一种新型的SC1清洗工艺制造技术

技术编号：40596885 阅读：5 留言：0更新日期：2024-03-12 21:59

本发明专利技术公开了一种新型的SC1清洗工艺，S1、SC1槽‑1#：将半导体晶片浸泡在预热的SC1槽‑1#内的溶液中，一般温度为30‑80摄氏度，SC1溶液的成分通常为高纯度的氨水、双氧水和纯水混合物，在这个溶液中，有机和无机污染物会被氧化和去除，以及去除氧化硅层。本发明专利技术相较传统SC1清洗工艺，新recipe节约一个18兆纯水清洗槽，晶片从热处理→长多晶→背封→CMP抛光配套RCA清洗机(一般一条线至少配套6台RCA清洗机，共6组SC1标准的recipe)，每一台均可节约一个18兆纯水清洗槽。但不影响清洗后产品的品质。每台RCA清洗机每月节约700余吨18兆纯水，一条线6台RCA清洗机每月共可节约4200吨18兆纯水，从而降低水源的损耗。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子晶片rca清洗，更具体地说，尤其涉及一种新型的sc1清洗工艺。

技术介绍

1、半导体晶片是一种关键的电子元件，广泛应用于各种电子设备。而晶片是指一块或多块半导体材料上制造的集成电路。它是由多个微型电子元件(如晶体管、电阻、电容等)以及其它被设计成所需功能的电子元件集合在一起，通过各种工艺在同一半导体基质上制造而成。晶片广泛应用于各种电子设备中，如计算机、手机、平板电脑、电视、汽车电子等。它的小体积和高度集成的特点使得设备可以更高效、更稳定地运行，并且节省了空间和能源消耗。目前半导体晶片的清洗机，大多采用标准的rca清洗技术。机台要用到sc1清洗工艺。

2、然而，由于现有的清洗工艺，每组有两个独立的化学液槽和两个18兆纯水槽，其中平均每个18兆纯水槽的月均纯水用量，每月消耗18兆纯水700余吨，一组sc1 recipe则每月消耗18兆纯水1400余吨。对应能源消耗和纯水制备系统压力大，且也耗费大量的水源，造成损耗。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，本专利技术通过节约一个18兆纯水清洗槽，晶片从热处理→长多晶→背封→cmp抛光配套rca清洗机，每一台均可节约一个18兆纯水清洗槽。但不影响清洗后产品的品质。每台rca清洗机每月节约700余吨18兆纯水，一条线6台rca清洗机每月共可节约4200吨18兆纯水，从而降低水源的损耗；而提出的一种新型的sc1清洗工艺。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：</p>

3、一种新型的sc1清洗工艺，包括如下步骤：

4、s1、sc1槽-1#：将半导体晶片浸泡在预热的sc1槽-1#内的溶液中，一般温度为30-80摄氏度，sc1溶液的成分通常为高纯度的氨水、双氧水和纯水混合物，在这个溶液中，有机和无机污染物会被氧化和去除，以及去除氧化硅层；

5、s2、同时，通过设置sc1槽-2#与s2中sc1槽-1#的的作用一样，也是对半导体晶片进行浸泡，去除半导体晶片上的有机和无机污染物，以及去除氧化硅层；

6、s3、冲洗：在sc1清洗后，半导体晶片需要进行彻底的冲洗，以去除残留的清洗剂和污染物，通常使用纯水槽进行冲洗步骤；

7、s4、最后，将清洗后的半导体晶片存放到设置的sc2槽内。

8、优选的，所述s1中半导体晶片放入到sc1槽-1#内，通过sc1槽-1#内的氨水、双氧水和纯水混合物对半导体晶片进行浸泡，而氨水是氨气溶解在水中得到的溶液，双氧水是过氧化氢溶解在水中得到的溶液，纯水是经过处理去除了杂质的水；它们之间混合时，混合液的性质根据混合物的成分和比例来决定，由于氨水和双氧水都是化学品，混合时需要注意安全操作并遵循相应的安全规定。

