统宝光电股份有限公司专利技术

统宝光电股份有限公司共有753项专利

  • 一种LCD前光源模块,包含: 一发光二极管(LED); 一导光棒(LGS),接受来自该发光二极管所射出的光线,其特征在于该导光棒的一表面有一荧光粉层,该光线经过该荧光粉层时,可激发出白光;及 一导光板,接受来自该导光棒...
  • 一种自行清洁离子注入系统腔体的装置,所述装置至少包括:一离子注入腔体;一远端高密度等离子体产生器,所述远端高密度等离子体产生器连接至所述离子注入腔体;以及一气体供应装置,所述气体供应装置连接所述远端高密度等离子体产生器;其特征在于:所述...
  • 本发明公开了一种轻掺杂漏极(Lightly doped drain)结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明以埋入式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管来取代公知的表面式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管。本发明在制作轻掺杂漏极...
  • 本发明公开了一种薄膜晶体管平面显示器面板的结构及其制造方法,其结构包含一透光基板、一缓冲层、一顶部栅极薄膜晶体管结构以及一遮光结构,该方法包含下列步骤:提供一透光基板;于该透光基板上方依序形成一缓冲层及一顶部栅极薄膜晶体管结构;以及于该...
  • 本发明是一种平面显示器的储存电容构造及其制造方法,其构造包含:一基板;一下电极,位于该基板的上方,其是以一半导体材料所完成;一绝缘层,位于该下电极的表面上;以及一上电极,该上电极具有一掺质植入通道,而其方法包含下列步骤:利用该掺质植入通...
  • 本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法及结构,包括:提供一半导体层;形成一罩幕结构于该半导体层上;于该半导体层上进行一第一离子植入制作过程,以定义出一信道、一初始源/漏极结构;移除该罩幕结构,并形成一栅极绝缘层于该半导体层上;形成一栅极导体...
  • 本发明涉及电子元器件的制造方法及系统,尤指一种金属薄膜干蚀刻的后处理方法,和一种蚀刻与去光阻步骤的整合系统,该系统包括至少一干蚀刻室,至少一光阻去除清洗室,以及一输送装置。该输送装置用以输送一或多个含金属薄膜的基板进出一或多个该干式蚀刻...
  • 本发明涉及一种储存电容结构及其形成方法,应用于一平面显示器的主矩阵中,该储存电容结构包括:一下电极层,其上表面具有凹凸结构;一介电层,覆盖于该下电极层的上表面;以及一上电极层,覆盖于该介电层之上,而该形成方法包括下列步骤:提供一基板;于...
  • 本发明涉及一种平面显示器面板,其包括有下列组件:一基板;一像素矩阵,设置于该基板上;一显示控制电路,设置于该基板上并电连接于该像素矩阵,其控制该像素矩阵的开启与关闭;以及一嵌入式测试电路,设置于该基板上并电连接于该显示控制电路,其对该显...
  • 本发明公开了一种形成在衬底上的有机LED器件及其制造方法。该有机LED器件由包括:一开关TFT和一驱动器TFT,每个都形成在一衬底上;一有机LED元件,对应每个像素的,该元件形成在该衬底上,该元件与该衬底之间形成有一绝缘膜,该有机LED...
  • 一种液晶显示荧幕的制造方法,一多晶硅层形成于绝缘基材之上,在多晶硅层上形成第一主动区及第二主动区。在多晶硅层之上形成第一绝缘层,接著同时在第一主动区上形成闸极及在第二主动区上形成闸极及上电极。进行一P型离子布植,在多晶硅层中定义出源/汲...
  • 一种利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法,于一等离子体化学气相沉积腔体中,以等离子体辅助化学反应,在基板上形成薄膜。然后,在取出基板后将清洁气体导入腔体中,以去除腔体内的附着物。随后,在下一批基板置入腔体前施行一预沉积制作工艺,以隔...
  • 本发明提供一种封装保护结构。该封装保护结构完全覆盖在一基底上的一电路元件上,该封装保护结构包含有一第一层类金刚石碳膜,用来当作该封装保护结构的最下层,一缓冲层设于该第一层类金刚石碳膜表面,以及一第二层类金刚石碳膜,覆盖该缓冲层及部分该第...
  • 一种具有多层介电层于反射电极与液晶层之间的液晶显示装置与其制造方法。形成一反射电极而电性连接一画素驱动组件数组。提供对向于第一基底的一第二基底。形成一液晶层夹于第一基底与第二基底之间。形成一第一介电层于反射电极上,该第一介电层具有一第一...
  • 根据本发明的结构,使用一扫瞄线路来控制两个薄膜晶体管的开启,而一影像数据线路用来传送影像数据至像素电容与保持电容。当扫描线的薄膜晶体管被扫描信号选定时,此薄膜晶体管上的影像信号,会使像素电容与保持电容充电,当扫描信号移除时,直到扫描信号...
  • 一种液晶显示器及周边电路结构及其制造方法,该方法为制造多晶硅液晶显示器,包含p型薄膜晶体管TFT(不含LDD;浅掺杂漏极)及n型TFT的驱动电路(含LDD)及像素TFT与储存电容及像素电容底部电极的制造方法;其特别之处是将透明导电层先形...
  • 一种制造薄膜晶体管液晶显示器的绝缘薄膜的组合设备,是由一化学气相沉积装置、一清洗室、一晶舟站以及用以传送基板至上述各部件的一转移系统结合而成,其配置系化学气相沉积装置相对于晶舟站,转移系统位于晶舟站与化学气相沉积装置之间,而清洗室邻近转...
  • 一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构,通过一与低温多晶硅薄膜晶体管中的源极/漏极同时定义的掺杂多晶硅层、一介电层以及一遮光金属层构成储存电容器。其中,遮光金属层配置于掺杂多晶硅层上方,并且与像素电极电性连接。由于遮光金属层所分布的区域同时...
  • 一种制造液晶显示器的方法,其包括下列步骤:    提供一基板;    在该基板上形成一绝缘层;    在该绝缘层上沉积一非晶硅层;    使该非晶硅层结晶化,而形成一表面具有凸出部分的复晶硅层;    在该复晶硅层上形成一改质层,以改质...
  • 本发明提供一种具轻掺杂汲极的半导体组件及其形成方法。本发明方法包含提供一半导体底材,是具有第一区域及第二区域。然后,依序形成闸极介电层及导体层在半导体底材上。接着,选择性地去除一部分的导体层,用以形成第一闸极在第一区域对应的闸极介电层上...