阵列基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:19366980 阅读:18 留言:0更新日期:2018-11-08 00:37
本实用新型专利技术提供一种阵列基板,其解复用器结构包括平行的第一控制栅线至第三控制栅线,以及第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管,其中,第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管均位于邻近第一控制栅线的一侧;四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管均位于邻近第三控制栅线的一侧;第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个漏极分别与依次排列的六条数据线连接。本实用新型专利技术提供的阵列基板,其可以节省解复用器与数据线及其引线在面板上的布线空间,从而有利于在中小尺寸面板上完成布线。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置
本技术涉及显示
,具体地,涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
显示装置已被广泛地应用于手机、笔记本电脑、个人电脑及个人数字助理等的消费电子产品的显示屏幕。由于窄边框的限制,在高分辨率的中小尺寸面板上完成数据线及其引线的布线,是一项较大的挑战。解复用器(demultiplexer,简称DEMUX),用于把一个信号通道分解为多个信号通道,在中小尺寸面板中被广泛应用。但是,如何节省解复用器与数据线及其引线在面板上的布线空间是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种阵列基板及显示装置,其可以节省解复用器与数据线及其引线在面板上的布线空间,从而有利于在中小尺寸面板上完成布线。为实现本技术的目的而提供一种阵列基板,包括多条数据线引线、多条数据线及解复用器结构,所述解复用器结构包括平行的第一控制栅线至第三控制栅线,以及第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管均位于邻近所述第一控制栅线的一侧;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管均位于邻近所述第三控制栅线的一侧;所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管的三个源极均与任意相邻的两条所述数据线引线中的第一数据线引线连接;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的三个源极均与两条所述数据线引线中的第二数据线引线连接;所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个漏极分别与依次排列的六条所述数据线连接。可选的,所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管的三个栅极分别与所述第一控制栅线、第三控制栅线和第二控制栅线连接;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的三个栅极分别与所述第二控制栅线、第一控制栅线和第三控制栅线连接。可选的,所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管的三个漏极分别与依次排列的六条所述数据线中的第一数据线、第三数据线和第五数据线连接;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的三个漏极分别与依次排列的六条所述数据线中的第二数据线、第四数据线和第六数据线连接。可选的,与所述阵列基板对盒的彩膜基板包括多个像素单元,每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,其中,所述第一数据线和所述第四数据线分别对应相邻两个所述像素单元中的红色子像素;所述第二数据线和所述第五数据线分别对应相邻两个所述像素单元中的绿色子像素;所述第三数据线和所述第六数据线分别对应相邻两个所述像素单元中的蓝色子像素。可选的,所述第一数据线引线和所述第二数据线引线均位于邻近所述第一控制栅线的一侧;所述第一数据线至第六数据线均位于邻近所述第三控制栅线的一侧。可选的,所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个栅极与所述第一控制栅线至第三控制栅线异层设置,且与位于显示区的薄膜晶体管的源极和漏极同层设置;所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个源极和六个漏极、六条所述数据线以及两条所述数据线引线与所述第一控制栅线至第三控制栅线同层设置;所述第一控制栅线至第三控制栅线与位于显示区的薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。可选的,所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个栅极与所述第一控制栅线至第三控制栅线同层设置,且所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个源极和六个漏极、六条所述数据线以及两条所述数据线引线均与所述第一控制栅线至第三控制栅线异层设置。可选的,所述解复用器结构还包括第一栅极连接部至第六栅极连接部、引线连接部和三条数据线连接部,其中,所述第一薄膜晶体管至所述第三薄膜晶体管的栅极分别通过所述第一栅极连接部至所述第三栅极连接部与所述第一控制栅线、第三控制栅线和第二控制栅线连接;所述第四薄膜晶体管至所述第六薄膜晶体管的栅极分别通过所述第四栅极连接部至所述第六栅极连接部与所述第二控制栅线、第一控制栅线和第三控制栅线连接;所述引线连接部用于将所述第二数据线引线与所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的源极连接;三条所述数据线连接部用于将所述第一数据线、第三数据线和第五数据线分别与所述第一薄膜晶体管至所述第三薄膜晶体管的漏极连接。可选的,所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管的沟道宽长比大于10;所述四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的沟道宽长比大于10。可选的,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用一个源极,所述源极通过至少一个过孔与第一有源层电连接;所述第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管共用一个源极,所述源极通过至少一个过孔与第二有源层电连接。可选的,还包括衬底基板、第一绝缘层和第二绝缘层,其中,所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的有源层均设置在所述衬底基板上;所述第一绝缘层设置在所述衬底基板上,且覆盖所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的有源层;所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的栅极均设置在所述第一绝缘层上;所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上,且覆盖所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的栅极;所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的源极和漏极、所述第一控制栅线至第三控制栅线、所述数据线引线和所述数据线均设置在所述第二绝缘层上。