【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件。
技术介绍
在功率LDMOS器件中，要求在满足源漏击穿电压BVdss的前提下，尽可能低降低器件的源漏导通电阻Rds，现有技术以降低器件的功率消耗来提高器件的工作效率。但是源漏击穿电压和导通电阻的优化要求却是相互矛盾的，在射频LDMOS功率器件中，常采用场板技术来缓和这一矛盾。但是常用的单一场板技术有着较大的局限性，因为场板的水平部分与半导体表面间的距离恒定，如附图说明图1所示，但是理想的场板要求场板与器件表面的距离不应是单一的。
技术实现思路
本技术目的在于提供一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件，其很好地缓解了源漏击穿电压与导通电阻的优化要求之间的矛盾，改善LDMOS器件的性能。为了解决现有技术中的这些问题，本技术提供的技术方案是一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设 于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体外延层与半导体介质层之间形成有沟道区、漏漂移区，半导体介质层内设有沿沟道区延伸的栅以及从栅朝向漏漂移区的水平方向...
【技术保护点】
一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体外延层与半导体介质层之间形成有沟道区、漏漂移区，其特征在于，半导体介质层内设有沿沟道区延伸的栅以及从栅朝向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少两个场板，与栅相邻的第一场板在漏漂移区上具有水平延伸，其余与栅不相邻的场板均为水平条状，场板之间的水平距离大于零，与第一场板相邻的第二场板与漏漂移区间的距离大于第一场板水平延伸部分与漏漂移区间的距离，其余水平条状场板与漏漂移区间的距离逐次递增。
【技术特征摘要】
1.一种具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件，包括半导体本体，半导体本体包括最下层的半导体衬底区、设于半导体衬底区上的半导体外延层以及最上层的半导体介质层，半导体外延层与半导体介质层之间形成有沟道区、漏漂移区，其特征在于，半导体介质层内设有沿沟道区延伸的栅以及从栅朝向漏漂移区的水平方向上依次设置的至少两个场板，与栅相邻的第一场板在漏漂移区上具有水平延伸，其余与栅不相邻的场板均为水平条状，场板之间的水平距离大于零，与第一场板相邻的第二场板与漏漂移区间的距离大于第一场板水平延伸部分与漏漂移区间的距离，其余水平条状场板与漏漂移区间的距离逐次递增2.根据权利要求1所述的具有阶梯式多重不连续场板的LDMOS器件，其特征在于，在位于栅的上方于半导体本体表面沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员：马强，
申请(专利权)人：苏州远创达科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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