一种射频LDMOS器件及其制造方法技术

本申请公开了一种射频LDMOS器件，具有侧面接触的沟道掺杂区与漂移区。在沟道掺杂区与漂移区的侧面接触部位的下方具有与之接触的第一阱，在漂移区远离沟道掺杂区的那一端下方具有与之接触的第二阱；所述第一阱与第二阱的掺杂类型相同，均与沟道掺杂区的掺杂类型相同，而与漂移区的掺杂类型相反。本申请还公开了其制造方法。由于在沟道下方、漏端下方分别增加了第一阱和第二阱，本申请可以提高副阻效应发生时的漏端触发电压，以获取高可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种半导体器件，特别是涉及一种应用于射频领域的LDMOS器件。
技术介绍
射频LDMOS (横向扩散MOS晶体管)器件通常应用于大功率射频领域，例如射频基站和广播站。通常，多个射频LDMOS器件以阵列形式组合使用。因此每个射频LDMOS器件都需具有高可靠性，以免因个别器件的薄弱(例如过早击穿)而造成整个阵列毁坏。请参阅图1，这是一种现有的射频LDMOS器件。以η型射频LDMOS器件为例，在P型重掺杂衬底I上具有P型轻掺杂外延层2。在外延层2中具有侧面接触的P型沟道掺杂区7和η型漂移区3。在沟道掺杂区7中具有η型重掺杂源区8。在漂移区3中具有η型重掺杂漏区9。在沟道掺杂区7和部分漂移区3之上依次具有栅氧化层4和多晶硅栅极5。在多晶硅栅极5的正上方、以及部分漂移区3的正上方具有连续的一块氧化硅10。在部分氧化娃10的上方具有连续的一块栅掩蔽层(G-shield)ll,为金属或η型重掺杂多晶娃。栅掩蔽层11至少要相隔氧化硅10而在部分的漂移区3的上方。下沉结构12从源区8表面向下穿透源区8、沟道掺杂区7、外延层2，并抵达到衬底I之中。在漏端9加高压时,所述射频LDMOS器件会出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频LDMOS器件，具有侧面接触的沟道掺杂区与漂移区；其特征是，在沟道掺杂区与漂移区的侧面接触部位的下方具有与之接触的第一阱，在漂移区远离沟道掺杂区的那一端下方具有与之接触的第二阱；所述第一阱与第二阱的掺杂类型相同，均与沟道掺杂区的掺杂类型相同，而与漂移区的掺杂类型相反。

【技术特征摘要】
1.一种射频LDMOS器件，具有侧面接触的沟道掺杂区与漂移区；其特征是，在沟道掺杂区与漂移区的侧面接触部位的下方具有与之接触的第一阱，在漂移区远离沟道掺杂区的那一端下方具有与之接触的第二阱；所述第一阱与第二阱的掺杂类型相同，均与沟道掺杂区的掺杂类型相同，而与漂移区的掺杂类型相反。2.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征是，所述第一阱相隔沟道掺杂区和漂移区，而在所述射频LDMOS器件的栅氧化层的正下方。3.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征是，所述第二阱相隔漂移区，而在所述射频LDMOS器件的漏区的正下方。4.根据权利要求1所述的射频LDMOS器件，其特征是，所述第一阱、第二阱的顶部距离硅材料的上表面的距离在O. 5 μ m以上。5.一种射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，先以光刻和离子注入工艺在漂移区的两端下方形成相互独立的第一阱和第二阱，第一阱和第二阱分别与漂移区的两端的底部相接触；接着在漂移区的一端侧面形成与之接触的沟道掺杂区，所述沟道掺杂区的底部还与第一阱的顶部相接触。6.根据权利要求5所述的射频LDMOS器件的制造方法，其特征是，包括如下步骤 第I步，以离子注入工艺在第一导电类型的外延层中形成第二导电类型的漂移区； 第2步，以离子注入工艺在漂移区两端下方分别形成第一阱和第二阱，它们均为第一导电类型； 第3步，以热氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：