制备多晶硅膜层的激光退火装置及形成多晶硅膜层的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种用以制备多晶系膜层的激光退火装置，可以避免基板边缘区域的非晶系层在经激光退火时受到损害。此种激光退火装置包括一遮蔽结构，当对非晶硅系膜层进行激光退火以形成多晶系膜层时，遮蔽结构会抵挡基板边缘区域的激光，以避免激光完全照射到基板边缘区域的非晶系膜层，本发明专利技术并提出一种利用此激光退火装置进行激光结晶形成多晶系膜层的方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种用以制备多晶系膜层的激光退火装置，且特别是有关于一种利用连续式侧向固化法(sequential lateral solidification；SLS)进行低温多晶硅的制程(low temperature poly silicon process；LTPS process)所使用的激光退火装置。
技术介绍
薄膜晶体管为主动数组型平面显示器常用的主动组件(activeelement)，通常用来驱动主动式液晶显示器(active matrix type liquidcrystal display)、主动式有机电激发光显示器(active matrix typeorganic light-emitting display)等装置。薄膜晶体管中的半导体硅薄膜一般可区分为多晶硅(poly-silicon)薄膜以及非晶硅(amorphoussilicon，a-Si:H)薄膜。非晶硅薄膜虽然具备低制程温度、因可用气相沈积法来制备而适合大量生产、制程技术较成熟因而良率也较高等优点，但由于多晶硅的导电特性佳、使用多晶硅膜的薄膜晶体管具有较高的场效迁移率使晶体管可应用在高操作速度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以制备多晶系膜层的激光退火装置，其特征在于，至少包括：一转移平台，用以放置一基板；以及一遮蔽结构，用以保护对应于该基板的一边缘区域。

【技术特征摘要】
1.一种用以制备多晶系膜层的激光退火装置，其特征在于，至少包括一转移平台，用以放置一基板；以及一遮蔽结构，用以保护对应于该基板的一边缘区域。2.如权利要求1所述的用以制备多晶系膜层的激光退火装置，其特征在于，该遮蔽结构包括一挡板；以及一支撑结构，固定于该转移平台上，用以支撑该挡板。3.如权利要求2所述的用以制备多晶系膜层的激光退火装置，其特征在于，该遮蔽结构更包括一旋转装置，用以固定该挡板于该支撑结构上，并使该挡板可做旋转式移动。4.如权利要求2所述的用以制备多晶系膜层的激光退火装置，其特征在于，该支撑结构为一支撑板或一支撑架。5.如权利要求1所述的用以制备多晶系膜层的激光退火装置，其特征在于，该遮蔽结构包括一挡板；以及一伸缩装置，用以支撑该挡板，并使该挡板可做伸缩式移动。6.如权利要求5所述的用以制备多晶系膜层的激光退火装置，其特征在于，该伸...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世昌，蔡耀铭，李光振，洪郁婷，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]