本发明提供一种利用准分子激光退火工艺制作多晶硅薄膜的方法，该方法首先于一衬底上形成一非晶硅薄膜，其中该非晶硅薄膜于靠近中央的第一区域上具有一第一厚度，而于靠近外缘的第二区域内具有一倾斜侧壁构造，其厚度向外递减。接着对该非晶硅薄膜进行厚度...

本发明提供一种改善接触孔图案化的方法，该方法中采用的液晶显示面板包含有一衬底，一导电层设于该衬底表面，以及一介电层设于该导电层表面。本发明首先于该介电层表面形成一光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层内包含有一孔洞通达至该介电层表面，接着进行一...

一种双面显示的液晶显示器，具有一第一屏幕区与一第二屏幕区，该第一屏幕区与该第二屏幕区皆包含有至少一个以上的屏幕，其结构至少包括：　　　　一第一基底；　　　　一反射电极图案与一透明电极图案，形成于该第一基底之上，其中该反射电极图案位于该第...

一种双面显示的液晶显示器，具有一第一屏幕区与一第二屏幕区，该第一屏幕区与该第二屏幕区皆包含有至少一个以上的屏幕，其结构至少包括：　　　　一第一基底；　　　　一画素电极图案，形成于该第一基底之上；　　　　一第二基底，对向于该第一基底；　　...

一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法主要包括提供一基板、定义多晶硅层与Ｎ＋薄膜以形成多个岛状结构、于部份岛状结构上定义出Ｐ＋掺杂区域、定义源极／汲极与储存电容器的下电极、Ｎ＋薄膜回蚀、定义闸极及储存电容器的上电极、定义保护层的图案以...

一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，适于配置在一基板上，其主要是由多个扫描配线、多个信号配线、多个薄膜晶体管、多个画素电极、多个储存电容以及多个互补金氧半晶体管所构成。薄膜晶体管主要是由一多晶矽层、一源极／汲极、一Ｎ＋掺杂薄膜、一闸极以...

一种降低反射的液晶显示器。此液晶显示器的信息线和闸极线上具有抗反射层。抗反射层由抗反射材料构成，可避免外界光线在液晶显示器内部而产生反射。

一种黑色矩阵与彩色滤光片的制作方法，先提供一个已经形成红、绿、蓝色色块的透明基板，再于基板上形成一黑色层。接着，利用平坦化将黑色层至一固定厚度，且同时去除红、绿、蓝色色块的牛角区域，使其顶面暴露出来。

本发明公开了一种用于平面显示器的薄膜晶体管结构及其制造方法，该结构包括：设置于该平面显示器的驱动电路区中的第一薄膜晶体管，其栅极导体结构的长度等于或大于其轻度掺杂漏极区域的长度加上沟道区域的长度；以及设置于该平面显示器的有源矩阵区中的第...

本发明提供一种二极管的制造方法与结构。此二极管用于采用薄膜晶体管工艺的静电放电防护电路。其工艺包括下列步骤：形成半导体层于衬底上。于半导体层中形成具第一载流子浓度的第一区域。于半导体层中形成具第二载流子浓度的第二区域。形成绝缘层于半导体...

本发明提供一种互补式金属氧化物半导体薄膜晶体管组件的制造方法。其特征在于：在进行接触窗的图案化制造工艺之后，再进行Ｎ型离子之重掺杂离子注入制造工艺，以形成ＮＭＯＳ组件之源／漏极区。根据本发明，可以比现有减少一道光刻腐蚀制造工艺，而能减少...

一种制造液晶显示器的方法：首先，依序形成一无掺杂硅层、ｎ型硅层及一金属层于基板上；图案化以定义ｎ型ＴＦＴ及像素ＴＦＴ的源极／汲极及储存电容底部电极；全面形成一闸极氧化层及一闸极金属层；图案化以形成ｎ型ＴＦＴ的闸极、ｐ型ＴＦＴ的闸极、电源...

一种低温多晶硅液晶显示器，包含Ｐ型薄膜电晶体ＴＦＴ（不含浅掺杂汲极ＬＤＤ），及包含ＬＤＤ的ｎ型ＴＦＴ的驱动电路及画素ＴＦＴ与储存电容及画素电容底部电极的制造方法。制程步骤包含先定义源极／汲极，之后形成活性层及闸极氧化层并定义之，随后，在...

一种具有基体接触的薄膜晶体管组件，应用于多晶硅薄膜晶体管液晶显示器，借助于薄膜晶体管制作隔离于闸极电极、源极区和汲极区的基体接触区，并借由在基体接触区掺杂与源极区和汲极区不同型态的杂质来施加基体触发（ｂｏｄｙ－ｔｒｉｇｇｅｒ）偏压于薄膜...

本发明提供一种氧化硅薄膜的制造方法，其应用于多晶硅薄膜晶体管工艺，其先以等离子体辅助化学气相沉积系统于衬底完成沉积非晶硅薄膜的步骤之后，再对非晶硅膜提供含氧等离子体，对其表面施以含氧元素的等离子体处理，使非晶硅膜形成表面氧化层，此方法能...

本发明公开了一种转印薄膜元件于塑料基板上及制造柔性显示器装置的方法。该方法形成一含银缓冲层于一玻璃基底上。形成具有第一穿孔的一转印层于部分含银缓冲层上，并使得含银缓冲层的边缘露出，其中转印层包含有薄膜元件。利用可去除的胶将具有第二穿孔的...

本发明提供一种彩色液晶显示装置，其中一彩色滤光层（ｃｏｌｏｒ　　ｆｉｌｔｅｒ）形成于一数组电路基底上。此装置包括一数组电路基底，此数组电路基底具有一扫瞄线（ｓｃａｎ　　ｌｉｎｅ）与一数据线（ｄａｔａ　　ｌｉｎｅ），供形成多个像素（ｐｉｘ...

本发明公开了一种静电放电保护元件及其制造方法，至少具有一源极端、一漏极端与一栅极端，其特征在于部分源极端与部分漏极端重叠于栅极端，以提高栅极对漏极以及栅极对漏极的耦合电容值，进而能够使静电放电保护元件快速启动。

一种发光二极管阵列光源，是至少由一承载器和数个发光二极管所组成。其中，承载器具有一正面和一背面，且承载器的正面和背面上具有多组接点。发光二极管则配置于承载器上，并分别与各组接点电连接，且发光二极管所提供的光源是由承载器的一侧边出射。本发...

一种在曝光对位制造工艺中去除彩色光阻的方法，包括下列步骤：提供一具有对准标记的基板；形成一彩色光阻于该具有对准标记的基板上；利用一双重管中的内管输送一溶剂使其附着在欲去除的彩色光阻区域而溶解该彩色光阻；以及利用该双重管中的外管以吸真空的...