【技术实现步骤摘要】
半导体芯片
本技术涉及半导体芯片。
技术介绍
作为将半导体芯片安装于基板的方法之一，具有使用了凸点的倒装芯片技术。倒装芯片技术一般而言，具有与引线接合相比能缩小安装面积的优点。
技术实现思路
技术所要解决的技术问题这里，例如在移动电话等移动通信设备中使用功率放大电路。功率放大电路中用于放大功率的晶体管具有温度特性。因此，若晶体管因放大动作而发热，则晶体管的特性会因温度的上升而产生变动。若在上述功率放大电路中使用上述倒装芯片技术，则会具有如下问题：虽然安装面积有所缩小，但未充分进行散热，对晶体管的特性产生影响。本技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供一种能缩小安装面积，并能抑制晶体管发热的影响的半导体芯片。解决技术问题所采用的技术方案为了达成上述目的，本技术的一个侧面所涉及的半导体芯片包括：对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管；对第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管；以及具有平行于由第1方向及与第1方向交叉的第2方向所规定的平面的主面，并形成有第1晶体管及第2晶体管的半导体基板，半导体基板的主面上设有：与第1晶体管的集电极或漏极电连接的第1凸点；与第1晶...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管；对所述第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管；以及具有平行于由第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向所规定的平面的主面，并形成有所述第1晶体管及所述第2晶体管的半导体基板，所述半导体基板的所述主面上设有：与所述第1晶体管的集电极或漏极电连接的第1凸点；与所述第1晶体管的发射极或源极电连接的第2凸点；与所述第2晶体管的集电极或漏极电连接的第3凸点；以及与所述第2晶体管的发射极或源极电连接的第4凸点，俯视所述半导体基板的所述主面时，所述第1凸点呈圆形，所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点...
【技术特征摘要】
2017.01.27 US 62/451,1631.一种半导体芯片，其特征在于，包括：对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管；对所述第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管；以及具有平行于由第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向所规定的平面的主面，并形成有所述第1晶体管及所述第2晶体管的半导体基板，所述半导体基板的所述主面上设有：与所述第1晶体管的集电极或漏极电连接的第1凸点；与所述第1晶体管的发射极或源极电连接的第2凸点；与所述第2晶体管的集电极或漏极电连接的第3凸点；以及与所述第2晶体管的发射极或源极电连接的第4凸点，俯视所述半导体基板的所述主面时，所述第1凸点呈圆形，所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点呈矩形或椭圆形，所述第2凸点、所述第3凸点及所述第4凸点的面积分别比所述第1凸点的面积要大。2.如权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体基板的所述主面是具有与所述第1方向平行的第1边及第2边的矩形，所述第3凸点以其长边方向与所述第1方向大致平行的方式配置于所述第1边的附近。3.如权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，在所述半导体基板的所述主面上的所述第2边的附近还设有第5凸点，俯视所述半导体基板的所述主面时，所述第5凸点呈圆形，所述第3凸点的面积比所述第5凸点的面积要大，所述第3凸点的长边方向的长度比所述第4凸点的长边方向的长度要短。4.如权利要求2或3所述的半导体芯片，其特征在于，所述第3凸点包含单独形成的第1部分及第2部分，所述半导体基板的所述主面上还设有与滤波...
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