【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体cmp，具体涉及一种新型半导体cmp抛光方法。
技术介绍
1、半导体cmp技术是通过在半导体器件表面施加和化学反应来去除表面的杂质和不平整。传统半导体晶片cmp抛光工艺，一般分粗抛(去除前道工艺损伤层，一般抛去量13～30um，控制几何形貌ttv-总厚度变化、stir-局部平整度)、中抛(去除粗抛后表面微损伤层，一般抛去量0.3～0.5um)、精抛(去除中抛后表面微损伤层，一般抛去量0.1～0.3um，最终实现表面粗糙度ra＜0.1nm)三步，依不同产品型号和技术指标，采用3-5台抛光机作为一条标准cmp流水线，如下所示流水线：
2、a、基本型：1#粗抛→2#中抛→3#精抛
3、b、标准型：1#粗抛→2#粗抛→3#中抛→4#精抛
4、c、加强型：1#粗抛→2#粗抛→3#粗抛→4#中抛→5#精抛
5、其中粗抛一般采用mh聚氨酯发泡硬质抛布或suba800/600无纺布硬质抛布，搭配fujimi或nitahass、cabot粗抛浆；
6、中抛一般采用suba600/400无纺布硬质抛布或surfin聚氨酯多孔软质抛布，搭配fujimi或nitahass、cabot中抛浆；
7、精抛一般采用surfin聚氨酯多孔软质抛布，搭配fujimi或nitahass、cabot精抛浆；
8、如果抛光线建制时候采用a基本型cmp流水线，则粗抛只有1台设备，每抛一run产品：1#机需要耗时20-40分钟。2#3#设备去除量不多，一般10分钟左右，
9、如果抛光线建制时候采用b标准型或者c加强型cmp流水线，则需要多台粗抛抛光设备，投资金额和占地面积都需要更多，一般一台fk/sfm大型抛光机及配套浆液系统、机械手等投资需要500万人民币以上，占地需要10m2以上，建制产线成本增加，因此我们需要提出一种新型半导体cmp抛光方法来解决现有技术中存在的问题，使其节约了建制cmp抛光流水线的设备成本，又节约了占地面积。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种新型半导体cmp抛光方法，将粗抛和中抛功能复合在cmp设备一台设备上实现，既节约了建制cmp抛光流水线的设备投资成本，又节约了占地面积，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
3、一种新型半导体cmp抛光方法，基于复合型cmp流水线，所述复合型cmp流水线包括粗抛设备、复合兼有粗抛和中抛功能的cmp设备和精抛设备，所述粗抛设备与cmp设备连通，所述cmp设备与精抛设备连通，所述复合型cmp流水线对半导体进行抛光时，包括如下步骤：
4、s1、将半导体通过粗抛设备搭配粗抛浆进行粗抛，获得初抛品；
5、s2、将粗抛品采用cmp设备搭配粗抛浆先进行粗抛作业，达到粗抛过程目标去除量以后，再搭配中抛浆执行中抛recipe，获得中抛品；
6、s3、将中抛品搭配精抛浆进行精抛作业，获得半导体成品。
7、优选的，所述粗抛设备通过隔膜泵连通有粗抛浆储存桶，所述粗抛设备采用mh聚氨酯发泡硬质抛布、suba800无纺布硬质抛布和suba600无纺布硬质抛布中的其中一种与粗抛浆进行抛光作业。
8、优选的，步骤s1和s2中，所述粗抛浆设置为fujimi粗抛浆、nitahass粗抛浆和cabot粗抛浆中的其中一种。
9、优选的，所述cmp设备均通过第一水泵分别连通有粗抛浆储存桶和中抛浆储存桶，所述cmp设备采用suba800无纺布硬质抛布或suba600无纺布硬质抛布，搭配粗抛浆进行粗抛作业，且在粗抛作业完成后只需搭配中抛浆即可执行中抛recipe，中抛recipe通过机台控制面板按要求自由设置。
10、优选的，所述cmp设备的前端同时接粗抛浆管路和中抛浆管路，所述粗抛浆管路和中抛浆管路的一端分别与第一水泵的出口连通，并由系统提供粗抛浆或中抛浆。
11、优选的，所述中抛浆设置为fujimi中抛浆、nitahass中抛浆和cabot中抛浆中任意一种。
12、优选的，所述精抛设备通过第二水泵连通有精抛浆储存桶，所述精抛浆设置为fujimi精抛浆、nitahass精抛浆和cabot精抛浆中的其中一种。
13、优选的，所述精抛设备采用surfin聚氨酯多孔软质抛布搭配精抛浆进行精抛作业。
14、优选的，所述粗抛设备、cmp设备和精抛设备均包括可旋转的平板，其中粗抛设备和cmp设备将硬质抛布固定在平板上，精抛设备将软质抛布固定在平板上，在进行抛光时，将半导体置于硬质抛布上或软质抛布上，通过平板的转动使抛布在半导体表面摩擦，以对半导体进行抛光作业。
15、优选的，所述中抛recipe包括抛光时间、抛光压力、控制温度、抛光液流量、抛头和平板转速。
16、本专利技术提出的一种新型半导体cmp抛光方法，与现有技术相比，具有以下优点：
17、本专利技术通过复合型cmp流水线的设置，复合型cmp流水线主要由粗抛设备、复合兼有粗抛和中抛功能的cmp设备和精抛设备组成，将半导体通过粗抛设备搭配粗抛浆进行粗抛，再将粗抛品采用cmp设备搭配粗抛浆先进行粗抛作业，达到粗抛过程目标去除量以后，再搭配中抛浆执行中抛recipe，最后将中抛品搭配精抛浆进行精抛作业，获得半导体成品，将粗抛和中抛功能复合在cmp设备一台设备上实现，既节约了建制cmp抛光流水线的设备投资成本，又节约了占地面积，产能也和基本型流水线相当。
