形成用于场板形成的阶梯式电介质的方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种半导体器件(100)形成有在至少三个相继区域(104)(106)(108)和(110)上的阶梯式场板(134)，其中该阶梯式场板之下的每个区域中的总电介质厚度与前一区域相比至少厚10％。每个区域中的总电介质厚度是一致的。该阶梯式场板被形成在至少两个电介质层(116)和(122)之上，所述至少两个电介质层之中的至少总数减一数目的电介质层被图案化，以使得该阶梯式场板的一个或多个区域中的至少一部分图案化电介质层被移除。【专利说明】
本专利技术涉及半导体器件领域。更特别地，本专利技术涉及半导体器件中的场板。
技术介绍
半导体器件如氮化镓场效应晶体管(GaN FET)可以得益于具有梯级场板(graduated field plate),使得该场板下的电介质厚度在该半导体器件的半导体衬底的一个区域上单调地变化。梯级场板可以维持该半导体衬底内的电场低于目标值。在获得期望的制造简单性以及制造成本的同时形成梯级场板可能会有问题。
技术实现思路
以下展示了简化的
技术实现思路
，以便提供对本专利技术的一个或多个方面的基本了解。该【专利技...
【技术保护点】
一种半导体器件，其包括：半导体衬底；限定在所述衬底之上的第一场板区域，限定在所述衬底之上的邻近所述第一场板区域的第二场板区域，以及限定在所述半导体衬底之上的邻近所述第二场板区域的第三场板区域；设置在所述半导体衬底之上的第一电介质层，其中所述第一电介质层的至少一部分在所述第一场板区域、所述第二场板区域以及所述第三场板区域之中的至少一个内是缺失的；设置在所述第一电介质层和所述半导体衬底之上的第二电介质层；以及在所述第一场板区域、所述第二场板区域以及所述第三场板区域内设置在所述第一电介质层和所述第二电介质层之上的阶梯式场板，其中：在所述第一场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·彭哈卡，N·特珀尔内尼，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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