温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种多重场板ＬＤＭＯＳ器件，包括半导体本体，半导体本体表面设有至少两个场板，每个场板具有与半导体本体表面平行的水平部分，不同场板的水平部分与半导体本体表面之间的距离不等。一种多重场板ＬＤＭＯＳ器件的加工方法，包括以下步骤：１）加...该专利属于苏州远创达科技有限公司;远创达科技（香港）有限公司;远创达科技（开曼）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州远创达科技有限公司;远创达科技（香港）有限公司;远创达科技（开曼）有限公司授权不得商用。