一种新型的RCA清洗机HARD CLEAN工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种新型的RCA清洗机HARD CLEAN工艺，HARD CLEAN程序包括：热处理前清洗、多晶前清洗、背封前清洗、抛光前清洗、抛光后清洗和最终清洗，通过HARD CLEAN程序从每两个月执行一次调整为每个月执行一次，每次滤芯更换时，不再全部更换为全新滤芯，仅需最终出货前清洗机的第二个SC1系统和SC2系统更换全新滤芯，将换下来的滤芯也不抛弃，分别安装于前一个对应的SC1或SC2系统，依此逐级往前降级使用，仅抛弃热处理前清洗第一个SC1滤芯和SC2滤芯；相较传统HAED CLEAN工艺，新HARD CLEAN程序从每两个月执行一次调整为每个月执行一次，各清洗机台系统更洁净，每次执行时全新滤芯使用量从18支减少为2支，年度全新滤芯使用量从108支减少为24支；节约滤芯成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子晶片rca清洗，具体涉及一种新型的rca清洗机hardclean工艺。

技术介绍

1、半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明应用、大功率电源转换等领域应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种，rca清洗工艺是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,是去除硅片表面各类玷污的有效方法

2、目前半导体晶片的清洗机，大多采用标准的rca清洗技术。机台要用到sc1清洗液(氨水、双氧水和纯水混合液)，以及sc2清洗液(主要为稀盐酸、双氧水和纯水混合液)，清洗的主要目的是为了去除颗粒(主要依靠sc1)和金属(主要依靠sc2)。

3、但随着清洗次数和时间的推移，sc1和sc2清洗系统会越来越脏，晶片清洗后的表面质量也本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型的RCA清洗机HARD CLEAN工艺，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种新型的RCA清洗机HARD CLEAN工艺，其特征在于：所述在步骤1中，相较传统HAED CLEAN工艺，新HARD CLEAN程序从每两个月执行一次调整为每个月执行一次，HARD CLEAN程序包括：热处理前清洗、多晶前清洗、背封前清洗、抛光前清洗、抛光后清洗和最终清洗。

3.根据权利要求1所述的一种新型的RCA清洗机HARD CLEAN工艺，其特征在于：所述在步骤2中，SC1清洗液由NH4OH、H2O2和H2O组成，由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然...

【技术特征摘要】

1.一种新型的rca清洗机hard clean工艺，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种新型的rca清洗机hard clean工艺，其特征在于：所述在步骤1中，相较传统haed clean工艺，新hard clean程序从每两个月执行一次调整为每个月执行一次，hard clean程序包括：热处理前清洗、多晶前清洗、背封前清洗、抛光前清洗、抛光后清洗和最终清洗。

3.根据权利要求1所述的一种新型的rca清洗机hard clean工艺，其特征在于：所述在步骤2中，sc1清洗液由nh4oh、h2o2和h2o组成，由于h2o2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(sio2)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可用清洗液浸透。

4.根据权利要求3所述的一种新型的rca清洗机hard clean工艺，其特征在于：所述硅片表面的自然氧化层与硅片表面的si被nh4oh腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，在nh4oh腐蚀硅片表面的同时，h2o2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

5.根据权利要求4所述的一种新型的rca清洗机hard clean工艺，其特征在于：所述sc2清洗液由hcl、h2o2、和h2o组成，主要用于对硅片表面金属沾污的清洗，金属在溶液中的附着特性与ph值、金属诱生氧化物作用、氧化还原电位、负电性...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖一，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：