矩阵固晶工艺制造技术

本申请提出了一种矩阵固晶工艺，包括以下步骤：在晶圆上选定取晶区域；根据取晶区域与晶圆上芯片的表面，建立第一平面直角坐标系；根据第一平面直角坐标系，确定取晶区域内的各个芯片的取晶坐标；在引线框架上选定固晶区域；根据固晶区域、引线框架的表面以及各个芯片的坐标，建立第二个平面直角坐标系；根据第二个平面直角坐标系，确定固晶区域内的固晶坐标；根据第一平面直角坐标系及所有芯片的坐标，在取晶机构上设计一有N排M列个吸附孔的吸嘴结构；根据各个芯片的坐标，驱动吸嘴结构平移移动，以实现一次吸取取晶区域内的N

【技术实现步骤摘要】
矩阵固晶工艺


[0001]本申请涉及固晶工艺
，尤其涉及一种矩阵固晶工艺。

技术介绍

[0002]固晶，一般是指通过固晶机，将晶圆上的芯片取下，并固定在基板或者引线框架上；当前，不论是进口固晶机还是国产固晶机，在固晶时，均是一次从晶圆上取下一颗芯片，并在引线框架上一次固定一颗芯片，晶圆上有成千上万个芯片，均需要一一拾取，并需要一一搬运至引线框架上，然而，受限于取晶机构和搬运机构运转效率的物理极限，芯片的拾取效率和搬运效率很难提高，直接限制了芯片的固晶效率，现有的固晶机的固晶效率为15k个/h
‑
20k个/h，芯片的固晶效率很难提高，但目前芯片的固晶效率已不适应当前的生产周期。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种矩阵固晶工艺，本申请可以设定晶圆的各个芯片的取晶坐标以及引线框架内的固晶位的固晶坐标，并通过吸嘴结构一次性拾取多个芯片(此多个芯片呈矩阵式分布)，并一次性将这些芯片搬运至引线框架上，以用于固晶，以此提高固晶效率。
[0004]为此，本申请实施例提供了一种矩阵固晶工艺，其包括以下步骤：
[0005]在晶圆上选定取晶区域；
[0006]根据取晶区域与晶圆上芯片的表面，建立第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1；
[0007]根据第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1，确定取晶区域内的各个芯片的取晶坐标(x1，y1)；
[0008]在引线框架上选定固晶区域；
[0009]根据固晶区域、引线框架的表面以及各个芯片的坐标(x1，y1)，建立第二个平面直角坐标系X2‑
O2‑
Y2；
[0010]根据第二个平面直角坐标系X2‑
O2‑
Y2，确定固晶区域内的固晶坐标(x2，y2)；
[0011]根据第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1及所有芯片的坐标，在取晶机构上设计一有N排M列个吸附孔的吸嘴结构，其中，N排吸附孔沿X方向排列，M列吸附孔沿Y方向排列，且N≥1，M≥1，N、M均为自然数；
[0012]根据各个芯片的坐标(x1，y1)，驱动吸嘴结构平移移动，以实现一次吸取取晶区域内的N
×
M个芯片；
[0013]根据固晶区域内的固晶坐标(x2，y2)，驱动吸嘴结构平移移动，以将所吸取的N
×
M个芯片一次搬运至引线框架上。
[0014]在一些可能实现的方式中，还包括以下步骤：
[0015]在晶圆的表面选定一方形区域，作为所述取晶区域；
[0016]以所述方形区域的一个顶点为原点、该顶点的2条直角边分别作为X轴、Y轴，建立
第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1；
[0017]以一个芯片的X方向上的长度以及X方向上该芯片与下一个芯片之间的距离之和，作为一个X方向单位长度；
[0018]根据第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1以及所述X方向单位长度，确定所述取晶区域内的所有芯片的X坐标；
[0019]以一个芯片的Y方向上的宽度以及Y方向上该芯片与下一个芯片之间的距离之和，作为一个Y方向单位长度；
[0020]根据第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1以及所述Y方向单位长度，确定所述取晶区域内的所有芯片的Y坐标；
[0021]根据X坐标和Y坐标，确定取晶区域内的芯片的取晶坐标(x1，y1)。
[0022]在一些可能实现的方式中，沿X方向，相邻的2排所述吸附孔之间的距离为a个X方向单位长度；沿Y方向，相邻的2列所述吸附孔之间的距离为b个Y方向单位长度；其中，a≥1，b≥1，且a、b均为自然数。
[0023]在一些可能实现的方式中，在将所吸取的N
×
M个芯片一次搬运至引线框架上之后，还包括以下步骤：
[0024]若a＝1、b＝1，则根据各个芯片的坐标(x1，y1)，将晶圆沿着与X方向相反的方向移动N个X方向单位长度，再驱动吸嘴结构平移移动，再次一次性吸取取晶区域内的N
×
M个芯片；
[0025]并根据固晶区域内的固晶坐标(x2，y2)，驱动吸嘴结构平移移动，以将所吸取的N
×
M个芯片再一次搬运至引线框架上；
[0026]若a＞1、b＞1，则根据各个芯片的坐标(x1，y1)，将晶圆沿着与X方向相反的方向移动1个X方向单位长度，再驱动吸嘴结构平移移动，再次一次性吸取取晶区域内的N
×
M个芯片；
[0027]并根据固晶区域内的固晶坐标(x2，y2)，驱动吸嘴结构平移移动，以将所吸取的N
