一种芯片移动方法及装置制造方法及图纸

本申请涉及一种芯片移动方法及装置，所述方法包括：移动所述气体操作头且使所述操作工作面对准待转移芯片；控制所述至少一个气口的位置与对应待转移芯片的相对准；控制气压装置抽取所述气体操作头的腔体结构内的气体，以使所述至少一个气口吸附对应的所述待转移芯片；移动所述气体操作头至待转移芯片的目标区域。该方法在芯片转移过程中，可以对芯片的位姿(即X轴或Y轴的角度)进行精准调节，进而可以提高固晶的精度。高固晶的精度。高固晶的精度。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片移动方法及装置


[0001]本申请涉及芯片加工领域，尤其涉及一种芯片移动方法及装置。

技术介绍

[0002]Micro LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。
[0003]芯片装的过程中，需要将LED晶体薄膜无需封装直接搬运到驱动背板上，在μLED的生产上，要把数百万甚至数千万颗微米级的LED晶粒正确且有效率的移动到电路基板上，以一个4K电视为例，需要转移的晶粒就高达2400万颗(以4000x 2000x RGB三色计算)，即使一次转移1万颗，也需要重复2400次，这种技术叫做巨量转移。巨量转印设备是实现三基色Micro
‑
LED芯片集成制造的关键。
[0004]但现有的转移芯片的固晶设备在移动芯片上，仅仅可以实现屏幕移动，在芯片移动后，无法保证芯片与固晶位置的XY坐标精度的匹配，进而导致固晶的精度角度。

