一种具有光效率提升结构的有机发光组件，包括复数个画素，其特征在于：画素至少包括：一第一电极；一形成于第一电极上的有机发光层；一形成于有机发光层上的第二电极；以及一形成于第二电极上使得有机发光层所发出的光可通过光效率提升结构的一出光面而出...

一种制作互补式薄膜晶体管的方法，该方法包含有下列步骤：　　　　于一基板表面形成未完成源极与漏极掺杂的一第一薄膜晶体管与一第二薄膜晶体管；　　　　将一第一导电型式的掺杂剂掺杂于该第一薄膜晶体管内，以形成该第一薄膜晶体管的源极与漏极；　　　...

一种利用激光结晶形成多晶系膜层的方法，至少包括：　　　　提供一基板，具有一边缘区域及一主要区域；　　　　形成一非晶系膜层于该基板之上，其中该非晶系膜层于该边缘区域的平均厚度大于该主要区域的平均厚度；以及　　　　对该非晶系膜层进行激光退火...

一种具有可降低亮度的滤光片的有机发光元件，其至少包括：　　　　一基板；　　　　一第一电极，形成于该基板之上；　　　　一红色发光材，一绿色发光材，一蓝色发光材，形成于该第一电极之上；　　　　一第二电极，形成于该红、绿、蓝色发光材之上；以及...

一种具有多层硅结构的显示器，其中该多层硅结构至少包括：　　　　一基板；　　　　一第一硅层位于该基板上；　　　　一闸极介电层位于该第一硅层上；　　　　一闸极位于该闸极介电层上；　　　　一层间介电层至少一部分位于该闸极上或该闸极介电层上；及...

一种液晶显示器装置，包括：　　　　一背光模块，具有一光源，该光源可发射一第一波长光线；　　　　一第一基板，具有多个薄膜晶体管，位于该背光模块的上方；　　　　一荧光粉层，位于该第一基板的上方；　　　　一彩色滤光片，位于该荧光粉层的上方；　...

一种薄膜晶体管结构，其应用于有源式矩阵液晶平面显示器，其包含：　　　　一基板，其上具有多个本征区域、至少一个第一掺杂区及二个第二掺杂区，其中该第一掺杂区形成于该多个本征区域之间，且该多个本征区域通过该第一掺杂区串连而形成一串连结构，以及...

一种半导体元件的钝化方法，至少包含：　　　　将一半导体元件置于一反应室之中，且该半导体元件具有一第一型晶体管及一第二型晶体管；　　　　将一第一钝化气体及一第二钝化气体通入该反应室之中；以及　　　　加热该半导体元件，直到足以对该半导体元件...

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于其包括：　　　　复数个薄膜晶体管，配置在一基板上；　　　　一彩色滤光阵列层，形成于该些薄膜晶体管上，并且暴露出对应于该些薄膜晶体管的一预定形成接触窗区域；　　　　一覆盖层，覆盖在该彩色滤光阵列层上，并覆...

一种薄膜晶体管，其特征在于所述薄膜晶体管包括有：　　　　一基底，其包含有一第一薄膜晶体管区域以及一第二薄膜晶体管区域；　　　　一第一有效层，是形成于该基底的该第一薄膜晶体管区域上，且包含有一沟道区域、一轻掺杂区域以及一重掺杂区域，其中该...

一种半导体装置钝化方法，其中至少包括对该半导体装置进行以下步骤：　　　　一高压退火处理步骤，用以修补该半导体装置内所产生的缺陷；以及　　　　一等离子体处理步骤，用以去除该半导体装置内所产生的电荷。

一种多栅极结构的薄膜晶体管，其特征在于所述薄膜晶体管包括有：　　　　一基底；　　　　一有效层，是形成于该基底上，且包含有：　　　　一第一轻掺杂区域；　　　　一第二轻掺杂区域以及一第三轻掺杂区域，是分别形成于该第一掺杂区域的两侧；　　　　...

一种低温多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于其至少包括：　　　　在一基板上形成一非晶硅层；　　　　对该非晶硅层进行一回火制程，以使该非晶硅层转变为一多晶硅层，其中该多晶硅层的表面形成数个突起物；以及　　　　对该多晶硅层进行一表面平坦化处理步骤。

本发明提出一种用以制备多晶系膜层的激光退火装置，可以避免基板边缘区域的非晶系层在经激光退火时受到损害。此种激光退火装置包括一遮蔽结构，当对非晶硅系膜层进行激光退火以形成多晶系膜层时，遮蔽结构会抵挡基板边缘区域的激光，以避免激光完全照射到...

一种液晶显示器及其制造方法以及液晶显示器的晶体管数组基板及其制造方法，液晶显示器的制作方法为：提供一基板，其上形成有一蚀刻阻挡层；形成源极－漏极区于蚀刻阻挡层上；形成绝缘层于蚀刻阻挡层上；设置复数条相互平行的栅极线与复数条相互平行的数据...

本发明提供一种利用激光结晶工艺制作薄膜晶体管的方法。该方法首先形成一非晶硅图形，该非晶硅图形包括有一第一、第二区域，至少一紧邻该第二区域具有一第二高度的第一尖端区域，至少一位于该第一区域以及该些第一尖端区域间的第四区域，该些第四区域具有...

一种半反射半穿透液晶显示器包含有复数个画素，是分别相对应于复数个彩色单元。第一画素电极区域包含有第一反射式区域以及第一穿透式区域，第二画素电极区域包含有第二反射式区域以及第二穿透式区域，第三画素电极区域包含有第三反射式区域以及第三穿透式...

一种薄膜晶体管阵列的制造方法与装置，适用于薄膜晶体管阵列制程中形成导体层的步骤，以消除静电破坏的效应，此方法采用两阶段式的光罩制程。首先利用第一阶段光罩制程，将形成于一基板上的导体层图案化，以形成一第一图案，这个第一图案包括数个独立电路...

一种液晶显示器的制造方法，其先在玻璃基底上依序形成导电层、金属层与重掺杂层。然后使用第一掩模形成周边ＣＭＯＳ电路区、晶体管区、反射区、穿透区、及电容区。接着，形成多晶硅薄膜层与绝缘层，并以第二掩模形成源极／漏极区，通道区，以及栅极绝缘层...

一种半反射半穿透液晶显示器，其画素区域内包含有一薄膜晶体管（ＴＦＴ）元件、一穿透电极层以及一反射电极层，其中该反射电极层以及该穿透电极层的重迭区域成为一反射区域，且未被该反射电层覆盖的该穿透电极层成为一穿透区域。而且，该穿透电极层、薄膜...