静电放电保护元件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种静电放电保护元件及其制造方法，至少具有一源极端、一漏极端与一栅极端，其特征在于部分源极端与部分漏极端重叠于栅极端，以提高栅极对漏极以及栅极对漏极的耦合电容值，进而能够使静电放电保护元件快速启动。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种静电放电保护(Electrostatic Discharge，ESD)元件及其制造方法，且特别涉及一种能够提高电容耦合率，以使静电放电保护元件够快速启动的。
技术介绍
随着信号电路以及驱动电路直接制造在液晶显示面板(Liquid crystaldisplay panel，LCD panel)上，这些电路亦会如同互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)的集成电路(IntegratedCircuit，IC)那样面临静电放电而损伤的问题，尤其是薄膜晶体管(Thin FilmTransistor)元件制造在绝缘的玻璃基板上，当静电放电发生时瞬间(约为10ns)的所产生的高热不易经由绝缘的玻璃基板散热，因而更容易烧毁薄膜晶体管元件。当玻璃基板上的任一控制电路或驱动电路遭受静电放电而损害时，即使显示像素仍然完好，然而整块液晶显示面板就会变得无法使用。因此，对于将液晶显示器所需的信号控制电路以及驱动电路制作在玻璃基板上的系统而言，薄膜晶体管的静电放电防护设计变得更加重要。图1所示为现有一种顶栅式(Top本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电保护元件，至少具有一源极端、一漏极端与一栅极端，其特征在于：部分该源极端与部分该漏极端其中之一重叠于该栅极端。

【技术特征摘要】
1.一种静电放电保护元件，至少具有一源极端、一漏极端与一栅极端，其特征在于部分该源极端与部分该漏极端其中之一重叠于该栅极端。2.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其中部分该源极端与部分该漏极端中的另一个重叠于该栅极端。3.如权利要求1所述的静电放电保护元件，其中该源极端更包括一源极掺杂区域与一源极金属，且该漏极端更包括一漏极掺杂区域与一漏极金属。4.如权利要求3所述的静电放电保护元件，更具有一沟道层、一栅绝缘层、一层间介电层，其中该沟道层设置于一基板上；该源极掺杂区域与该漏极掺杂区域分别设置于该沟道层两侧的该基板且与该沟道层电连接；该栅绝缘层设置于该沟道层上；该栅极端设置于该栅绝缘层上；该层间介电层设置于该基板上并覆盖该栅极端、该源极掺杂区域与该漏极掺杂区域；该源极金属设置于该层间介电层上，并藉由该层间介电层中的一源极接触窗电连接至该源极掺杂区域；以及该漏极金属设置于该层间介电层上，并藉由该层间介电层中的一漏极接触窗电连接至该源极掺杂区域；其中该源极金属与该漏极金属的其中之一间隔该层间介电层重叠于该栅极端的上方。5.如权利要求4所述的静电放电保护元件，其中该源极金属与该漏极金属中的另一个间隔该层间介电层重叠于该栅极端的上方。6.一种静电放电保护元件的制造方法，包括一栅极端，以及一源极端与一漏极端的形成步骤，其特征在于依照该漏极端与该源极端的形成步骤所形成的部分该漏极端、部分该源极端其中之一重叠于该栅极端。7.如权利要求6所述的静电放电保护元件的制造方法，其中部分该源极端与部分该漏极端中的另一个重叠于该栅极端。8.如权利要求6所述的静电放电保护元...

【专利技术属性】
技术研发人员：石安，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]