9、优选的，所述s2中的sc1槽-2#与s1中的sc1槽-1#的的作用一样，主要提高半导体晶片去除有机与无机污染物的作用，并且，也提高半导体晶片清洗的效率。

10、优选的，所述s3中的纯水槽在对s2与s1中浸泡后的半导体晶片清洗时，通过一组纯水槽对半导体晶片进行清洗，而纯水槽的步骤：

11、准备纯水槽：确保纯水槽干净，没有污染物和残留物，如果有必要，先进行对纯水槽的清洗和消毒，以确保纯水槽内部的卫生；

12、准备纯净水：使用高纯度的去离子水，用于晶片的清洗，提高晶片清洗的质量；

13、将晶片放入纯水槽中：将需要清洗的晶片轻轻放入纯水槽中，确保晶片完全浸湿，并避免产生气泡；

14、清洗过程：在纯水槽中冲洗晶片，利用纯水的流动来冲洗晶片表面的杂质和污染物，然后，在纯水槽中轻轻摇晃晶片，以帮助半导体晶片清除表面污染物；

15、冲洗与烘干：清洗完成后，将晶片从纯水槽中取出，用清洁的去离子水对其进行冲洗，确保将冲洗液中的杂质和残留物洗净，随后，使用干净的氮气将晶片轻轻吹干，避免残留水分对晶片造成损坏。

16、优选的，所述s3中纯水槽在对半导体晶片清洗完成后，检查清洗后的晶片表面是否干净、无污染物和残留，如果发现有异物，在需要的情况下进行二次清洗，确保晶片的品质和干净度。

17、优选的，所述s4中半导体晶片在清洗与检查后，直接放入到sc2槽内进行存放，然后，循环操作后续半导体晶片清洗过程。

18、本专利技术的技术效果和优点：本专利技术提供的一种新型的sc1清洗工艺，与现有技术相比：

19、本专利技术相较传统sc1清洗工艺，新recipe节约一个18兆纯水清洗槽，晶片从热处理→长多晶→背封→cmp抛光配套rca清洗机(一般一条线至少配套6台rca清洗机，共6组sc1标准的recipe)，每一台均可节约一个18兆纯水清洗槽。但不影响清洗后产品的品质。每台rca清洗机每月节约700余吨18兆纯水，一条线6台rca清洗机每月共可节约4200吨18兆纯水，从而降低水源的损耗。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型的SC1清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种新型的SC1清洗工艺，其特征在于：所述S1中半导体晶片放入到SC1槽-1#内，通过SC1槽-1#内的氨水、双氧水和纯水混合物对半导体晶片进行浸泡，而氨水是氨气溶解在水中得到的溶液，双氧水是过氧化氢溶解在水中得到的溶液，纯水是经过处理去除了杂质的水；它们之间混合时，混合液的性质根据混合物的成分和比例来决定，由于氨水和双氧水都是化学品，混合时需要注意安全操作并遵循相应的安全规定。

3.根据权利要求1所述的一种新型的SC1清洗工艺，其特征在于：所述S2中的SC1槽-2#与S1中的SC1槽-1#的的作用一样，主要提高半导体晶片去除有机与无机污染物的作用，并且，也提高半导体晶片清洗的效率。

4.根据权利要求1所述的一种新型的SC1清洗工艺，其特征在于：所述S3中的纯水槽在对S2与S1中浸泡后的半导体晶片清洗时，通过一组纯水槽对半导体晶片进行清洗，而纯水槽的步骤：

5.根据权利要求1所述的一种新型的SC1清洗工艺，其特征在于：所述S3中纯水槽在对半导体晶片清洗

6.根据权利要求1所述的一种新型的SC1清洗工艺，其特征在于：所述S4中半导体晶片在清洗与检查后，直接放入到SC2槽内进行存放，然后，循环操作后续半导体晶片清洗过程。

...

【技术特征摘要】

1.一种新型的sc1清洗工艺，其特征在于：包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种新型的sc1清洗工艺，其特征在于：所述s1中半导体晶片放入到sc1槽-1#内，通过sc1槽-1#内的氨水、双氧水和纯水混合物对半导体晶片进行浸泡，而氨水是氨气溶解在水中得到的溶液，双氧水是过氧化氢溶解在水中得到的溶液，纯水是经过处理去除了杂质的水；它们之间混合时，混合液的性质根据混合物的成分和比例来决定，由于氨水和双氧水都是化学品，混合时需要注意安全操作并遵循相应的安全规定。

3.根据权利要求1所述的一种新型的sc1清洗工艺，其特征在于：所述s2中的sc1槽-2#与s1中的sc1槽-1#的的作用一样，主要提高半导体晶片去除有机与无机...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖一，杨晟远，张为浩，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人