The invention provides a TFT array substrate, which comprises a substrate, a first metal layer, a first metal layer on the substrate, a gate insulating layer, a gate insulating layer on the first metal layer and extending to the surface of the substrate, and a gate insulating layer comprising a flat part on the first metal layer and connected with opposite sides of the flat part. A pair of stepped parts; the second metal layer, the second metal layer is located on the flat part, the area of the positive projection of the second metal layer on the surface of the plate is less than the area of the flat part; the protective layer, the protective layer is located on the second metal layer and the grid insulation layer. Because the area of the positive projection of the second metal layer is smaller than that of the flat surface, that is, one side of the second metal layer or the opposite sides of the second metal layer retract inward for a certain distance, which makes the second metal layer \retreat\ for a certain distance. Therefore, the protection layer does not need continuous climbing. Finally, the protection layer is not easy to break and oxidize, which greatly improves the stability of TFT array substrate.
【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板、显示面板
本专利技术属于显示
,具体涉及一种TFT阵列基板、显示面板。
技术介绍
在TFT阵列基板的制备过程中,通常会将第一金属层与第二金属层的相对两侧进行切齐处理,使得第二金属层与栅极绝缘层中的平坦层的宽度大致相等。但在制备保护层时,厚度仅为2000A的保护层需要爬坡第一金属层,栅极绝缘层和第二金属层近10000A的高度。而此时由于已经进行了切齐处理,导致保护层需要连续爬坡,使保护层无法得到缓冲。因此,保护层在栅极绝缘层和第二金属层的连接处极易发生破膜,进而出现氧化等问题。但目前,尚没有一些良好的解决办法来避免此问题。
技术实现思路
鉴于此,为了解决上述问题,本专利技术提供了一种TFT阵列基板、显示面板,将第二金属层后退一段距离,进而增大第二金属层与栅极绝缘层之间的距离来使保护层得到缓冲,避免破膜,氧化现象的发生。本专利技术第一方面提供了一种TFT阵列基板,包括:基板;第一金属层,所述第一金属层设于所述基板之上;栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设于所述第一金属层之上并延伸至所述基板表面,所述栅极绝缘层包括设于所述第一金属层上的平坦部和与所述平坦部相对两侧相连接的一对阶梯部;第二金属层,所述第二金属层设于所述平坦部之上,所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积小于所述平坦部表面的面积;保护层,所述保护层设于所述第二金属层和所述栅极绝缘层之上。本专利技术第一方面提供的一种TFT阵列基板,所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积,即第二金属层与平坦部表面相邻接的第二金属层的下表面在所述平坦部表面的正投影的面积。由于所述第二金属层在所述基板表 ...
【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:基板;第一金属层,所述第一金属层设于所述基板之上;栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设于所述第一金属层之上并延伸至所述基板表面,所述栅极绝缘层包括设于所述第一金属层上的平坦部和与所述平坦部相对两侧相连接的一对阶梯部;第二金属层,所述第二金属层设于所述平坦部之上,所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积小于所述平坦部表面的面积;保护层,所述保护层设于所述第二金属层和所述栅极绝缘层之上。
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:基板;第一金属层,所述第一金属层设于所述基板之上;栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设于所述第一金属层之上并延伸至所述基板表面,所述栅极绝缘层包括设于所述第一金属层上的平坦部和与所述平坦部相对两侧相连接的一对阶梯部;第二金属层,所述第二金属层设于所述平坦部之上,所述第二金属层在所述基板表面的正投影的面积小于所述平坦部表面的面积;保护层,所述保护层设于所述第二金属层和所述栅极绝缘层之上。2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第二金属层的相对两侧均向所述平坦部的中心缩进预设宽度。3.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述预设宽度为0.5-1μm。4.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一金属层的相对两侧为第一斜面,所述阶梯部包括与所述平坦部相连的第二斜面,所述第二金属层的相对两侧为第三斜面,所述第一斜面、所述第二斜面...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵阳,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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