【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型半导体研磨方法及磨片机。
技术介绍
1、目前在硅片的生产过程中,需要对硅片表面进行打磨,清除切片过程及激光标识时产生的不同损伤。
2、现有半导体晶片研磨过程中，一般是将研磨砂通过磨盘上的通孔散布在硅片的表面，通过磨盘压迫硅片表面的研磨砂，从而对硅片的上、下两侧进行打磨。然而，现有大尺寸半导体晶片采用一步研磨到目标厚度的研磨工艺，研磨过程去厚速率低，成本高，研磨品质不佳。
技术实现思路
1、本专利技术的目的之一是为了克服现有技术中的至少一个不足，提供一种新型半导体研磨方法及磨片机。
2、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案实现：
3、根据本专利技术的第一方面，提供了一种新型半导体研磨方法。该新型半导体研磨方法包括：
4、利用第一研磨件将待研磨半导体晶片研磨掉第一厚度，其中第一研磨件研磨时与待研磨半导体晶片滑动摩擦；
5、利用第二研磨件将待研磨半导体晶片研磨掉第二厚度从而成型半导体晶片，其中第二研磨件研磨时与待研磨半导体晶片滚动摩擦。
6、可选地，所述第一研磨件包括无规则片状研磨砂；
7、所述无规则片状研磨砂的砂砾为无规则片状结构；
8、所述无规则片状研磨砂研磨待研磨半导体晶片时，其砂砾运动轨迹与待研磨半导体晶片滑动摩擦。
9、可选地，所述第二研磨砂包括多面球形研磨砂；
10、所述多面球形研磨砂的砂砾为多面球形结构；
11、所述
12、可选地，所述第一厚度和所述第二厚度之和为总研磨厚度；
13、所述第一厚度为所述总研磨厚度的30-70％；
14、所述第二厚度为所述总研磨厚度的70-30％。
15、可选地，所述待研磨半导体晶片厚度为8-12吋。
16、可选地，所述成型半导体晶片的片与片之间厚度thk离散为±2um。
17、可选地，所述成型半导体晶片的整体平整度ttv数据为0.5-1.2um。
18、可选地，所述成型半导体晶片的边缘塌边rolloff数据为0.3-0.8um。
19、可选地，在所述的利用第一研磨件将待研磨半导体晶片研磨掉第一厚度，之前还包括：提供磨片机，将待研磨半导体晶片安装在磨片机中；
20、所述的利用第一研磨件将待研磨半导体晶片研磨掉第一厚度，包括：
21、将第一研磨件放置于磨片机中；
22、启动磨片机，利用第一研磨件将待研磨半导体晶片研磨掉第一厚度；
23、所述的利用第二研磨件将待研磨半导体晶片研磨掉第二厚度从而成型半导体晶片，包括：
24、将第二研磨件放置于磨片机中；
25、启动磨片机，利用第二研磨件将待研磨半导体晶片研磨掉第二厚度从而成型半导体晶片。
26、根据本专利技术的第二方面，提供了一种磨片机。该磨片机包括：
27、驱动轴，所述驱动轴外周壁上固定设置有驱动齿轮；
28、下模盘，所述下磨盘可旋转套设在所述驱动轴上；所述下磨盘上表面上固定突出有凸环，所述凸环环绕所述驱动齿轮设置并与所述驱动齿轮径向间隔设置；所述凸环内周壁上固定设置有内齿轮；
29、载体，所述载体上设置有安装孔，用于容纳安装待研磨半导体晶片；所述载体可旋转设置在所述下磨盘上表面上，并位于所述凸环与所述驱动齿轮径向间隔空间中；所述载体外周壁上固定设置有外齿轮，所述外齿轮分别与所述驱动齿轮及所述内齿轮相啮合；多个所述载体沿所述下磨盘周向间隔设置；
30、上磨盘，所述上磨盘可拆卸放置在所述下磨盘上，并与所述下磨盘轴向间隔设置，且与所述安装孔内的半导体硅片上表面接触；所述上磨盘上设有彼此连通的磨料入口和磨料通道，用于供第一研磨件或者第二研磨件通过而进入至所述磨片机内部；所述磨料入口设置在所述上磨盘上表面，所述磨料通道的一端导通于所述所述磨料入口、另一端导通至所述上磨盘下表面；
31、所述上磨盘被配置为能被驱动沿第一方向转动，以研磨待研磨半导体晶片上表面；
32、所述驱动轴被配置为能驱动所述驱动齿轮沿第一方向转动，从而带动所述载体沿与第一方向相反的方向转动，进而带动所述凸环和所述下磨盘沿第一方向转动，以研磨待研磨半导体晶片下表面。
33、不同于现有技术，本专利技术提供的新型半导体研磨方法及磨片机中，通过组合利用第一研磨件和第二研磨件能分别对待研磨半导体晶片进行两步研磨，减少了研磨时间，成本降低。半导体晶片研磨后整体平整度ttv数据小，提升了ttv制程能力。边缘塌边rolloff数据小，提升了rolloff制程能力。半导体晶片研磨后的片与片之间厚度thk离散小，改善了半导体晶片的片与片之间厚度thk离散。晶片表面损伤层深度数据小，研磨后晶片形貌得到有效改善。研磨品质高。
34、通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
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1.一种新型半导体研磨方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
10.一种磨片机，其特征在于，所述磨片机包括：
【技术特征摘要】
1.一种新型半导体研磨方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的新型半导体研磨方法，其特征在于：
...【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖一，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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