北斗一体化封装电路制造技术

本实用新型专利技术提供北斗一体化封装电路，包括：主要载体为多层陶瓷基板；位于该陶瓷基板的下方开腔结构，其开腔内设置的芯片安装，位于其内部；位于该陶瓷基板上方的开腔，其顶部开腔内部设置芯片安装，位于其内部；位于顶部开腔层顶层盖板，其顶层盖板设置芯片安装；位于上方表面的芯片安装；位于陶瓷基板中间层，其内部设置的微波无源器件；位于多层陶瓷基板，其内部设置多层金属线路和金属过孔；位于陶瓷基板上方的金属屏蔽盖板。该陶瓷基板的多层金属线路，分别适用于信号的传输和多异质芯片的组装基板，并保证元器件间的信号隔离，最终实现北斗多异质芯片封装的一体化封装。

【技术实现步骤摘要】
北斗一体化封装电路
本技术涉及一体化封装电路，特别涉及射频基带一体化集成的封装方法。
技术介绍
现有的北斗射频基带一体化电路，由于受射频和基带芯片不同材料制程的限制，无法实现SOC的高灵敏度集成要求。常规的SIP工艺通常由PCB基板，通过芯片堆叠组装而成，其结构参见图1，其大致包括：位于底部的PCB基板1；位于该PCB基板上方的芯片201，设置BGA焊球3，位于其上方的PCB基板2；其PCB基板2上方安装芯片301，以及位于该芯片301上方堆叠芯片302。现有的这种结构，信号的传输会受到多异质芯片201，301,302的影响，信号干扰较大，201,301,302异质芯片间干扰较大，无法大规模集成，无法解决多芯片集成带来的信号完整性问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题，在于提供一种北斗一体化封装电路结构，可以使北斗多异质芯片高密度集成，并使信号完整性得到改善。为了实现上述目的，本技术提出一种北斗多异质芯片一体化封装电路，包括：位于主体的多层陶瓷基板；位于该陶瓷基板的下方开腔结构，其开腔内设置的元器件安装，位于其内部；位于该陶瓷基板上方的开腔，其顶部开腔内部设置元器件安装，位于其内部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种北斗一体化封装电路，其特征在于，包括：主体的多层陶瓷基板；位于该陶瓷基板的下方开腔结构，其开腔内设置的元器件安装，位于其内部；位于该陶瓷基板上方的开腔，其顶部开腔内部设置芯片安装，位于其内部；位于顶部开腔隔板，其顶层隔板设置芯片安装；位于陶瓷基板上方表面的元器件安装；位于陶瓷基板中间层，其内部设置的微波无源器件；位于多层陶瓷基板，其内部设置多层金属线路和金属过孔；位于陶瓷基板内部和表面的金属隔墙结构；位于陶瓷基板上方的金属屏蔽盖板。

【技术特征摘要】
1.一种北斗一体化封装电路，其特征在于，包括：主体的多层陶瓷基板；位于该陶瓷基板的下方开腔结构，其开腔内设置的元器件安装，位于其内部；位于该陶瓷基板上方的开腔，其顶部开腔内部设置芯片安装，位于其内部；位于顶部开腔隔板，其顶层隔板设置芯片安装；位于陶瓷基板上方表面的元器件安装；位于陶瓷基板中间层，其内部设置的微波无源器件；位于多层陶瓷基板，其内部设置多层金属线路和金属过孔；位于陶瓷基板内部和表面的金属隔墙结构；位于陶瓷基板上方的金属屏蔽盖板。2.根据权利要求1所述的北斗一体化封装电路，其特征在于：还包括：位于该基板中，布置的大规模金属线路，金属化通孔。3.根据权利要求1所述的北斗一体化封装电路，其特征在于：该多层陶瓷基板包括25层，该陶瓷基板上方的开腔由处于上方的9层构成，该陶瓷基板的下方开腔结构由处于下方的12层构成。4.根据权利要求3所述的北斗一体化封装电路，其特征在于：该多层陶瓷基板是LTCC材质的。5.根据权利要求4所述的北斗一体化封装电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：于欢，黄勇，熊锦康，
申请(专利权)人：苏州博海创业微系统有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32