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三菱麻铁里亚尔株式会社专利技术
三菱麻铁里亚尔株式会社共有267项专利
氢透过分离薄膜制造技术
本发明提供氢透过分离薄膜,其为包含Ni-Ti-Nb合金的氢透过分离薄膜,上述Ni-Ti-Nb合金包含通过辊急冷法而获得的厚度0.07mm以下的铸造箔材的调质热处理材料,其具有(a)含有Nb:10~47原子%、Ti:20~52原子%、余量...
贮氢合金及该合金制造的电极制造技术
一种贮氢合金,包括(重量百分数): 25-40%Zr,1-15%Ti, 10-20%Mn,2-12%V, 0.6-5%稀土元素,不可避免的杂质, 和至少25%Ni, 所述合金包括至少三相。
储氢合金及其制造的电极制造技术
本发明提供一种储氢合金,其组成(重量%)包含25-45%Zr,1-12%,Ti,10-20%Mn,2-12%V,0.5-5%至少一种稀土元素,任选的0.1-4%Hf,选自氢,氢+氧和氧中的一种或几种,余为Ni(25%或更多的Ni)和不可...
储氢合金及用其所制的电极制造技术
这里提供一种呈现高的吸收和解吸速度的储氢合金。该储氢合金含有的总成分为(重量%);25-45%Zr+Hf、其中Hf不大于4%、1-12%Ti、10-20%Mn、2-12%V、0.6-5%稀土元素、及余量Ni(其含量不小于25%)及不可避...
储氢合金及用其制造的电及制造技术
本发明提供一种呈现了吸氢/放氢速度和优良初激活的储氢合金,该合金化学成分(重量%)包括25-45%Zr,1-12%Ti,10-20%Mn,2-12%V,0.5-5%至少一种稀土元素,更好含La和/或Ce,任选的0.1-4%Hf余量为Ni...
储氢合金制造技术
提供了一种实际使用时能显示出高吸附和解吸速率以及良好初始活化性能的储氢合金一种Ni-基储氢合金,其组成(重量%)为:32-38%的基本上由La和/或Ce组成的稀土元素,0.5-3.5%的Al,0.5-10%的Mn,0.005-0.5%的...
吸氢合金制造技术
提供一种吸氢合金,当其实际用作电池阴极时具有高的放电性。一种Ni基吸氢合金,其化学成分(重量%)包括:32-38%的主要含La和/或Ce的稀土元素,0.1-17%的Co,0.1-3.5%的Al,0.5-10%的Mn,0.005-0.1%...
锂离子聚合物二次电池、该电池用电极及用于该电池的粘合层的粘结剂中的高分子化合物的制造技术
锂离子聚合物二次电池,具有集电体和活性物质层的粘合性和导电性均优良的电极,而且其循环容量维持特性获得了提高,另外,用于粘接集电体和活性物质层的粘合层对电解液中的有机溶剂是稳定的,故其长期保存性优良,可以抑制由于在电池内产生的氢氟酸等的强...
燃料电池用构造部件及采用该部件的燃料电池制造技术
本发明提供一种Ni基合金,以质量%计,含有Cr:29%以上且低于42%、Ta:大于1%且为3%以下、Mg:0.001~0.05%、N:0.001~0.04%、Mn:0.05~0.5%,余量由Ni以及不可避免的杂质构成。本发明还提供一种N...
复合金属多孔体及其制造方法技术
本发明提供一种复合金属多孔体及其制造方法,可不牺牲多孔体的有效面积地提高金属多孔体的操作性。一体地形成由具有三维网眼结构的多孔体构成的片状的金属部(11)、和朝该金属部(11)的面方向延伸的树脂部(12),同时利用钛或钛合金形成金属部(...
绝缘电路基板及带冷却槽部的绝缘电路基板制造技术
一种绝缘电路基板,具备:绝缘板、与绝缘板第一面接合的电路板、与绝缘板第二面接合的金属板。所述电路板由纯度99.98%以上的Al合金或纯Al形成,所述金属板由纯度98.00%以上99.90%以下的Al合金形成。所述电路板的厚度(a)例如为...
半导体衬底、场效应晶体管、锗化硅层形成方法及其制造方法技术
在半导体衬底、场效应晶体管、SiGe层的形成方法及使用方法的变形Si层的形成方法和场效应晶体管的制造方法中,降低了SiGe层的贯通错位密度,而且也减小了表面粗糙度。在Si衬底1上设置将从基底材料的Ge组成比起使Ge组成比逐渐增加的SiG...
电源模块用基板制造技术
一种导热性多层基板,其特征在于,至少包括纯度为99.999%以上的Cu电路层和陶瓷层。
电容器成膜材料制造技术
本发明公开了一种形成电容器薄膜的新型材料,所述材料的阶梯覆盖优异且生长速率快。使用这种材料,可制得具有作为电容器薄膜的优异特性的含铪薄膜,所述优异特性例如介电常数高且与Si的反应性低。更具体地讲,本发明公开了一种形成由配备在半导体存储装...
有机金属化学气相沉积法用溶液原料及使用该原料制作的复合氧化物类电介质薄膜制造技术
本发明提供具有高成膜特性和优异的梯度被覆性的有机金属化学气相沉积法用溶液原料以及使用该原料制作的复合氧化物类电介质薄膜。其是将1种或2种以上有机金属化合物溶解于有机溶剂而得到的有机金属化学气相沉积法用溶液原料的改进,其特征在于,有机溶剂...
金属有机化学气相沉积法用原料液以及使用该原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法技术
本发明提供具有高成膜速度的MOCVD法用原料液以及使用该原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法。本发明还提供使用与基底的贴合性良好的MOCVD法用原料液制备含Hf-Si的复合氧化物膜的方法。本发明的MOCVD法用原料液的特征在于:将...
微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶制造技术
提供一种微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶,其能够同时制造半导体器件布线的扩散防止膜和种子膜。该微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶由铜合金构成,该铜合金具有含有Mn:0.6-30质量%,余量由Cu以及杂质构成的组成,并且上述杂质中,金属类的杂质...
没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块及其制造方法技术
本发明提供没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块及其制造方法。所述没有内藏大孔隙的Au-Sn合金凸块,其具有含有20.5~23.5质量%Sn、余量由Au和不可避免杂质构成的组成,并且在坯料中具有富Sn初晶相结晶析出0.5~30面积%的组织。
用于形成肋的叶片及其生产方法技术
本发明的一个目的是提供一种可提高耐磨性的用于形成肋的叶片;为了达到此目的,本发明提供了一种用于形成肋的叶片,其可通过在形成于所述叶片主体的至少一部分周边上的梳齿插入到形成于基片表面上的糊膏膜中的状态下使所述叶片主体相对于所述糊膏膜沿固定...
多晶MgO蒸镀材料制造技术
一种多晶MgO蒸镀材料,其用于等离子体显示屏的保护膜,其中,含有MgO纯度为99.9%以上、且相对密度为90%以上的多晶MgO的烧结颗粒,在前述多晶MgO中含有的Si浓度为30ppm以上、小于500ppm。
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