【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，具体为一种新型结构的晶片外延托盘。
技术介绍
1、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
2、目前业内晶片外延托盘，主流机台为了采用伯努利原理自动取放片。晶片放在托盘里中，晶片背面与托盘不是无缝接触(伯努利机械手取放片时，背面需要与无尘室室内环境通气)，靠大量均布的支撑柱将晶片托起，晶片背面最边上一圈超过50％区域腾空，极易在外延过程与反应气体接触，外延过程形成硅渣sn。
3、这些硅渣导致硅片背面平整度恶化，后道客户光刻时会聚焦不良，形成散焦defocus导致晶片报废，外延层厚度越厚，硅渣问题越严重，随5g和新能源对igbt电路的需求越来越多，epi外延厚度也随之越来越厚，传统伯努利原理结构外延托盘容易产生硅渣sn，无法满足igbt领域的衬底需求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种新型结构的晶片外延托盘，利用晶片支撑环对晶片主体底部的边缘处进行支撑，防止晶片主体在外延过程中形成硅渣，同时在晶片支撑环的表面四周开设气道，起到将气槽与环形气沟连通的目的，方便使用伯努利式吸盘对晶片主体进行取放片，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型结构的晶片外延托盘，包括托盘主体，所述托盘主体的内腔设置有晶片主体，所述托盘主体内腔的底部设置有多组晶片支撑柱，所述晶片主体位于晶片支撑柱的
3、优选的，所述晶片支撑柱等距阵列式分布于托盘主体内腔的底部，所述气槽相互垂直交错连通。
4、优选的，所述晶片支撑柱与晶片支撑环的高度相同，所述晶片主体底部的面积位于晶片支撑环外圆面积与内圆面积之间。
5、优选的，所述晶片支撑柱位于晶片支撑环的内侧，所述气道的宽度大于气槽的宽度。
6、优选的，所述晶片主体的底部附着有薄膜保护层，所述薄膜保护层的直径与晶片主体底部半径相同。
7、优选的，所述晶片主体的边缘呈圆弧状设置，所述晶片主体的顶部与托盘主体的顶部齐平。
8、优选的，所述气道的高度小于晶片支撑环的高度，所述晶片支撑环的顶部形成闭合圆环。
9、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
10、1、本专利技术通过在托盘主体的内腔中设置晶片支撑环，方便对晶片主体底部的边缘进行支撑，防止晶片主体直接在晶片支撑柱的支持下，导致晶片主体底部的边缘处一半以上的区域处于裸露状态，利用晶片支撑环将晶片主体底部边缘处的大部分区域进行托起，防止晶片主体在外延过程中形成硅渣，影响后期的加工，导致晶片主体报废，同时在晶片支撑环的四周开设气道，使气槽与环形气沟连通，保障伯努利式吸盘可以顺利的对晶片主体进行取放片。
11、2、本专利技术通过对晶片支撑柱与晶片支撑环高度的设置，方便保障晶片主体在托盘主体内保持平衡，防止破坏晶片主体整体的外形，同时对晶片支撑环尺寸进行限定，方便保障对晶片主体底部的边缘处进行支撑。
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1.一种新型结构的晶片外延托盘，包括托盘主体(1)，其特征在于：所述托盘主体(1)的内腔设置有晶片主体(2)，所述托盘主体(1)内腔的底部设置有多组晶片支撑柱(3)，所述晶片主体(2)位于晶片支撑柱(3)的上方，所述托盘主体(1)内腔的底部设置有晶片支撑环(4)，所述晶片支撑环(4)与托盘主体(1)内壁之间形成环形气沟(5)，所述晶片支撑柱(3)之间形成气槽(6)，所述晶片支撑环(4)的四周开设有气道(7)，所述气道(7)的两端分别与气槽(6)和环形气沟(5)连通。
2.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片支撑柱(3)等距阵列式分布于托盘主体(1)内腔的底部，所述气槽(6)相互垂直交错连通。
3.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片支撑柱(3)与晶片支撑环(4)的高度相同，所述晶片主体(2)底部的面积位于晶片支撑环(4)外圆面积与内圆面积之间。
4.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片支撑柱(3)位于晶片支撑环(4)的内侧，所述气道(7)的宽度大于气
5.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片主体(2)的底部附着有薄膜保护层(8)，所述薄膜保护层(8)的直径与晶片主体(2)底部半径相同。
6.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片主体(2)的边缘呈圆弧状设置，所述晶片主体(2)的顶部与托盘主体(1)的顶部齐平。
7.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述气道(7)的高度小于晶片支撑环(4)的高度，所述晶片支撑环(4)的顶部形成闭合圆环。
...【技术特征摘要】
1.一种新型结构的晶片外延托盘，包括托盘主体(1)，其特征在于：所述托盘主体(1)的内腔设置有晶片主体(2)，所述托盘主体(1)内腔的底部设置有多组晶片支撑柱(3)，所述晶片主体(2)位于晶片支撑柱(3)的上方，所述托盘主体(1)内腔的底部设置有晶片支撑环(4)，所述晶片支撑环(4)与托盘主体(1)内壁之间形成环形气沟(5)，所述晶片支撑柱(3)之间形成气槽(6)，所述晶片支撑环(4)的四周开设有气道(7)，所述气道(7)的两端分别与气槽(6)和环形气沟(5)连通。
2.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片支撑柱(3)等距阵列式分布于托盘主体(1)内腔的底部，所述气槽(6)相互垂直交错连通。
3.根据权利要求1所述的一种新型结构的晶片外延托盘，其特征在于：所述晶片支撑柱(3)与晶片支撑环(4)的高度...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖一，赵叶红，马轶阳，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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