【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体为一种新型半导体抛光液配制方法。
技术介绍
1、半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料。
2、化学机械抛光(简称cmp)，又称化学机械平坦化(chemical mechanicalplanarization)，是提供超大规模集成电路(ulsi)制造过程中表面平坦化的一种新技术，可实现超精密无损伤表面加工，满足集成电路特征尺寸在0.35μm以下的全局平坦化要求，而抛光液在cmp过程中影响着化学作用与磨粒机械作用程度的比例，影响着抛光区域的温度，在很大程度上决定着cmp能获得的抛光表面质量和抛光效率。
3、传统半导体cmp抛光液配制工艺繁琐，需定制一整套复杂的配置及供应系统，配浆系统先将抛光液原液与diw(去离子水)配制(稀释)，然后输送到机台端的供应系统，机台端供应系统将混合后的抛光浆输送到抛光机台(抛光布上)。此过程抛光液中的球形研磨微粒sio2、al2o3、ceo2等(一般为10-140nm)很容易发生团聚，产生大颗粒和结晶，从而导致晶片在抛光过程表面划伤，因此我们需要提出一种新型半导体抛光液配制方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种新型半导体抛光液配制方法，通过在线蠕动泵输送抛光浆原浆，用静态混合器将抛光原液和diw混合，然后将混合后的抛光液输送抛光机台抛光布上方，供抛光过程使用，简化了抛光液配制及供应系统，大幅度减少抛光原液配制及供应系统中，球形研磨微粒sio2
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种新型半导体抛光液配制方法，包括如下步骤：
3、s1、管路连接：将蠕动泵的进液端连接在抛光液原浆桶内，蠕动泵的出液端连接在静态混合器的进水口上，且将去离子水桶与静态混合器的进水口连接；
4、s2、确定抛光液的浓度，并根据抛光液的浓度计算抛光液原浆与去离子水的比例；
5、s3、打开蠕动泵与静态混合器之间管路上的电磁阀以及去离子水桶与静态混合器之间管路上的电磁阀，使抛光液原浆与去离子水流向静态混合器内开始混合；
6、s4、抛光液原浆和去离子水在静态混合器内充分混合后，从静态混合器的出水口排出至过滤机构中，去除抛光液中可能存在的杂质和颗粒，确保抛光液的质量；
7、s5、配制完成的抛光液储存在密封容器中，并通过供应系统将抛光液输送至抛光台中的抛光布上，供抛光使用。
8、优选的，在s1中，所述抛光液原浆桶与蠕动泵之间通过第一管路连通，所述蠕动泵与静态混合器之间通过第二管路连通，所述去离子水桶与静态混合器之间通过第三管路连通。
9、优选的，所述第二管路上靠近静态混合器的一端外壁安装有第一电磁阀，所述第三管路上靠近静态混合器的一端外壁安装有第二电磁阀。
10、优选的，所述静态混合器包括外壳，所述外壳的两端均安装有起到密封连接作用的法兰盘，所述外壳的外壁上安装有贯穿外壳的加药管，所述外壳的内部安装有用于充分混合抛光液原浆和去离子水的螺旋混合板。
11、优选的，所述抛光液原浆桶和去离子水桶均设为保温保压桶，使得抛光液原浆和去离子水处于所需的工作温度和压力范围内。
12、优选的，所述抛光液原浆中含有磨料，所述磨料为球形研磨微粒sio2、al2o3、ceo2，所述球形研磨微粒sio2、al2o3、ceo2的粒径在10-140nm，所述球形研磨微粒sio2、al2o3、ceo2的规则形状有助于均匀分布在抛光液中，提高抛光效果的均匀性，可有效地去除表面的细小缺陷、划痕和氧化层，使表面更加光滑。
13、优选的，所述加药管用于向静态混合器中加入添加剂，所述添加剂为表面活性剂、ph调节剂和助剂；
14、所述表面活性剂用于调节抛光液的表面张力，并改善其润湿性，以便更好地与材料表面接触和磨削，常用的表面活性剂采用十二烷基苯磺酸钠、磺化聚乙烯醚、硬脂酸、烷基葡糖苷、脂肪酸甘油酯、脂肪酸山梨坦和聚山梨酯中的任意一种；
15、所述ph调节剂用于调节抛光液的酸碱度，以适应不同材料的加工要求，ph调节剂采用盐酸、硝酸、氨水以及氢氧化钠中的任意一种；
16、所述助剂可根据需要添加到抛光液中，以增强其抛光效果、润滑性和稳定性，所述助剂包括防锈剂、抗氧化剂、消泡剂中的一种或多种。
17、优选的，在s4中，所述过滤机构包括与静态混合器出水口连接的过滤箱，所述过滤箱的内部安装有多层可拆换的滤网，所述过滤箱的一侧下端还连接有与密封容器连通的排液管。
18、优选的，所述螺旋混合板包括若干个180°扭曲的固定螺旋叶片，且相邻两个固定螺旋叶片之间90°错位，即相邻两个固定螺旋叶片相连接的一端垂直设置。
19、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