可选的,还包括衬底基板、第一绝缘层和第二绝缘层,其中,所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的栅极均设置在所述衬底基板上;所述第一绝缘层设置在所述衬底基板上,且覆盖所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的栅极;所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的源极和漏极、所述第一控制栅线至第三控制栅线、所述数据线引线和所述数据线均设置在所述第一绝缘层上;所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上,且覆盖所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的源极和漏极、所述第一控制栅线至第三控制栅线、所述数据线引线和所述数据线;所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的有源层均设置在所述第二绝缘层上。作为另一个技术方案,本技术还提供一种显示装置,其包括本技术提供的上述阵列基板。本技术具有以下有益效果:本技术提供的阵列基板及显示装置的技术方案中,通过使解复用器结构的第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管均位于邻近第一控制栅线的一侧;四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管均位于邻近第三控制栅线的一侧,可以节省解复用器结构与数据线及其引线在面板上的布线空间,从而有利于在中小尺寸面板上完成布线。附图说明图1为本技术实施例提供的阵列基板的俯视图;图2为图1中沿A-A线的剖视图;图3为图1中沿B-B线的剖视图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案,下面结合附图来对本技术提供的阵列基板及显示装置进行详细描述。请参阅图1至图3,本技术第一实施例提供的阵列基板,其包括多条数据线引线、多条数据线及解复用器结构。图1中仅示出了从左至右依次排列的任意两条数据线引线(201,202),以及从左至右依次排列的任意六条数据线(101~106)。解复用器结构包括平行的第一控制栅线至第三控制栅线(301~303),以及第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管,其中,第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管均位于邻近第一控制栅线301的一侧;第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管均位于邻近第三控制栅线303的一侧。这样,可以节省解复用器结构与数据线及其引线在面板上的布线空间,从而有利于在中小尺寸面板上完成布线。下面对薄膜晶体管、数据线及其引线和控制栅线的连接方式进行详细描述。具体地,第一薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,包括多条数据线引线、多条数据线及解复用器结构,其特征在于,所述解复用器结构包括平行的第一控制栅线至第三控制栅线,以及第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管均位于邻近所述第一控制栅线的一侧;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管均位于邻近所述第三控制栅线的一侧;所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管的三个源极均与任意相邻的两条所述数据线引线中的第一数据线引线连接;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的三个源极均与两条所述数据线引线中的第二数据线引线连接;所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个漏极分别与依次排列的六条所述数据线连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,包括多条数据线引线、多条数据线及解复用器结构,其特征在于,所述解复用器结构包括平行的第一控制栅线至第三控制栅线,以及第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管均位于邻近所述第一控制栅线的一侧;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管均位于邻近所述第三控制栅线的一侧;所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管的三个源极均与任意相邻的两条所述数据线引线中的第一数据线引线连接;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的三个源极均与两条所述数据线引线中的第二数据线引线连接;所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个漏极分别与依次排列的六条所述数据线连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管的三个栅极分别与所述第一控制栅线、第三控制栅线和第二控制栅线连接;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的三个栅极分别与所述第二控制栅线、第一控制栅线和第三控制栅线连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管的三个漏极分别与依次排列的六条所述数据线中的第一数据线、第三数据线和第五数据线连接;所述第四薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的三个漏极分别与依次排列的六条所述数据线中的第二数据线、第四数据线和第六数据线连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,与所述阵列基板对盒的彩膜基板包括多个像素单元,每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,其中,所述第一数据线和所述第四数据线分别对应相邻两个所述像素单元中的红色子像素;所述第二数据线和所述第五数据线分别对应相邻两个所述像素单元中的绿色子像素;所述第三数据线和所述第六数据线分别对应相邻两个所述像素单元中的蓝色子像素。5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一数据线引线和所述第二数据线引线均位于邻近所述第一控制栅线的一侧;所述第一数据线至第六数据线均位于邻近所述第三控制栅线的一侧。6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个栅极与所述第一控制栅线至第三控制栅线异层设置,且与位于显示区的薄膜晶体管的源极和漏极同层设置;所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个源极和六个漏极、六条所述数据线以及两条所述数据线引线与所述第一控制栅线至第三控制栅线同层设置;所述第一控制栅线至第三控制栅线与位于显示区的薄膜晶体管的源极和漏极同层设置。7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个栅极与所述第一控制栅线至第三控制栅线同层设置,且所述第一薄膜晶体管至第六薄膜晶体管的六个源极和六个漏极、六条所述数据线以及两条所述数据线引线均与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:龙春平
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:北京,11

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1