊状叠层、存储层、通道层以及覆盖层。脊状叠层包括多个导电条带，沿着第一方向堆栈于基材上。存储层沿着第二方向堆栈于脊状叠层的立壁上，其中第一方向与第二方向夹一个非平角...

本发明为一种进行一擦除操作的存储器装置与其相关的控制方法。存储器装置包含：译码电路、Q个开关电路与Q个存储器区块。译码电路产生Q个选取信号，其中Q个选取信号中的第k个选取信号为第一选取电压，且其余的(Q‑1)个选取信号为第二选取电压。Q...

一种半导体结构，包括依序设置的第一重掺杂区、第一阱、第二阱、和第二重掺杂区。第一阱和第二重掺杂区具有第一导电类型。第二阱和第一重掺杂区具有第二导电类型。此种半导体结构还包括至少一开关，满足条件(A)和(B)的至少一项：(A)开关耦接在第...

本发明公开了一种电阻转换存储器元件及其制造方法。电阻转换存储器元件包括一绝缘层具有一上表面、一底电极埋置于绝缘层中、一电阻转换层设置于底电极上，和一顶电极形成于电阻转换层上且顶电极覆盖电阻转换层。再者，底电极的一上部突出于绝缘层的上表面...

一种三维半导体元件，包括一基板；一多层堆叠结构形成于基板上方且包括相互平行的多个存储器层，其中多个存储单元结构设置于各存储器层且排列成具有多行多列的一阵列。一存储单元结构包括一存储材料层；一选择器层形成于存储材料层的外表面上且连接存储材...