本发明公开了一种新型的碳化硅衬底抛光片加工方法，包括如下步骤：S1、备料：准备碳化硅单晶晶锭；S2、全自动线切割，S3、全自动倒角，S4、全自动双面磨削，S5、全自动C面单面化学初抛，S6、全自动Si面单面化学初抛，S7、全自动单面化学...

本发明公开了一种新型结构的晶片外延托盘，属于半导体加工技术领域，包括托盘主体，所述托盘主体的内腔设置有晶片主体，所述托盘主体内腔的底部设置有多组晶片支撑柱，所述晶片主体位于晶片支撑柱的上方，本发明通过在托盘主体的内腔中设置晶片支撑环，方...

本发明公开了一种新型的SC1清洗工艺，S1、SC1槽‑1#：将半导体晶片浸泡在预热的SC1槽‑1#内的溶液中，一般温度为30‑80摄氏度，SC1溶液的成分通常为高纯度的氨水、双氧水和纯水混合物，在这个溶液中，有机和无机污染物会被氧化和去...

本发明公开了一种通过AI识别判断硅晶片是否放置错位及数量读取设备，包括用于支撑整个设备的支架；还包括检测机构，所述检测机构包括控制箱和显示屏，所述控制箱的底部一体成型焊接有底架，所述底架的底部对称设置有四组用于放置在支撑台上的脚撑；所述...

本发明公开了一种薄膜及其制备工艺，包括如下步骤：S1、准备基底；S2、准备激光材料：选用高纯石英粉末作为激光材料；S3、激光熔覆：在激光熔覆头上喷射高纯石英粉末，并适当控制激光功率，照射在硅片表面，即可在硅片表面熔覆一层1000埃米‑2...

本发明公开了一种新型半导体抛光液配制方法，包括如下步骤：S1、管路连接，S2、确定抛光液的浓度，S3、使抛光液原浆与去离子水流向静态混合器内开始混合；S4、去除抛光液中可能存在的杂质和颗粒，S5、通过供应系统将抛光液输送至抛光台中的抛光...

本发明涉及精密研磨技术领域，公开了一种新型研磨盘，包括研磨筒、下研磨盘和上研磨盘，所述下研磨盘的下表面固定连接有底轴，且底轴的下端贯穿研磨筒底部；通过上研磨盘、下研磨盘、上磨盘涂层和下磨盘涂层之间的配合，上研磨盘与下研磨盘的转动方向相反...

本发明公开了一种新型结构的硅单晶抛光片，包括Si单晶抛光片、高温热氧化层和低温热氧化层，所述高温热氧化层位于Si单晶抛光片和低温热氧化层之间，所述Si单晶抛光片在APCVD工序长低温热氧化层前，先在LPCVD机台长一层高温热氧化层SiO...

本发明提供了一种新型半导体研磨方法及磨片机。该新型半导体研磨方法包括：利用第一研磨件将待研磨半导体晶片研磨掉第一厚度，其中第一研磨件研磨时与待研磨半导体晶片滑动摩擦；利用第二研磨件将待研磨半导体晶片研磨掉第二厚度从而成型半导体晶片，其中...

本发明公开了一种新型石英坩埚，包括用于CZ法长晶的石英坩埚锅体和位于锅体内的用于长晶的硅熔汤，所述锅体内放置有晶种棒；所述锅体包括锅底和锅底上的锅壁，所述锅壁围绕锅底设置且与锅底一体成型，所述锅壁呈上小下大的圆套状设置。通过在锅底上一体...

本发明属于CMP化学机械抛光技术领域，公开了一种新型的抛光布及其制造方法，所述新型的抛光布，包括抛光布本体，其特征在于：所述抛光布本体包括基层和外层，所述基层主要由尼龙纤维丝和碳纤维丝层交错缠绕制成，所述外层为尼龙纤维丝与碳纤维丝间隙中...

本发明公开了一种新型半导体CMP抛光方法，基于复合型CMP流水线，所述复合型CMP流水线包括粗抛设备、复合兼有粗抛和中抛功能的CMP设备和精抛设备，所述粗抛设备与CMP设备连通，所述CMP设备与精抛设备连通；本发明通过复合型CMP流水线...

本发明公开了一种新型CMP抛光工艺，包括如下步骤：S1、在抛光液储存容器的外部增加一个夹套，S2、结合抛光台上原有的温控系统，根据不同的晶片抛光工艺以及不同的抛光液和抛光布组合，调整夹套中热水和冷水的配比，进而调整抛光液的温度曲线；S3...

本发明公开了一种新型的RCA清洗机HARD CLEAN工艺，HARD CLEAN程序包括：热处理前清洗、多晶前清洗、背封前清洗、抛光前清洗、抛光后清洗和最终清洗，通过HARD CLEAN程序从每两个月执行一次调整为每个月执行一次，每次滤...

本申请涉及化学机械抛光机，包括抛头和抛光布，抛头上固定有一个或多个修整装置，所述的修整装置包括底座、保持机构和刷头，所述的底座固定于抛头的侧面，保持机构用于在抛头与抛光布配合进行抛光时，将刷头的前端保持于抛光布的表面进行擦刷。本申请的化...

本实用新型公开了一种用于抛光布清洁修整的治具，包括圆盘，所述圆盘上设有用于修整抛光布的修整部件，所述修整部件包括至少三组砂轮，所述砂轮的直径小于圆盘的直径，所述砂轮在圆盘上呈周向均匀布置，所述圆盘的另一侧表面的中心位置设有用于连接抛光机...

本实用新型公开了一种用于半导体工厂空压机废热回收装置，属于半导体加工技术领域，包括安装座，所述安装座的顶部从左至右均依次安装有空压机本体、热循环锅炉和中央空调主机，所述空压机本体的一侧从上至下均依次开设有连接口，通过设置回流管的作用能够...

本实用新型公开了一种金刚线切片装置，包括基座，所述基座的上表面固定有垫座，所述垫座的上方放置有圆柱形晶棒，所述基座的一侧安装有晶棒的定位机构，所述定位机构的一侧设置有安装板，所述安装板的一侧安装有供晶棒切面定向的定向组件，所述晶棒的另一...

本申请涉及卧式LPCVD工艺炉和方法，LPCVD工艺炉中包括悬臂和弥散管，所述的弥散管具有一个或多个竖管部，竖管部上开设有出气孔，竖管部被设置在悬臂放置晶舟位置的两侧；LPCVD方法为在该卧式LPCVD工艺炉的悬臂上，沿炉管长度方向放置...

本实用新型涉及硅片卸片机，属于硅片抛光技术技术领域，解决了目前的硅片卸片机在对陶瓷盘进行卸片后容易划伤硅片背面，导致硅片的品质降低的技术问题。该硅片卸片机包括硅片卸片机本体，具有滑道，滑道具有进料端和出料端，滑道用于运送卸载的硅片，放置...