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1.一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：基于复合型CMP流水线，所述复合型CMP流水线包括粗抛设备、复合兼有粗抛和中抛功能的CMP设备和精抛设备，所述粗抛设备与CMP设备连通，所述CMP设备与精抛设备连通，所述复合型CMP流水线对半导体进行抛光时，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：所述粗抛设备通过隔膜泵连通有粗抛浆储存桶，所述粗抛设备采用MH聚氨酯发泡硬质抛布、SUBA800无纺布硬质抛布和SUBA600无纺布硬质抛布中的其中一种与粗抛浆进行抛光作业。
3.根据权利要求2所述的一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：步骤S1和S2中，所述粗抛浆设置为fujimi粗抛浆、nitahass粗抛浆和cabot粗抛浆中的其中一种。
4.根据权利要求3所述的一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：所述CMP设备均通过第一水泵分别连通有粗抛浆储存桶和中抛浆储存桶，所述CMP设备采用SUBA800无纺布硬质抛布或SUBA600无纺布硬质抛布，搭配粗抛浆进行粗抛作业，且在粗抛作业完成后只需搭配中抛浆即可
5.根据权利要求4所述的一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：所述CMP设备的前端同时接粗抛浆管路和中抛浆管路，所述粗抛浆管路和中抛浆管路的一端分别与第一水泵的出口连通，并由系统提供粗抛浆或中抛浆。
6.根据权利要求5所述的一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：所述中抛浆设置为fujimi中抛浆、nitahass中抛浆和cabot中抛浆中任意一种。
7.根据权利要求6所述的一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：所述精抛设备通过第二水泵连通有精抛浆储存桶，所述精抛浆设置为fujimi精抛浆、nitahass精抛浆和cabot精抛浆中的其中一种。
8.根据权利要求7所述的一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：所述精抛设备采用SURFIN聚氨酯多孔软质抛布搭配精抛浆进行精抛作业。
9.根据权利要求8所述的一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：所述粗抛设备、CMP设备和精抛设备均包括可旋转的平板，其中粗抛设备和CMP设备将硬质抛布固定在平板上，精抛设备将软质抛布固定在平板上，在进行抛光时，将半导体置于硬质抛布上或软质抛布上，通过平板的转动使抛布在半导体表面摩擦，以对半导体进行抛光作业。
10.根据权利要求9所述的一种新型半导体CMP抛光方法，其特征在于：所述中抛recipe包括抛光时间、抛光压力、控制温度、抛光液流量、抛头和平板转速。
...【技术特征摘要】
1.一种新型半导体cmp抛光方法，其特征在于：基于复合型cmp流水线，所述复合型cmp流水线包括粗抛设备、复合兼有粗抛和中抛功能的cmp设备和精抛设备，所述粗抛设备与cmp设备连通，所述cmp设备与精抛设备连通，所述复合型cmp流水线对半导体进行抛光时，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种新型半导体cmp抛光方法，其特征在于：所述粗抛设备通过隔膜泵连通有粗抛浆储存桶，所述粗抛设备采用mh聚氨酯发泡硬质抛布、suba800无纺布硬质抛布和suba600无纺布硬质抛布中的其中一种与粗抛浆进行抛光作业。
3.根据权利要求2所述的一种新型半导体cmp抛光方法，其特征在于：步骤s1和s2中，所述粗抛浆设置为fujimi粗抛浆、nitahass粗抛浆和cabot粗抛浆中的其中一种。
4.根据权利要求3所述的一种新型半导体cmp抛光方法，其特征在于：所述cmp设备均通过第一水泵分别连通有粗抛浆储存桶和中抛浆储存桶，所述cmp设备采用suba800无纺布硬质抛布或suba600无纺布硬质抛布，搭配粗抛浆进行粗抛作业，且在粗抛作业完成后只需搭配中抛浆即可执行中抛recipe，中抛recipe通过机台控制面板按要求自由设置。
5.根据权利要求4所述的一种新型半导体cmp抛光方法，其特征在于：所述cm...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪祖一，
申请(专利权)人：上海合晶硅材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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