三氯硅烷的制备方法和三氯硅烷的制备装置制造方法及图纸

技术编号:5396811 阅读:190 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种装置,其具备:向内部导入四氯硅烷和氢,通过在800℃以上进行还原反应,生成三氯硅烷和氯化氢的反应生成气体的反应室2;将反应室2内部的反应生成气体导出到外部的反应生成气体导出设备4;以及向反应生成气体导出设备4所导出的反应生成气体中混入氢、四氯硅烷或氯化氢,来冷却反应生成气体的冷却气体导入设备5。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将四氯硅烷转换成三氯硅烷的三氯硅烷的制备方法 和三氯硅烷的制备装置。.本申请根据2006年11月7日在日本申请的特愿2006-302056号和 2007年10月22日在日本申请的特愿2007-273545号主张优先权,将其内 容援引到本申请中。
技术介绍
高纯度多晶硅例如可以以三氯硅烷(SiHCl3:简称为TCS)、四氯硅烷(SiCU:简称为STC)和氢作为原料,通过下式(l)所示的三氯硅烷的氢还原反应、下式(2)所示的三氯硅烷的热分解反应来制备。 SiHCl+H — Si+3HC1 …(l)3 24SiHCl— Si+3SiCl+2H…(2)3 4 2由多晶硅的上述生成反应排出的气体中,含有未反应的四氯硅烷、三氯硅烷和氢,同时还含有副生的氯化氢和二氯硅烷等低沸点氯硅烷类、四氯乙硅烷或六氯乙硅烷等微量的高沸点氯硅烷类。这些氯硅烷类可以根据沸点进行阶段性蒸馏分离,可以根据需要进行再利用。例如,可以以由上述生成反应的排气中蒸馏分离而回收的四氯硅烷为原料,通过下式(3)所示的氢加成的转换反应生成三氯硅烷。回收 该三氯硅烷,可以将其作为上述多晶硅的制备原料进行再利用。SiC本文档来自技高网...

【技术保护点】
三氯硅烷的制备方法,该制备方法具有以下步骤:将四氯硅烷和氢导入到反应室内,使之在800℃以上的温度下进行反应,生成包含三氯硅烷和氯化氢的混合气体的步骤;以及由上述反应室导出上述混合气体时,向该混合气体中导入以氢、四氯硅烷或氯化氢中的至少一种为主体的冷却气体来冷却该混合气体的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:漆原诚水岛一树
申请(专利权)人:三菱麻铁里亚尔株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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