【技术实现步骤摘要】
静电放电保护装置、电路及其制作方法
本专利技术属于静电防护领域，涉及一种静电放电保护装置、电路及其制作方法。
技术介绍
静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)是因静电荷的积聚而在两个物体之间流动的快速放电。静电放电事件中的快速放电可能产生相对大的电流，此可能会损坏或破坏半导体装置。为了减少因静电放电事件引起的故障，可使用静电放电保护电路来提供电流放电路径。当发生静电放电事件时，放电电流经由电流放电路径进行传导，而不会经过所要保护的内部电路或装置。
技术实现思路
本公开阐述用于提供静电放电(ESD)保护的电路及装置以及制作此种电路及装置的方法。本公开的一个实施例描绘一种静电放电(ESD)保护装置，该静电放电保护装置包括：第一掺杂剂类型的基础阱，设置于基底上；该第一掺杂剂类型的第一阱，设置于该基础阱中；第二掺杂剂类型的第二阱，设置于该基础阱中；该第一掺杂剂类型的第一高掺杂区及该第二掺杂剂类型的第二高掺杂区，设置于该第一阱中；该第二掺杂剂类型的第三高掺杂区，设置于该第二阱中；以及该第一掺杂剂类型的第四高掺杂区，设置于该第三高掺杂区中。该第一高掺杂区...
【技术保护点】
1.一种静电放电(ESD)保护装置，包括：第一掺杂剂类型的基础阱，设置于基底上；所述第一掺杂剂类型的第一阱，设置于所述基础阱中；第二掺杂剂类型的第二阱，设置于所述基础阱中；所述第一掺杂剂类型的第一高掺杂区及所述第二掺杂剂类型的第二高掺杂区，设置于所述第一阱中；所述第二掺杂剂类型的第三高掺杂区，设置于所述第二阱中；以及所述第一掺杂剂类型的第四高掺杂区，设置于所述第三高掺杂区中，其中，所述第一高掺杂区与所述第二高掺杂区耦合至第一电压端子，且所述第三高掺杂区及所述第四高掺杂区耦合至不同的第二电压端子。
【技术特征摘要】
2017.05.05 US 15/587,4851.一种静电放电(ESD)保护装置，包括：第一掺杂剂类型的基础阱，设置于基底上；所述第一掺杂剂类型的第一阱，设置于所述基础阱中；第二掺杂剂类型的第二阱，设置于所述基础阱中；所述第一掺杂剂类型的第一高掺杂区及所述第二掺杂剂类型的第二高掺杂区，设置于所述第一阱中；所述第二掺杂剂类型的第三高掺杂区，设置于所述第二阱中；以及所述第一掺杂剂类型的第四高掺杂区，设置于所述第三高掺杂区中，其中，所述第一高掺杂区与所述第二高掺杂区耦合至第一电压端子，且所述第三高掺杂区及所述第四高掺杂区耦合至不同的第二电压端子。2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其中：所述第一高掺杂区、所述第二高掺杂区及所述第三高掺杂区构成第一晶体管，且所述第一高掺杂区、所述第三高掺杂区及所述第四高掺杂区构成第二晶体管；且所述第一晶体管与所述第二晶体管可操作地并联于所述第一电压端子与所述第二电压端子之间。3.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，包括所述第一掺杂剂类型的多个第四高掺杂区，所述多个第四高掺杂区设置并分布于所述第三高掺杂区中；其中，所述第四高掺杂区中的每一者通过所述第三高掺杂区的相应部分而彼此间隔开。4.根据权利要求3所述的静电放电保护装置，其中沿与由所述第三高掺杂区界定的区域的边缘垂直的方向，所述第一掺杂剂类型占据具有第一长度的区，且所述第二掺杂剂类型占据具有第二长度的区，且其中所述第一长度对所述第二长度的比率大于1。5.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，还包括设置于所述第一阱中的所述第一掺杂剂类型的低掺杂区，所述第一高掺杂区及所述第二高掺杂区位于所述低掺杂区中；其中，所述低掺杂区所具有的所述第一掺杂剂类型的浓度低于所述第一阱，且所述第一高掺杂区所具有的所述第一掺杂剂类型的浓度高于所述第一阱。6.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，还包括耦合至该第一电压端子的导电层；其中，所述第一高掺杂区、所述第二高掺杂区、所述第三高掺杂区及所述导电层构成以所述导电层作为栅极的金属氧化物半导体(MOS)晶体管。7.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，还包括：所述第一掺杂剂类型的第三阱，与所述第二阱相邻地设置于所述基础阱中；以及所述第一掺杂剂类型的第五高掺杂区及所述第二掺杂剂类型的第六高掺杂区，设置于所述第三阱中；其中，所述第五高掺杂区、所述第六高掺杂...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪慈忆，陈信良，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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