本发明提供太阳能电池的电极形成用组合物，该组合物为金属纳米粒子分散于分散介质的太阳能电池的电极形成用组合物，所述金属纳米粒子含有７５重量％以上的银纳米粒子，所述金属纳米粒子被碳骨架为碳原子数１～３的有机分子主链的保护剂化学修饰，所述金属...

金属硅是将熔融粗金属硅通过单向凝固进行精炼来制备，该金属硅具有３Ｎ以上～６Ｎ以下的纯度，且平均晶体粒径为１ｍｍ以上。该金属硅的制备方法是使加入到内周层含有微细二氧化硅的容器中的熔融粗金属硅以１ｍｍ／分钟以下的速度单向凝固，再以２℃／分钟...

本发明涉及金属微粒的制造方法及含有该微粒的组合物。本发明的目的是提供一种金属微粒的制造方法，它是在含有表面活性剂的水溶液中还原金属离子来制造金属微粒的方法，其特征在于，通过在添加了酸或碱的环境下制造金属微粒，来控制金属微粒的纵横比。本发...

本发明提供多晶硅的制备方法，其特征在于包括：使三氯硅烷与氢气反应生成硅和流出物的步骤，其中，所述流出物包括含有四氯化硅的甲硅烷类（式ＳｉＨ↓［ｎ］Ｃｌ↓［４－ｎ］：ｎ＝０～４）和至少含有丙硅烷类或丁硅烷类的聚合物；通过将上述流出物与氢气...

银微粒的制备方法，其特征在于，使银氨络合物水溶液和还原剂溶液在开放空间合流、将银氨络合物还原而使银微粒析出，通过（ｉ）将银氨络合物水溶液和还原剂溶液从喷嘴中进行喷雾并使其合流的方法，（ｉｉ）使银氨络合物水溶液和还原剂溶液从相互朝斜下方相...

一种三氯硅烷制造装置，具备：反应容器，在内部被供给包括四氯化硅和氢的供给气体，生成包括三氯硅烷与氯化氢的反应生成气体；加热机构，将反应容器的内部加热；收纳容器，收纳反应容器及加热机构；气体供给内筒，将供给气体供给到反应容器内；气体排气外...

本发明涉及三氯硅烷的制备方法和装置，所述三氯硅烷的制备方法包括：使四氯硅烷和氢在９００℃～１９００℃下反应、生成含有三氯硅烷和氯化氢的反应生成气体，将由反应室导出的反应生成气体冷却至３００℃～８００℃，由此使反应生成气体的冷却速度适当，...

一种装置，其具备：向内部导入四氯硅烷和氢，通过在８００℃以上进行还原反应，生成三氯硅烷和氯化氢的反应生成气体的反应室２；将反应室２内部的反应生成气体导出到外部的反应生成气体导出设备４；以及向反应生成气体导出设备４所导出的反应生成气体中混...

本发明提供一种天线装置，能够得到与在基板上宽阔地形成ＲＦ地线导体时同样的天线特性，也能够在同一基板上与电路用地线导体共存。该天线装置包括：基板（１）；ＲＦ地线导体（１３），至少在两个方向上分支延伸并且至少一部分在上述基板（１）上的表面上...

提供圆弧头立铣刀，具备绕轴线旋转的立铣刀本体，将设在立铣刀本体的顶端部外周的切屑排出槽或设在切屑排出槽的顶端部的中心槽的朝向立铣刀旋转方向的壁面作为前刀面，在前刀面形成切削刃；切削刃包括形成在前刀面的顶端侧边棱部的底刃、形成在前刀面的外...

一种圆弧头立铣刀，具备：绕轴线旋转的立铣刀本体，将设置在上述立铣刀本体的顶端部外周的切屑排出槽或设置在该切屑排出槽的顶端部的中心槽的朝向立铣刀旋转方向的壁面作为前刀面，在该前刀面上形成切削刃，上述切削刃包含：底刃，形成在上述前刀面的顶端...

本发明涉及具有高强度的柱状结晶硅，由晶格间氧浓度在１×１０↑［１８］～２×１０↑［１８］ａｔｍｓ／ｃｍ↑［３］的范围内的高强度柱状结晶硅坯料制作的聚焦环、上部电极板和屏蔽环等的等离子体蚀刻装置用部件，不增大厚度就能够使其直径更加增大。

该三氯硅烷的制备方法具有以下步骤：将原料四氯硅烷和氢在１０００℃以上～１９００℃以下的第１温度范围进行转化反应，生成含有三氯硅烷、二氯硅烯、氯化氢和高级次硅烷化合物的第１反应生成气体的转化反应步骤（第１反应步骤）；将上述第１反应生成气体...

该导电性反射膜是通过烧结金属纳米颗粒而形成的导电性反射膜，在该膜与基材一侧的接触面上出现的气孔的平均直径为１００ｎｍ以下，该气孔的位置的平均深度为１００ｎｍ以下，该气孔的数密度为３０个／μｍ↑［２］以下。

一种切削刀片，在呈轴状的刀片主体的端部形成具有四边形的前刀面的切削刃部，该切削刃部具备沿该刀片主体的长度方向延伸的一对的侧切削刃、在这些侧切削刃的顶端彼此之间沿与上述长度方向交叉的方向延伸的正面切削刃；垂直于上述长度方向地从与上述前刀面...

本发明涉及正极形成材料、其材料和制造方法及锂离子二次电池用于形成电池正极的正极形成材料，其特征在于，包含正极活性物质的粒子、网格状附着在上述正极活性物质的粒子表面的微细碳纤维。优选正极活性物质是平均粒径０．０３μｍ～４０μｍ的微粒，微细...

该银微粒子中相对于银以５．０×１０↑［－８］～１．５×１０↑［－３］的摩尔比含有卤素。该银微粒子的制造方法具有在银离子溶液中添加还原剂还原银离子使银微粒子析出的工序，在成为银微粒子的核的核形成物质的存在下还原银离子。该银微粒子的制造装置...

本发明的目的在于提供可在广泛范围内控制金属纳米颗粒的形状或粒径的金属纳米颗粒分散液的制备方法、以及分散稳定性优异的金属纳米颗粒分散液及其制备方法。本发明的目的还在于提供可用作导电材料的、可得到２～６×１０↑［－６］Ω.ｃｍ的体积电阻率的...

本发明的多晶硅清洗装置是在处于充满酸的状态的多个酸洗池２－６中依次浸渍多晶硅Ｓ、同时进行清洗的多晶硅清洗装置，如下设定各酸洗池２－６的液温：相邻的后段位置的酸洗池的液温与前段位置的酸洗池的液温相同或更低，且最后段位置的酸洗池６比最前段位...

提供一种容易且准确地测量修整盘的摩擦系数的装置和方法。该装置具备由有重量的刚性材料构成的基础机构（３６）、设在上述基础机构（３６）上的盘摩擦机构（３９）、沿着上述盘摩擦机构（３９）的盘摩擦面移动上述修整盘（５２）的移动机构（４８）、将修...