20、本专利技术通过在线蠕动泵输送抛光浆原浆，用静态混合器将抛光原液和diw混合，然后将混合后的抛光液输送抛光机台抛光布上方，供抛光过程使用，简化了抛光液配制及供应系统，大幅度减少抛光原液配制及供应系统中，球形研磨微粒sio2、al2o3、ceo2等团聚风险，仅需每班纯水冲洗即可保持管路内无抛光浆结晶，减少抛光划伤，降低配制及供浆成本，减少无尘室占用面积。
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1.一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：在S1中，所述抛光液原浆桶(1)与蠕动泵(2)之间通过第一管路(5)连通，所述蠕动泵(2)与静态混合器(3)之间通过第二管路(6)连通，所述去离子水桶(4)与静态混合器(3)之间通过第三管路(7)连通。
3.根据权利要求2所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：所述第二管路(6)上靠近静态混合器(3)的一端外壁安装有第一电磁阀(8)，所述第三管路(7)上靠近静态混合器(3)的一端外壁安装有第二电磁阀(9)。
4.根据权利要求1所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：所述静态混合器(3)包括外壳(31)，所述外壳(31)的两端均安装有起到密封连接作用的法兰盘(32)，所述外壳(31)的外壁上安装有贯穿外壳(31)的加药管(33)，所述外壳(31)的内部安装有用于充分混合抛光液原浆和去离子水的螺旋混合板(34)。
5.根据权利要求1所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：所述抛光液原浆桶
6.根据权利要求1所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：所述抛光液原浆中含有磨料，所述磨料为球形研磨微粒SiO2、Al2O3、CeO2，所述球形研磨微粒SiO2、Al2O3、CeO2的粒径在10-140nm，所述球形研磨微粒SiO2、Al2O3、CeO2的规则形状有助于均匀分布在抛光液中，提高抛光效果的均匀性，可有效地去除表面的细小缺陷、划痕和氧化层，使表面更加光滑。
7.根据权利要求4所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：所述加药管(33)用于向静态混合器(3)中加入添加剂，所述添加剂为表面活性剂、PH调节剂和助剂；
8.根据权利要求1所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：在S4中，所述过滤机构包括与静态混合器(3)出水口连接的过滤箱(11)，所述过滤箱(10)的内部安装有多层可拆换的滤网(11)，所述过滤箱(10)的一侧下端还连接有与密封容器连通的排液管。
9.根据权利要求4所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：所述螺旋混合板(34)包括若干个180°扭曲的固定螺旋叶片，且相邻两个固定螺旋叶片之间90°错位，即相邻两个固定螺旋叶片相连接的一端垂直设置。
...【技术特征摘要】
1.一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：在s1中，所述抛光液原浆桶(1)与蠕动泵(2)之间通过第一管路(5)连通，所述蠕动泵(2)与静态混合器(3)之间通过第二管路(6)连通，所述去离子水桶(4)与静态混合器(3)之间通过第三管路(7)连通。
3.根据权利要求2所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：所述第二管路(6)上靠近静态混合器(3)的一端外壁安装有第一电磁阀(8)，所述第三管路(7)上靠近静态混合器(3)的一端外壁安装有第二电磁阀(9)。
4.根据权利要求1所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：所述静态混合器(3)包括外壳(31)，所述外壳(31)的两端均安装有起到密封连接作用的法兰盘(32)，所述外壳(31)的外壁上安装有贯穿外壳(31)的加药管(33)，所述外壳(31)的内部安装有用于充分混合抛光液原浆和去离子水的螺旋混合板(34)。
5.根据权利要求1所述的一种新型半导体抛光液配制方法，其特征在于：所述抛光液原浆桶(1)和去离子水桶(4)均设为保温保压桶，使得抛光液原浆和去离子水处于所需的工作温...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖一，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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