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本申请公开了一种射频LDMOS器件，具有侧面接触的沟道掺杂区与漂移区。在沟道掺杂区与漂移区的侧面接触部位的下方具有与之接触的第一阱，在漂移区远离沟道掺杂区的那一端下方具有与之接触的第二阱；所述第一阱与第二阱的掺杂类型相同，均与沟道掺杂区的掺...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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