多重场板ＬＤＭＯＳ器件及其加工方法技术

本发明专利技术公开了一种多重场板ＬＤＭＯＳ器件，包括半导体本体，半导体本体表面设有至少两个场板，每个场板具有与半导体本体表面平行的水平部分，不同场板的水平部分与半导体本体表面之间的距离不等。一种多重场板ＬＤＭＯＳ器件的加工方法，包括以下步骤：１）加工半导体本体；２）于半导体本体的表面沉积一个介质层，再于该介质层上沉积一导电薄膜，经光刻和腐蚀工艺形成第一个场板；３）随后再依次沉积一个介质层和导电薄膜，经光刻和腐蚀工艺形成第二个场板；４）根据需要制作的场板的个数重复步骤３）。在相同的源漏击穿电压要求下，运用多重场板的ＬＤＭＯＳ器件可以显著增加Ｎ型漂移区的掺杂浓度，器件的导通电阻因而可以得到显著的改善。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多重场板LDMOS器件及其加工方法。
技术介绍
在功率LDMOS器件中，要求在满足源漏击穿电压BVdss的前提下，尽可能地降低器件的源漏导通电阻Rds， on以降低器件的功率消耗，提高器件的工作效率。但是源漏击穿电压和导通电阻的优化要求却是相互矛盾的，在射频(RF)L匿OS功率器件中，常采用场板(field plate)技术来缓和这一矛盾。常用的单一场板技术有着较大的局限性，因为场板的水平部分与半导体表面间的距离恒定，如图1所示，但是理想的场板要求离开器件表面的距离不应是单一的。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种多重场板L匿OS器件及其加工方法，更好的缓解了源漏击穿电压与导通电阻的优化要求之间的矛盾，改善L匿OS器件的性能。 本专利技术的技术方案是一种多重场板LDMOS器件，包括半导体本体，所述半导体本体表面设有至少两个场板，所述每个场板具有与半导体本体表面平行的水平部分，不同场板的水平部分与半导体本体表面之间的距离不等。 进一步的，所述所有的场板都位于半导体本体的漏漂移区的上方。 进一步的，所述至少两个场板的水平部分与半导体本体表面的距离逐次递增。即第一个场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多重场板ＬＤＭＯＳ器件，包括半导体本体（１），其特征在于：所述半导体本体（１）表面设有至少两个场板（２），所述每个场板（２）具有与半导体本体（１）表面平行的水平部分（２１），不同场板（２）的水平部分（２１）与半导体本体（１）表面之间的距离不等。

【技术特征摘要】
一种多重场板LDMOS器件，包括半导体本体(1)，其特征在于所述半导体本体(1)表面设有至少两个场板(2)，所述每个场板(2)具有与半导体本体(1)表面平行的水平部分(21)，不同场板(2)的水平部分(21)与半导体本体(1)表面之间的距离不等。2. 根据权利要求1所述的多重场板LDM0S器件，其特征在于所述场板(2)位于半导 体本体(1)的漏漂移区(11)的上方。3. 根据权利要求1或2所述的多重场板LDM0S器件，其特征在于所述至少两个场板 (2)的水平部分(21)与半导体本体(1)表面的距离逐次递增。4. 根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，马强，
申请(专利权)人：苏州远创达科技有限公司，远创达科技香港有限公司，远创达科技开曼有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]