有机发光二极管器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种形成在衬底上的有机ＬＥＤ器件及其制造方法。该有机ＬＥＤ器件由包括：一开关ＴＦＴ和一驱动器ＴＦＴ，每个都形成在一衬底上；一有机ＬＥＤ元件，对应每个像素的，该元件形成在该衬底上，该元件与该衬底之间形成有一绝缘膜，该有机ＬＥＤ元件连接到该驱动器ＴＦＴ；一阳极，其连接到一公共电极；以及一阴极，连接该驱动器ＴＦＴ和形成在该绝缘膜上的该有机ＬＥＤ元件。作为公共电极，阳极将多个像素彼此相连，由此改善了制造过程中的自对准性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光二极管(LED)，尤其涉及一种采用顶发射结构并适于扩大面积的有机LED器件及其制造方法。
技术介绍
由于有机LED元件具有非常迅速的响应速度并且是自发光元件，所以希望通过把有机LED元件应用于显示装置提供具有宽视角的良好的平面显示器。因此，人们测试了有机LED元件在取代液晶显示器的平面显示器中的应用。在将上述有机LED元件应用到平面显示器的情况中，可以采用类似于液晶显示器的有源矩阵驱动法。已知顶发射结构或底发射结构可以用作采用有源矩阵驱动法的有机LED器件的发光结构。图9是一种采用现有技术的顶发射结构的有机LED器件的截面图。图9中所示的有机LED器件通过在玻璃基底上形成由p型掺杂的多晶硅形成的薄膜晶体管(TFT)结构82而构成。如图9所示，TFT结构82通过绝缘膜84与上结构绝缘。而且在绝缘膜84的上部形成一个由金属如钼(Mo)。镍(Ni)和铂(Pt)构成的反射阳极86。在反射阳极86附近和上面形成一个空穴注入层88。另外，在空穴注入层88的上层上形成一个空穴迁移层90和一个电子迁移层92。从而，构成的有机LED器件是能够发光的有机LED器件。在图9所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成在衬底上的有机发光二极管器件，包括： 一开关薄膜晶体管和一驱动器薄膜晶体管，每个都形成在该衬底上； 一有机发光二极管元件，对应每个像素形成在该衬底上，且该元件与该衬底之间间插有一绝缘膜，该有机发光二极管元件连接到该驱动器薄膜晶体管； 一阳极，其连接到一公共电极；以及 一阴极，连接该驱动器薄膜晶体管和形成在该绝缘膜上的该有机发光二极管元件， 其中通过连接多个像素形成阳极。

【技术特征摘要】
JP 2002-1-29 019887/02;JP 2002-5-24 150386/021.一种形成在衬底上的有机发光二极管器件，包括一开关薄膜晶体管和一驱动器薄膜晶体管，每个都形成在该衬底上；一有机发光二极管元件，对应每个像素形成在该衬底上，且该元件与该衬底之间间插有一绝缘膜，该有机发光二极管元件连接到该驱动器薄膜晶体管；一阳极，其连接到一公共电极；以及一阴极，连接该驱动器薄膜晶体管和形成在该绝缘膜上的该有机发光二极管元件，其中通过连接多个像素形成阳极。2.如权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，驱动器薄膜晶体管包括任意作为有源层类型的n型非晶硅和n型多晶硅。3.如权利要求1和2中任一项所述的有机发光二极管器件，其特征在于，有机发光二极管器件由包括至少一个发光部分和一个电子输运部分来组成，并且每个部分包括一个自对准地形成的部分。4.如权利要求1至3中任一项所述的有机发光二极管器件，其特征在于，该有机发光二极管器件有一顶发射结构。5.一种在衬底上制造有机发光二极管器件的方法，包括步骤在衬底上形成一个开关薄膜晶体管和一个驱动器薄膜晶体管；形成一个覆盖该开关薄膜晶体管和该驱动器薄膜晶体管的绝缘膜；在该绝缘膜上形成多个像素所共有的作为公共电极的阳极；在该阳极上确定用于形成连接到该阳极的一有机发光二极管元件的区域；以及在该区域中形成该有机发光二极管元件。6.如权利要求5所述的制造有机发光二极管器件的方法，其特征在于，形成有机发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻村隆俊，田中淳，三和宏一，师冈光雄，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]