存储器装置的操作方法制造方法及图纸

一种存储器装置包括N条字线，其中所述字线包括一第i条字线和一第i+1条字线，第i条字线耦接至一第i个存储单元，第i+1条字线耦接至相邻于第i个存储单元的一第i+1个存储单元，第i+1个存储单元是一被写入的存储单元，i是0至N‑2的整数。操作此种存储器装置的一种操作方法包括一读取步骤。在该读取步骤中，提供一读取电压至第i条字线，提供一第一通过电压至第i+1条字线，并提供一第二通过电压至所有其他字线，其中第二通过电压低于第一通过电压。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置的操作方法
本专利技术涉及一种存储器装置的操作方法，进一步涉及包括一读取步骤的方法。
技术介绍
存储器装置广泛地用于电子系统以储存数据。类似于其他电子装置，对于存储器装置和其元件存在有尺寸缩小的潮流。随着存储器装置的缩小，发生在元件之间的干扰(interference)可能成为问题。这样的问题可以借由修改元件的材料和/或空间配置来解决。此外，可以借由调整存储器装置的操作方法来减轻干扰。
技术实现思路
本专利技术是关于能够减轻存储器装置的元件(例如字线和/或存储单元)之间的干扰问题的方法。根据一些实施例，提供一种存储器装置的操作方法，用于操作一存储器装置。存储器装置包括N条字线，所述字线包括一第i条字线和一第i+1条字线，第i条字线耦接至一第i个存储单元，第i+1条字线耦接至相邻于第i个存储单元的一第i+1个存储单元，第i+1个存储单元是一被写入的存储单元，i是0至N-2的整数。操作方法包括一读取步骤。读取步骤包括提供一读取电压至第i条字线、提供一第一通过电压至第i+1条字线、和提供一第二通过电压至所述字线中的所有其他字线，其中第二通过电压低于第一通过电压。根据一些实施例，提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置的操作方法，用于操作一存储器装置，该存储器装置包括N条字线，所述字线包括一第i条字线和一第i+1条字线，该第i条字线耦接至一第i个存储单元，该第i+1条字线耦接至相邻于该第i个存储单元的一第i+1个存储单元，该第i+1个存储单元是一被写入的存储单元，i是0至N‑2的整数，该存储器装置的操作方法包括一读取步骤，该读取步骤包括：提供一读取电压至该第i条字线；提供一第一通过电压至该第i+1条字线；以及提供一第二通过电压至所述字线中的所有其他字线，其中该第二通过电压低于该第一通过电压。

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置的操作方法，用于操作一存储器装置，该存储器装置包括N条字线，所述字线包括一第i条字线和一第i+1条字线，该第i条字线耦接至一第i个存储单元，该第i+1条字线耦接至相邻于该第i个存储单元的一第i+1个存储单元，该第i+1个存储单元是一被写入的存储单元，i是0至N-2的整数，该存储器装置的操作方法包括一读取步骤，该读取步骤包括：提供一读取电压至该第i条字线；提供一第一通过电压至该第i+1条字线；以及提供一第二通过电压至所述字线中的所有其他字线，其中该第二通过电压低于该第一通过电压。2.如权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中该第一通过电压介于8V和12V之间。3.如权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中该第二通过电压介于6V和10V之间。4.如权利要求1所述的存储器装置的操作方法，其中该第一通过电压和该第二通过电压高于该第i个存储单元的一最高阈值电压电平。5.如权利要求4所述的存储器装置的操作方法，其中该第一通过电压和该第二通过电压高于该第i个存储单元的该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林道远，杨怡箴，张耀文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71