薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构制造技术

一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，适于配置在一基板上，其主要是由多个扫描配线、多个信号配线、多个薄膜晶体管、多个画素电极、多个储存电容以及多个互补金氧半晶体管所构成。薄膜晶体管主要是由一多晶矽层、一源极／汲极、一Ｎ＋掺杂薄膜、一闸极以及一闸极绝缘层。其中，多晶矽层是配置于基板上，源极／汲极配置于多晶矽上方，Ｎ＋掺杂薄膜配置于多晶矽层与源极／汲极之间，闸极配置于多晶矽上方，而闸极绝缘层则配置于多晶矽与闸极之间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，且特别是一种以六道光罩制程即可完成的薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构。
技术介绍
针对多媒体社会的急速进步，多半受惠于半导体元件或人机显示装置的飞跃进步。就显示器而言，阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有优异的显示品质与其经济性，一直独占近年来的显示器市场。然而，对于个人在桌上操作多数终端机/显示器装置的环境，或是以环保的观点切入，若以节省能源的潮流加以预测阴极射线管因空间利用以及能源消耗上仍存在很多问题，而对于轻、薄、短、小以及低消耗功率的需求无法有效提供解决的方法。因此，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流。我们所熟知的薄膜晶体管大致上可分为非晶矽薄膜晶体管与多晶矽薄膜晶体管两种。低温多晶矽(LTPS)技术有别于一般传统的非晶矽(a-Si)技术，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，因此可使薄膜晶体管的尺寸更小，具有增加显示器的开口率(aperture ratio)、减少功率消耗等功能。此外，低温多晶矽制程可以将部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，适于配置于一基板上，其特征在于，该结构包括：　　　　复数个扫描配线，配置于该基板上；　　　　复数个信号配线，配置于该基板上；　　　　复数个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管是藉由该些扫描配线与该些信号配线驱动，每一该些薄膜晶体管包括：　　　　一多晶矽层，配置于该基板上；　　　　一源极／汲极，配置于该多晶矽上方；　　　　一Ｎ＋掺杂薄膜，配置于该多晶矽层与该源极／汲极的间；　　　　一闸极，配置于该多晶矽上方；　　　　一闸极绝缘层，配置于该多晶矽与该闸极的间；　　　　复数个画素电极，对应于该些薄膜晶体管配置；　　　　复数个储存电容，对应于该些画素电极配置；以及　　　　复数...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，适于配置于一基板上，其特征在于，该结构包括复数个扫描配线，配置于该基板上；复数个信号配线，配置于该基板上；复数个薄膜晶体管，该些薄膜晶体管是藉由该些扫描配线与该些信号配线驱动，每一该些薄膜晶体管包括一多晶矽层，配置于该基板上；一源极/汲极，配置于该多晶矽上方；一N+掺杂薄膜，配置于该多晶矽层与该源极/汲极的间；一闸极，配置于该多晶矽上方；一闸极绝缘层，配置于该多晶矽与该闸极的间；复数个画素电极，对应于该些薄膜晶体管配置复数个储存电容，对应于该些画素电极配置；以及复数个互补金氧半导体，每一该些互补金氧半导体包括一N型金氧半导体与一P型金氧半导体。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，其特征在于，所述N型金氧半导体包括一第二多晶矽层，配置于该基板上；一第二源极/汲极，配置于该第二多晶矽上方；一第二N+掺杂薄膜，配置于该第二多晶矽与该第二源极/汲极的间；一第二闸极，配置于该第二多晶矽上方；以及一第二闸极绝缘层，配置于该第二多晶矽层与该第二闸极的间。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，其特征在于，所述闸极与该源极/汲极之间的该多晶矽层内更包括一N-掺杂区域。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列及其驱动电路结构，其特征在于，所述P型金氧半导体包括一第三多晶矽层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈信铭，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]