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一种半导体器件(100)形成有在至少三个相继区域(104)(106)(108)和(110)上的阶梯式场板(134)，其中该阶梯式场板之下的每个区域中的总电介质厚度与前一区域相比至少厚10％。每个区域中的总电介质厚度是一致的。该阶梯式场板被形...
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