一种RF射频器件的封装工艺，采用烧结型导电银胶作为连接材料，借助烧结型导电银胶良好的导电性能和导热性能，满足了RF射频器件的封装要求，同时降低了整个封装工艺的成本，减少了封装材料对环境的污染。

一种电子件安装结构及制作方法、电子件产品，该电子件安装结构包括印刷电路板，金属法兰，以及设置在该金属法兰上的若干个电子件，所述印刷电路板上设有开槽，该开槽的槽壁上覆有金属层，所述金属法兰受限于所述槽壁上的金属层，被紧固于该开槽中。由于金...

一种射频功率放大器的输出电路结构，该输出电路结构包括了二次谐波谐振网络、三次谐波谐振网络，以及漏源电容的并联基波谐振网络。同时将二次谐波的谐振网络和馈电电路结合起来，即能满足对二次谐波的滤波作用，又能满足馈电电路交流信号不影响直流电源对...

本实用新型揭示了一种半导体部件，该半导体部件利用表面安装元件形成的被动元件与半导体芯片中的主动元件集成在一块安装法兰上，通过该表面安装元件代替现有的半导体被动元件，使得被动元件和主动元件中的距离尽可能的短，从而减小寄生电容、电感、电阻，...

本实用新型公开了一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件，包括半导体本体，该LDMOS器件包括半导体本体，半导体本体包括从下至上依次设置的半导体衬底区、半导体外延层以及半导体介质层，在半导体介质层内设有沿沟道区延伸的栅以及从栅朝向漏...

一种射频功率放大器的输出电路结构，该输出电路结构包括了二次谐波谐振网络、三次谐波谐振网络，以及漏源电容的并联基波谐振网络。同时将二次谐波的谐振网络和馈电电路结合起来，即能满足对二次谐波的滤波作用，又能满足馈电电路交流信号不影响直流电源对...

本发明揭示了一种半导体部件，该半导体部件利用表面安装元件形成的被动元件与半导体芯片中的主动元件集成在一块安装法兰上，通过该表面安装元件代替现有的半导体被动元件，使得被动元件和主动元件中的距离尽可能的短，从而减小寄生电容、电感、电阻，提高...

本实用新型公开了一种射频功放模块的功率器件无封装结构，所述射频功放模块包括功率器件、散热板以及印刷线路板，功率器件嵌在印刷线路板内，散热板设于功率器件与印刷线路板下方，所述功率器件包括载体法兰、若干电子元件以及引线，电子元件按设计要求直...

本发明公开了一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件及制造方法，该LDMOS器件包括半导体本体，半导体本体包括从下至上依次设置的半导体衬底区、半导体外延层以及半导体介质层，在半导体介质层内设有沿沟道区延伸的栅以及从栅朝向漏漂移区的水...

本发明公开了一种LDMOS功率器件，包括衬底、衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底导电连接，所述衬底为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底。本发明在不用降低其它参数指标的前提下，减...

本发明公开了一种射频功放模块的功率器件无封装结构及其组装方法，所述射频功放模块包括功率器件、散热板以及印刷线路板，功率器件嵌在印刷线路板内，散热板设于功率器件与印刷线路板下方，所述功率器件包括载体法兰、若干电子元件以及引线，电子元件按设...

本实用新型公开了一种具有埋层的ＬＤＭＯＳ功率器件，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型重掺杂衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与第一导电类型重掺杂衬底导电连接，所述第一导电类型外延...

本实用新型公开了一种ＬＤＭＯＳ功率器件，包括衬底、衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底导电连接，所述衬底为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底。本实用新型在不用降低其它参数指标的前...

本实用新型公开了一种多重场板ＬＤＭＯＳ器件，包括半导体本体，半导体本体表面设有至少两个场板，每个场板具有与半导体本体表面平行的水平部分，不同场板的水平部分与半导体本体表面之间的距离不等。在相同的源漏击穿电压要求下，运用多重场板的ＬＤＭＯ...

本实用新型公开了一种栅下具有横向扩散埋层的ＬＤＭＯＳ器件，包括半导体本体以及半导体本体上的栅，所述半导体本体于栅的下方设有第一导电型掺杂沟道区，所述第一导电型掺杂沟道区的下方设有第一导电型横向扩散埋层。本实用新型在有效抑制ＬＤＭＯＳ器件...

本发明公开了一种具有埋层的ＬＤＭＯＳ功率器件，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型重掺杂衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与第一导电类型重掺杂衬底导电连接，所述第一导电类型外延层内...

本发明公开了一种ＬＤＭＯＳ功率器件，包括衬底、衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底导电连接，所述衬底为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底。本发明在不用降低其它参数指标的前提下，减...

本发明公开了一种栅下具有横向扩散埋层的ＬＤＭＯＳ器件，包括半导体本体以及半导体本体上的栅，所述半导体本体于栅的下方设有第一导电型掺杂沟道区，所述第一导电型掺杂沟道区的下方设有第一导电型横向扩散埋层。本发明在有效抑制ＬＤＭＯＳ器件中短沟道...

本发明公开了一种多重场板ＬＤＭＯＳ器件，包括半导体本体，半导体本体表面设有至少两个场板，每个场板具有与半导体本体表面平行的水平部分，不同场板的水平部分与半导体本体表面之间的距离不等。一种多重场板ＬＤＭＯＳ器件的加工方法，包括以下步骤：１...