静电放电保护元件与静电放电方法技术

本发明专利技术提供一种静电放电保护元件与一种静电放电方法。静电放电保护元件包括第一阱区、第二阱区以及第四掺杂区至第六掺杂区。第一阱区与第二阱区位于基底中。第一阱区具有第一掺杂区至第三掺杂区，以构成第一晶体管。第二阱区位于第一阱区的一侧。第四掺杂区至第六掺杂区位于第二阱区中。第四掺杂区与第三掺杂区接触，且第四掺杂区的导电型态与第三掺杂区的导电型态相同。第五掺杂区、第二阱区以及基底构成第二晶体管。第二晶体管的导电型态与第一晶体管的导电型态互补。第五掺杂区位于第四掺杂区与第六掺杂区之间。

【技术实现步骤摘要】
静电放电保护元件与静电放电方法
本专利技术是有关于一种静电放电保护元件，且特别是有关于一种硅控整流器。
技术介绍
静电放电保护元件广泛地应用于电子元件中，用以防止电子元件接收到异常的高电压而造成损坏。硅控整流器(siliconcontrolledrectifier；SCR)为一种常见的静电放电保护装置，且具有面积小以及耐压高等优点。然而，一般的硅控整流器具有触发电压(triggervoltage)大以及保持电压(holdingvoltage)小的缺点。因此，异常的高电压虽然未超过硅控整流器的触发电压，其仍可能造成电子元件的损坏。此外，若硅控整流器的保持电压小于电子元件的操作电压，则可能在导通硅控整流器时引发闩锁效应。具体来说，硅控整流器被触发之后无法返回正常的操作状态，而产生瞬间的大电流。因此，造成电子元件的损坏。
技术实现思路
本专利技术提供一种静电放电保护元件与静电放电方法，可避免产生闩锁效应。本专利技术的静电放电保护元件包括第一阱区、第二阱区第四掺杂区、第五掺杂区以及第六掺杂区。第一阱区位于基底中，且具有第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，以构成第一晶体管。第二阱区位于第一阱区的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电放电保护元件，包括：第一阱区，位于基底中，所述第一阱区具有第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，以构成第一晶体管；第二阱区，位于所述第一阱区的一侧的所述基底中；第四掺杂区，位于所述第二阱区中，所述第四掺杂区与所述第三掺杂区接触且其导电型态与所述第三掺杂区的导电型态相同；第五掺杂区，位于所述第二阱区中，其中所述第五掺杂区、所述第二阱区以及所述基底构成第二晶体管，所述第二晶体管的导电型态与所述第一晶体管的导电型态互补；以及第六掺杂区，位于所述第二阱区中，其中所述第五掺杂区位于所述第四掺杂区与所述第六掺杂区之间。

【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护元件，包括：第一阱区，位于基底中，所述第一阱区具有第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区，以构成第一晶体管；第二阱区，位于所述第一阱区的一侧的所述基底中；第四掺杂区，位于所述第二阱区中，所述第四掺杂区与所述第三掺杂区接触且其导电型态与所述第三掺杂区的导电型态相同；第五掺杂区，位于所述第二阱区中，其中所述第五掺杂区、所述第二阱区以及所述基底构成第二晶体管，所述第二晶体管的导电型态与所述第一晶体管的导电型态互补；以及第六掺杂区，位于所述第二阱区中，其中所述第五掺杂区位于所述第四掺杂区与所述第六掺杂区之间。2.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其中所述基底、所述第一阱区、所述第一掺杂区、所述第五掺杂区具有第一导电型，且所述第二阱区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区、所述第四掺杂区以及所述第六掺杂区具有第二导电型。3.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其中所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间。4.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其中所述第三掺杂区自相对所述第四掺杂区的一侧至接触所述第四掺杂区的另一侧的宽度对于所述第四掺杂区自接触所述第三掺杂区的一侧至相对所述第三掺杂区的另一侧的宽度的比值在1至4的范围中。5.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，还包括第一堆叠结构，位于所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间的所述第一阱区上，且包括依续堆叠于所述基底上的第一绝缘层与第一导体层。6.根据权利要求1所述的静...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴明欣，陈信良，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71