技术实现思路

[0005]为了解决现有技术中固晶精度低的问题，本申请提供了一种芯片移动方法及装置。
[0006]第一方面，本申请提供了一种芯片移动方法，应用于包含气体操作头和气压装置的芯片移动系统，其中，所述气体操作头包括：内部为中空的腔体结构的操作头主体，所述操作头主体上设置有与腔体结构相连通的气体通道；所述操作头主体上设置有操作台，所述操作台上设置有操作工作面，所述操作工作面上设置有至少一个气口，且所述气口与腔体结构相连通，所述气压装置与腔体结构相连通，所述方法包括：
[0007]移动所述气体操作头且使所述操作工作面对准待转移芯片；
[0008]控制所述至少一个气口的位置与对应待转移芯片的相对准；
[0009]控制气压装置抽取所述气体操作头的腔体结构内的气体，以使所述至少一个气口吸附对应的所述待转移芯片；
[0010]移动所述气体操作头至待转移芯片的目标区域。
[0011]第二方面提供了一种芯片移动控制装置，所述控制装置应用于采用包含气体操作头和气压装置的芯片移动系统，其中，所述气体操作头包括：内部为中空的腔体结构的操作头主体，所述操作头主体上设置有与所述腔体结构相连通的气体通道；所述操作头主体上设置有操作台，所述操作台上设置有操作工作面，所述操作工作面上设置有至少一个气口，且所述气口与所述腔体结构相连通，所述气压装置与所述腔体结构相连通，所述控制装置包括：
[0012]吸附头移动机构，用于移动气体操作头且使操作工作面对准待转移芯片；
[0013]所述吸附头移动机构，还用于控制至少一个气口的位置与对应待转移芯片的相对
准；
[0014]气压控制器，用于控制气压装置抽取所述气体操作头的腔体结构内的气体，以使所述至少一个气口吸附对应的所述待转移芯片；
[0015]所述吸附头移动机构，还用于移动气体操作头至待转移芯片的目标区域。
[0016]第三方面，本申请实施例提供了一种芯片移动系统，包括：气体操作头、气压装置和如第二方面任一实施例所述的芯片移动控制装置，其中：
[0017]所述气体操作头包括：内部为中空的腔体结构的操作头主体，所述操作头主体上设置有与所述腔体结构相连通的气体通道；所述操作头主体上设置有操作台，所述操作台上设置有操作工作面，所述操作工作面上设置有至少一个气口，且所述气口与所述腔体结构相连通；
[0018]所述气压装置与所述腔体结构相连通；
[0019]所述芯片移动装置包括：用于控制所述气体操作头移动的吸附头移动机构和用于控制气压装置抽气或充气的气压控制器。
[0020]本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
[0021]本申请实施例提供的该方法，在利用吸附装置吸附多个目标芯片时，可以对吸附装置的位姿进行调整，进而实现吸附装置与多个目标芯片之间的相对位置可以调整，并且，在吸附装置将多个目标芯片移动到第二膜上时，还可以通过吸附装置调整多个目标芯片姿态，也即调整多个目标芯片与第二膜的相对位置。因此，该方法在芯片转移过程中，可以对芯片的位姿(即X轴或Y轴的角度)进行精准调节，进而可以提高固晶的精度。
附图说明
[0022]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本申请实施例提供的气体操作头的一种结构示意图；
[0025]图2为本申请实施例提供的气体操作头的另一种结构示意图；
[0026]图3是图1的侧视图；
[0027]图4
‑
图7是图1中A部分的放大视图的多种示意图；
[0028]图8是图3中B部分的放大视图的多种示意图；
[0029]图9
‑
13为本申请实施例提供的一种气体操作头的多个结构示意图；
[0030]图14
‑
19为本申请实施例提供的另二种气体操作头的多个结构示意图；
[0031]图20为本申请实施例提供的一种芯片移动方法的流程示意图；
[0032]图21为本申请实施例提供的一种芯片移动系统的结构示意图。
具体实施方式
[0033]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是
本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0034]图1为本申请实施例提供的气体操作头的一种结构示意图；图2本申请实施例提供的气体操作头的另一种结构示意图；图3是图1的侧视图；图4
‑
图7是图1中A部分的放大视图的多种示意图。参见图1
‑
7所示，在本申请实施例中，该气体操作头100包括：操作头主体101，操作头主体101为内部中空的主体腔体，主体腔体四周为腔壁。
[0035]在本申请实施例中，操作头主体101可以为一体成型结构，也可以是焊接成型。通常情况下考虑到结构强度，一般采用一体成型方式获取得到。操作头主体101的材料可以为金属，例如：钢、合金等，也可以为非金属材料，包括：有机材料和无机材料，其中，无机材料可以包括：玻璃或陶瓷等。
[0036]在操作头主体101上还可以设置有气体通道，气体通道的作用是将所述主体腔体内部空间与外界相连通，以便通过气体通道对主体腔体的内部空间进行抽气(也可以称为吸气)或充气(也可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片移动方法，其特征在于，应用于包含气体操作头和气压装置的芯片移动系统，其中，所述气体操作头包括：内部为中空的腔体结构的操作头主体，所述操作头主体上设置有与腔体结构相连通的气体通道；所述操作头主体上设置有操作台，所述操作台上设置有操作工作面，所述操作工作面上设置有至少一个气口，且所述气口与腔体结构相连通，所述气压装置与腔体结构相连通，所述方法包括：移动所述气体操作头且使所述操作工作面对准待转移芯片；控制所述至少一个气口的位置与对应待转移芯片的相对准；控制气压装置抽取所述气体操作头的腔体结构内的气体，以使所述至少一个气口吸附对应的所述待转移芯片；移动所述气体操作头至待转移芯片的目标区域。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在移动所述气体操作头至待转移芯片的目标区域过程中，控制所述气压装置对所述腔体结构持续抽取气体。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在移动所述气体操作头至待转移芯片的目标区域后，控制所述气压装置停止对所述腔体结构抽取气体。4.根据权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在移动所述气体操作头至待转移芯片的目标区域后，控制气压装置向所述气体操作头的腔体结构内进行一次充气，以使所述至少一个气口与吸附的待转移芯片脱离。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在控制气压装置向所述气体操作头的腔体结构内进行一次充气后，控制所述气体操作头从所述目标区域移开；在吸附头从目标区域移开后，控制所述气压装置向气体操作头的腔体结构内进行二次充气，且所述二次充气的充气速率大于所述一次充气的充气速率。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在移动所述气体操作头且使所述操作工作面对准待转移芯片之前，控制气压装置向所述气体操作头的腔体结构内充气。7.一种芯片移动控制装置，其特征在于，所述控制装置应用于采用包含气体操作头和气压装置的芯片移动系统，其中，所述气体操作头包括：内部为中空的腔体结构的操作头主体，所述操作头主体上设置有与所述腔体结构相连通的气体通道；所述操作头主体上设置有操作台，所述操作台上设置有操作工作面，所述操作工作面上设置有至少一个气口，且所述气口与所述腔体结构相连通，所述气压装置与所述腔体结构相连通，所述控...

【专利技术属性】
技术研发人员：郎欣林，罗会才，周诚，
申请(专利权)人：深圳市丰泰工业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：