本发明公开了一种集成电路，包括多层堆栈以及在所述多层堆栈中延伸的多个分层的导体，且所述多个分层的导体延伸至位于所述多层堆栈之下的导体层中。所述分层的导体具有与基板中的所述导电层进行欧姆电性接触的底部导体层、位于所述底部导体层之上且在对应...

一种存储结构，包括多个堆叠、多个存储层、多个通道层、多个介电层、和多个第一导线。该些堆叠各包括一组彼此交替的导电条和绝缘条。存储层共形地设置在堆叠上。通道层共形地设置在存储层上。介电层至少设置在通道层位于该些堆叠的第一侧的部分和通道层位...

本发明公开了一种半导体结构的形成方法和藉此形成的半导体结构。半导体结构的形成方法包括下列步骤：首先，提供一初步结构；该初步结构具有一阵列区；该初步结构包括位于阵列区中的多个第一叠层；接着，形成一第一介电层在第一叠层上；形成一第一硬掩模层...

本发明公开了一种三维半导体元件，包括：一基板，包括一阵列区域和邻近阵列区域的一阶梯区域，其中阶梯区域包括N个梯级，N为大于或等于1的整数；一叠层，具有多层结构叠置于该基板上，且多层结构包括有源层与绝缘层交错设置于基板上方，该叠层包括多个...

本发明公开了一种集成电路元件及其制造方法，集成电路包括多层叠层以及多个层状导体。多个层状导体在多层叠层中延伸并进入多层叠层下方的导体层中。层状导体具有底部导体层、中间导电衬层以及顶部导体层。底部导体层与基底中的导电层欧姆电性接触。中间导...

本发明公开了一种非对称阶梯结构及其制造方法，该非对称阶梯结构包括：叠层的多层单元层及m个(m≥2)区域，其中每个区域中有不同部分的单元层其各自有一部分未被上方相邻的单元层覆盖，且该不同部分的单元层其两两间隔为m层单元层，而形成阶差为m层...

本发明公开了一种存储器装置。存储器装置包括存储器阵列。存储器阵列包括主要存储器区块与备份存储器区块。存储器阵列包括主要位线及备份位线。备份存储器区块对主要存储器区块的区块数目比值A是大于备份位线对主要位线的位线数目比值B。

本发明公开了一种半导体结构，包括一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、一栅极结构、一第一阱、和一第二阱。第二源极/漏极区与第一源极/漏极区相对设置。通道掺杂区设置在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间。栅极结构设置在通...

本发明公开了一种用以编程可编程电阻存储单元的方法，包括：执行一个或多个叠代直到验证通过。此些叠代包括：a)施加一编程脉冲至存储单元；以及b)在施加编程脉冲后，验证存储单元的电阻是否在一目标电阻范围中。在验证通过的该一个或多个叠代的一叠代...

本发明提出一种三维存储器元件的制造方法。该制造方法包括：于基底上形成交替堆叠的多个绝缘层与多个牺牲层；形成穿过绝缘层与牺牲层的至少一第一开口；于第一开口的侧壁所裸露出的牺牲层的表面上形成多个保护层；于第一开口的侧壁上形成电荷储存层，所述...

一种立体(Three‑Dimensional，3D)存储器元件包括：多层叠层结构(multi‑layer stacks)、接触层、存储层以及通道层。多层叠层结构包括纵向叠层且彼此隔离的多个导电层，并具有一个第一开口和一个第二开口，分别贯...

本发明公开了一种存储器装置、字线译码器及存储器装置的操作方法。字线译码器包括多个字线驱动器。各个字线驱动器具有一输入端及一输出端。该输出端电性连接于这些字线的其中之一。各该字线驱动器包括一拉升晶体管、一下拉晶体管及一中间晶体管。该拉升晶...

一种半导体元件，包括一可编程存储器阵列，包括多个存储器单元设置于一基板上方，该些存储器单元其中之一包括：一栅极设置于基板上方；一导电部与栅极相隔开来；和一介电层，接触导电部且与栅极相隔开来，介电层定义存储器单元的一临界电压，其中，至少两...

一种半导体结构，包括一基板和多个次阵列结构，次阵列结构设置在基板上并通过多个沟槽彼此分离。此种半导体结构包括多个存储单元构成的一三维阵列。该些存储单元包括多个存储单元群，分别设置在次阵列结构中。此种半导体结构还包括多个支撑柱和多个导电柱...

本发明为一种与非门闪存的读取方法，包括：准备要被读出的一次页数据；其中，当该次页的地址接续于一特定页时，自动地准备该次页数据，或者当该次页的地址未接续于该特定页时，根据一页读取指令以及一次页地址来准备该次页数据。

一种适用于集成电路的固有信息产生装置，其包括多个源存储单元对以及比较电路。该些源存储单元对其中之一包括具有第一电性参数值的第一源存储单元以及具有第二电性参数值的第二源存储单元。比较电路耦接该些源存储单元对，用以产生集成电路的固有信息。比...

一种半导体元件，包括：具有第一导电型的基底、具有第二导电型的第一阱区、具有第一导电型的第一掺杂区、具有第二导电型的第二阱区、具有第一导电型的至少一第二掺杂区、具有第二导电型的至少一第三掺杂区以及具有第二导电型的第四掺杂区。第一阱区位于基...

本发明公开了一种非易失性存储器与编程的相关方法。其中，编程方法适用于非易失性存储器，包括：在至少一遮蔽存储器串中的第一侧边存储器单元及第一通道存储器单元间设定至少一第一隔离存储器单元；在第一时间点，断开至少第一隔离存储器单元及提供预升压...

一种低压差稳压装置，包括稳压器以及预充器。稳压器用以依据第一参考电压与反馈节点上的反馈电压之间的压差调节提供至输出节点的输出电压，其中该反馈节点耦接该输出节点。预充器电性连接该稳压器，该预充器与该反馈节点电性连接以进行电荷分享。

本发明公开了一种电流平坦化电路、一种电流补偿电路与其相关的控制方法。电流平坦化电路电连接于一核心节点，且电流平坦化电路包含一参考电压调整器与电流补偿电路。参考电压调整器产生一参考电压，其中参考电压为恒定。电流补偿电路电连接于核心节点与参...