多晶硅的制备方法及多晶硅的制备设备技术

本发明专利技术提供多晶硅的制备方法，其特征在于包括：使三氯硅烷与氢气反应生成硅和流出物的步骤，其中，所述流出物包括含有四氯化硅的甲硅烷类（式ＳｉＨ↓［ｎ］Ｃｌ↓［４－ｎ］：ｎ＝０～４）和至少含有丙硅烷类或丁硅烷类的聚合物；通过将上述流出物与氢气供给到转化反应器２中、并在６００～１４００℃的范围加热，使四氯化硅反应转化为三氯硅烷、并使聚合物反应转化为甲硅烷类的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及多晶硅的制备方法及多晶硅的制备设备，其中，所述多晶硅被用作直拉法生长半导体用单晶硅的原料。本申请要求2006年11月14日在日本申请的特愿2006-308477、及2007年10月22日在日本申请的特愿2007-273546的优先权。
技术介绍
用作半导体用单晶硅的原料的高纯度多晶硅，通常采用所谓西门子法(Siemens process)的制备方法制得。在所述西门子法中，通过下述反应式(1)、(2)所示的三氯硅烷(SiHCl3)的还原反应和热分解反应生成多晶硅。SiHCl3+H2→Si+3HCl    …(1)4SiHCl3→Si+3SiCl4+2H2…(2)另外，所述西门子法中使用的原料三氯硅烷，可通过使四氯化硅(SiCl4)与氢气反应，经由下述反应式(3)所示的转化过程而制得。SiCl4+H2→SiHCl3+HCl    …(3)已知在通过传统的西门子法制备多晶硅的制备工艺中，反应生成气中除了含有三氯硅烷、四氯化硅以外，还含有一氯硅烷、二氯硅烷、或被称为聚合物的高分子氯化硅化合物(参照专利文献1)。所述聚合物是含有2个以上硅原子的Si2Cl6、Si3Cl8(八氯化本文档来自技高网...

【技术保护点】
多晶硅的制备方法，其特征在于，该制备方法包括下述步骤：　使三氯硅烷与氢气反应生成硅和流出物的步骤，其中，所述流出物包括含有四氯化硅的甲硅烷类（式ＳｉＨ↓［ｎ］Ｃｌ↓［４－ｎ］：ｎ＝０～４）、和至少含有丙硅烷类或丁硅烷类的聚合物；　 　通过将上述流出物与氢气供给到转化反应器中、并在６００～１４００℃的范围加热，使所述四氯化硅反应转化为三氯硅烷、并使所述聚合物反应转化为甲硅烷类的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-11-14 308477/2006;JP 2007-10-22 273546/2001.多晶硅的制备方法，其特征在于，该制备方法包括下述步骤：使三氯硅烷与氢气反应生成硅和流出物的步骤，其中，所述流出物包括含有四氯化硅的甲硅烷类(式SiHnCl4-n：n＝0～4)、和至少含有丙硅烷类或丁硅烷类的聚合物；通过将上述流出物与氢气供给到转化反应器中、并在600～1400℃的范围加热，使所述四氯化硅反应转化为三氯硅烷、并使所述聚合物反应转化为甲硅烷类的步骤。2.根据权利要求1所述的多晶硅的制备方法，其特征在于，将所述聚合物供给到所述转化反应器中，使所述转化反应器内的聚合物浓度达到0.01～1摩尔％的范围。3.根据权利要求1或2所述的多晶硅的制备方法，其特征在于，在60～300℃的范围对将所述聚合物供给到所述转化反应器中的供给管道进行加热。4.根据权利要求1～3中任一项所述的多晶硅的制备方法，其特征在于，将所述生成步骤中生成的流出物导入到冷却器中分离出氢气和氯化氢；然后导入到第1蒸馏塔中分离出三氯硅烷；将第1蒸馏塔的塔底成分导入到第2蒸馏塔中分离出四氯化硅；将第2蒸馏塔的塔底成分导入到第3蒸馏塔中分离出聚合物；将该聚合物和在第2蒸馏塔中分离出的四氯化硅导入到转化反应器中，进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：手计晶之，
申请(专利权)人：三菱麻铁里亚尔株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]