本技术提供一种铝箔LED灯带，包括多个铝箔LED灯组，铝箔LED灯组包括铝箔线路板和LED芯片，铝箔线路板设有正极铝箔、负极铝箔和铝箔承载片，正极铝箔、负极铝箔、铝箔承载片之间互不接触且均设有导电焊盘，LED芯片的供电脚固定焊接在导电焊...

本技术提供一种能够替代FPC的金属箔线路板，包括多个金属箔电元器件组，金属箔电元器件组包括金属箔载体板和电元器件，金属箔载体板包括正极金属箔、负极金属箔和多个金属箔承载片，正极金属箔、负极金属箔、金属箔承载片之间互不接触切均设有导电焊盘...

本发明提供一种能够替代FPC的金属箔线路板，包括多个金属箔电元器件组，金属箔电元器件组包括金属箔载体板和电元器件，金属箔载体板包括正极金属箔、负极金属箔和多个金属箔承载片，正极金属箔、负极金属箔、金属箔承载片之间互不接触切均设有导电焊盘...

本发明提供一种铝箔LED灯带，包括多个铝箔LED灯组，铝箔LED灯组包括铝箔线路板和LED芯片，铝箔线路板包括正极铝箔、负极铝箔和铝箔承载片，正极铝箔、负极铝箔、铝箔承载片之间互不接触且均设有导电焊盘，LED芯片的供电脚固定焊接在导电焊...

本发明提供一种快速准确分离微小锡球的锡球植球方法，属于锡球植球技术领域。本发明包括将植球装置固定设置在振动平台上；将微小锡球以及离散溶剂倒入植球装置中；启动振动平台让微小锡球振动分散落入锡球固定网网孔中；取出布满微小锡球的锡球固定网；将...

本发明提供了一种基于激光的集成电路高速焊接方法及其装置，所述基于激光的集成电路高速焊接方法包括：步骤S1，将焊料片、焊膏层或导电浆料层置于线路板或衬底的焊接区域与芯片之间，发射激光束得到激光面光源，从线路板或衬底附着芯片的一面扫描线路板...

本申请提出了一种固晶机，其包括承装机构、取晶机构和按压机构；承装机构包括引线框架，引线框架上设有用于承装芯片的固晶位；取晶机构包括摇臂和吸嘴，吸嘴连接于摇臂的自由端；按压机构包括按压板，按压板活动连接于引线框架的上方、且对应固晶位设置，...

本申请提出了一种矩阵固晶工艺，包括以下步骤：在晶圆上选定取晶区域；根据取晶区域与晶圆上芯片的表面，建立第一平面直角坐标系；根据第一平面直角坐标系，确定取晶区域内的各个芯片的取晶坐标；在引线框架上选定固晶区域；根据固晶区域、引线框架的表面...

本申请属于半导体设备技术领域，涉及一种晶片转移装置，包括：机架、第一驱动机构、至少两个晶片吸附机构、至少两个晶圆盘和至少一个目标盘；第一驱动机构、晶圆盘和目标盘均安装在机架上，目标盘位于两个晶圆盘之间；机架上设置有滑动导轨，晶片吸附机构...

本发明涉及半导体设备技术领域，公开了一种气体操作头和晶片吸附装置。其中，气体操作头包括：操作头主体、操作头基座、密封盖板、以及发光件。操作头主体为内部中空的主体腔体；操作头主体的外壁上设置有凸出操作头主体外壁的操作工作面，操作工作面上设...

本申请属于半导体设备技术领域，涉及一种顶刀结构和晶片转移装置。其中，顶刀结构应用于晶片转移装置，包括：刀体和与所述刀体连接的刀刃部；所述刀刃部远离所述刀体一侧且沿长度方向的两个角为圆角，所述刀刃部的两个刀刃面相接处为圆弧形结构。利用本申...

本申请属于半导体设备技术领域，涉及一种晶片转移装置。一种晶片转移装置，包括：晶片承载机构和晶片吸附机构，所述晶片承载机构以用于承载晶片，所述晶片吸附机构以用于吸附晶片；所述晶片承载机构包括承载台和安装在所述承载台上的弹性件，所述弹性件以...

本申请属于半导体设备技术领域，涉及一种晶片转移装置，包括：机架、第一承载机构、第二承载机构、驱动机构和晶片吸附机构；第二承载机构、第一承载机构、驱动机构和晶片吸附机构均设置在机架上；第一承载机构以用于承载晶片；第二承载机构以用于承载自第...

本发明涉及半导体制备技术领域，公开了一种晶片转移方法。晶片转移方法包括以下步骤：沿第一方向布置第一排晶片，第一排晶片包括多个晶片；相对第一排晶片按预设第一预设间隔沿第一方向布置第二排晶片，第二排晶片包括多个晶片；提取第一列晶片，第一列晶...

本申请涉及一种芯片移动方法及装置，所述方法包括：移动所述气体操作头且使所述操作工作面对准待转移芯片；控制所述至少一个气口的位置与对应待转移芯片的相对准；控制气压装置抽取所述气体操作头的腔体结构内的气体，以使所述至少一个气口吸附对应的所述...

本发明涉及半导体设备技术领域，公开了一种晶片转移装置和晶片转移方法。其中，晶片转移装置包括：吸附机构、驱动机构、第一载台、以及第二载台；第一载台和第二载台间隔开设置；吸附机构包括操作头主体，操作头主体为内部中空的主体腔体，操作头主体的外...

本申请涉及一种气体操作头，所述气体操作头包括：操作头主体，其中，所述操作头主体为内部中空的腔体结构，并且所述操作头主体上设置有与所述腔体结构内部相连通的气体通道；所述操作头主体上设置有操作台，所述操作台上设置有操作工作面；所述操作工作面...

本发明涉及半导体制备技术领域，公开了一种晶片混搭方法。晶片混搭方法包括以下步骤：包括以下步骤：准备至少一个晶圆，各晶圆均布置至少一个晶片；获取各晶片的实时参数，并根据各晶片的实时参数设定预设参数；对所有晶片进行混搭，混搭后的晶片被放置在...

本申请涉及一种气体操作头，包括操作头主体、操作头基座和密封盖板，操作头主体为内部中空的主体腔体；所述操作头主体上设置有操作台，所述操作台上设置有操作工作面，操作工作面上设置有与主体腔体相连通的至少一个气口；操作头基座固定在操作主体上与操...

本申请涉及一种气体操作头，所述气体操作头包括：包括：操作头主体和操作头基座，其中，所述操作头主体内为中空的主体腔体；所述操作头主体上设置有操作台，所述操作台上设置有操作工作面，所述操作工作面上设置有与所述主体腔体相连通的至少一个气口；所...