本发明涉及一种晶圆薄膜材料厚度测量设备及方法，其中测量设备包括：照明模块，其被配置为产生均匀的光束以对晶圆进行照明；物镜，用于将照明光束、测量光束或激光垂直入射晶圆表面；分光模块，其被配置为分光束与合光束；测量光源模块，其被配置为产生直...

本发明属于半导体制造技术领域，提出一种晶圆检测方法及设备。该方法包括下列步骤：由夹持装置夹持固定晶圆的边缘；由动力装置旋转并且带动所述晶圆旋转，其中所述动力装置布置在所述晶圆的周围；由正面检测光机在晶圆上方的与所述晶圆平行的水平面上进行...

本技术涉及晶圆检测技术领域，提出一种晶圆集成检测装置。该装置包括：线扫相机，其布置在晶圆的上方；同轴光源，其布置在所述线扫相机的侧方，其被配置为使得第一光线在所述晶圆的表面反射后在所述线扫相机的传感器上成像以检测晶圆的位错缺陷；以及背光...

本技术涉及半导体设备技术领域，提出一种晶圆固定切换装置，包括安装板，其被配置为放置晶圆；相机，其布置在安装板的上方，所述相机被配置为扫描所述晶圆；第一气缸，其布置在安装板上，其中述第一气缸被配置为伸出以使晶圆固定在第一位置，并且相机被配...

本实用新型涉及半导体设备技术领域，提出一种晶圆边缘检测装置，其特征在于，包括：光源，其被配置为射出第一光束；分光系统，其被配置为：将第一光束分为第二光束以及第三光束；使第二光束沿第一光路射向晶圆的侧边边缘并且进入相机；以及使第三光束沿第...

本发明提供的一种晶圆缺陷检测系统及方法，通过采用独特的光源设计，匹配最优的光线采集器和光线检测通道，可以有效提取晶圆不同缺陷的近紫外、近红外和可见光光波段能量以及特征光谱，进而有效检测碳化硅基底和外延缺陷，识别缺陷并准确分类，追溯缺陷的...

本实用新型涉及半导体制造技术领域，提出一种晶圆卡盘，包括：卡盘主体，其上设有安装槽，其中所述安装槽被配置为容纳晶圆；以及多个垫块，其布置在所述安装槽的边缘处，所述垫块被配置为承载并且固定晶圆，其中所述垫块的高度是可调节的。本实用新型通过...

本实用新型涉及半导体制造技术领域，提出一种夹持式预对准平台，包括：旋转平台，其包括：平台主体，其被配置为承载晶圆并且带动晶圆旋转；以及夹持装置，其布置在所述平台主体的侧面，所述夹持装置被配置为夹持所述晶圆的侧面。本实用新型通过气缸推动夹...

本实用新型涉及半导体制造技术领域，提出一种晶圆边缘固定装置，包括：基板，其设置有空腔，其中晶圆布置在所述空腔处；多个托条，其布置在所述空腔的边缘处，其中所述托条与所述晶圆的边缘接触并且托载所述晶圆；多个夹持装置，其布置在所述空腔的边缘处...

本实用新型属于半导体制造技术领域，提出一种晶圆检测设备，包括：动力装置，其布置在晶圆的周围，其中所述动力装置是可旋转的；夹持装置，其与所述动力装置连接，其中所述夹持装置被配置为夹持固定所述晶圆的边缘以使所述动力装置在旋转时带动所述晶圆旋...

本实用新型涉及半导体制造技术领域，提出一种晶圆定位托盘，包括主体，其上具有圆形空腔；以及多个齿，其布置于所述圆形空腔的边缘处，所述齿包括：齿面；以及定位台阶，其包括：台阶表面，其被配置为承载晶圆；以及邻接面，其将所述齿面与所述台阶表面连...

本实用新型涉及半导体制造技术领域，提出一种晶圆卡盘调节设备，包括：底板；晶圆卡盘，其布置于所述底板上；以及调节装置，其布置在所述晶圆卡盘的边缘处，其中所述调节装置被配置为调节所述晶圆卡盘的边缘处的高度。其中在晶圆卡盘的边缘处布置多个调节...

本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种集成式外延系统。该系统包括反应腔室，其被配置为在衬底上生成外延层；以及集成式光谱分析仪，其尺寸与所述反应腔室的尺寸相配合，所述集成式光谱分析仪被配置为对所述外延层进行在线测量。在线测量。在线测量。

本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种用于测量外延片的外延层厚度的载物台及系统。所述载物台包括卡盘，其被配置为布置外延片；以及凸台，其与卡盘连接并从卡盘伸出，其中所述凸台被配置为容纳参考片。述凸台被配置为容纳参考片。述凸台被配置为容纳参...

本发明涉及半导体技术领域，提出一种测量外延片的外延层厚度的方法，该方法为使用内置参考片测量方法(FROC，Fixed Reference On Chuck)，其中包括下列步骤：在载物台上布置外延片，其中所述载物台包括卡盘以及凸台，所述凸...