×
M个芯片一次搬运至引线框架上。
[0028]在一些可能实现的方式中，还包括以下步骤：
[0029]通过相机来选定所述取晶区域以及所述固晶区域。
[0030]在一些可能实现的方式中，还包括以下步骤：
[0031]在晶圆上选定取晶区域之前，将晶圆粘贴于一紫外失粘膜上；
[0032]并在吸嘴结构吸取芯片之前，通过紫外激光照射紫外失粘膜，使紫外失粘膜失去粘性。
[0033]在一些可能实现的方式中，晶圆粘贴于紫外失粘膜的上表面，紫外激光布置于紫外失粘膜的下方，并且紫外激光对紫外失粘膜执行定点照射。
[0034]在一些可能实现的方式中，在将所吸取的N
×
M个芯片一次搬运至引线框架之前，还包括以下步骤：
[0035]对引线框架加热，并使引线框架的温度与芯片的焊接材料的温度接近。
[0036]在一些可能实现的方式中，在将所吸取的N
×
M个芯片一次搬运至引线框架之前，还包括以下步骤：
[0037]在引线框架的位置补充氮气，并将氮气加热，使氮气的温度与引线框架的温度之
差在
‑
30℃之内。
[0038]在一些可能实现的方式中，还包括以下步骤：
[0039]根据第二个平面直角坐标系X2‑
O2‑
Y2，沿着第二个平面直角坐标系X2‑
O2‑
Y2的X轴布置多个氮气输出口，并且氮气输出口所输出的氮气的温度沿第二个平面直角坐标系X2‑
O2‑
Y2的X方向，先逐级上升、在逐级下降。
[0040]本申请提出了一种矩阵固晶工艺，与现有技术相比，其有益效果在于：
[0041]在晶圆上选定取晶区域；根据取晶区域与晶圆上芯片的表面，建立第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1；根据第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1，确定取晶区域内的各个芯片的取晶坐标(x1，y1)；同样地，在引线框架上选定固晶区域；根据固晶区域、引线框架的表面以及各个芯片的坐标(x1，y1)，建立第二个平面直角坐标系X2‑
O2‑
Y2；根据第二个平面直角坐标系X2‑
O2‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种矩阵固晶工艺，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆上选定取晶区域；根据所述取晶区域与所述晶圆上芯片的表面，建立第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1；根据所述第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1，确定所述取晶区域内的各个所述芯片的取晶坐标(x1，y1)；在引线框架上选定固晶区域；根据所述固晶区域、所述引线框架的表面以及各个所述芯片的坐标(x1，y1)，建立第二个平面直角坐标系X2‑
O2‑
Y2；根据所述第二个平面直角坐标系X2‑
O2‑
Y2，确定所述固晶区域内的固晶坐标(x2，y2)；根据所述第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1及所有所述芯片的坐标，在取晶机构上设计一有N排M列个吸附孔的吸嘴结构，其中，N排所述吸附孔沿X方向排列，M列所述吸附孔沿Y方向排列，且N≥1，M≥1，N、M均为自然数；根据各个所述芯片的坐标(x1，y1)，驱动所述吸嘴结构平移移动，以实现一次吸取所述取晶区域内的N
×
M个芯片；根据所述固晶区域内的所述固晶坐标(x2，y2)，驱动所述吸嘴结构平移移动，以将所吸取的N
×
M个所述芯片一次搬运至所述引线框架上。2.根据权利要求1所述的矩阵固晶工艺，其特征在于，还包括以下步骤：在所述晶圆的表面选定一方形区域，作为所述取晶区域；以所述方形区域的一个顶点为原点、该顶点的2条直角边分别作为X轴、Y轴，建立所述第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1；以一个所述芯片的X方向上的长度以及X方向上该芯片与下一个芯片之间的距离之和，作为一个X方向单位长度；根据所述第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1以及所述X方向单位长度，确定所述取晶区域内的所有所述芯片的X坐标；以一个所述芯片的Y方向上的宽度以及Y方向上该芯片与下一个芯片之间的距离之和，作为一个Y方向单位长度；根据所述第一平面直角坐标系X1‑
O1‑
Y1以及所述Y方向单位长度，确定所述取晶区域内的所有所述芯片的Y坐标；根据所述X坐标和所述Y坐标，确定所述取晶区域内的所述芯片的所述取晶坐标(x1，y1)。3.根据权利要求2所述的矩阵固晶工艺，其特征在于，沿X方向，相邻的2排所述吸附孔之间的距离为a个所述X方向单位长度；沿Y方向，相邻的2列所述吸附孔之间的距离为b个所述Y方向单位长度；其中，a≥1，b≥1，且a、b均为自然数。4.根据权利要求3所述的矩阵固晶工艺，其特征在于，在将所吸取的N
×
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郎欣林，罗会才，周诚，郭志坚，
申请(专利权)人：深圳市丰泰工业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：