【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有适合作为 一般工业材料或太阳能电池材料等的 纯度和强度的。更具体地说，涉及含有将粗金属硅熔融精炼而成的、纯度为3N以上 6N以下以及平均晶体粒径为1 mm以上的、没有破碎的金属硅锭，适合作为一般工业材料或太阳能 电池材料等的。本申请对于2006年8月31日申请的日本国特许出愿第 2006-235775号主张优先权，并将其内容援引到本说明书中。
技术介绍
金属硅根据其纯度可用作各种材料。例如，2N纯度的金属硅可 用作合金的原料或半导体材料的原料，6 N以上的金属硅可用于半导 体装置用、靶材料用、热处理用等。另外，10N~ UN的高纯度多晶 硅可用作半导体材料或太阳能电池材料，11 N以上的高纯度单晶硅可 用于半导体元件材料等。另一方面，金属硅与不锈钢相比导热性良好，质量轻，因此在各 种机器中可以作为替代不锈钢制部件的材料使用。但是，以往的金属 硅中，用作半导体材料的金属硅具有大约6N以上的纯度，如果用作 一般工业用材料例如不锈钢制部件的替代材料、或石英部件的替代材 料等材料，则纯度过高，成本高。另外，合金原料等中使用的2N纯 度的金属硅的结晶性差...
【技术保护点】
金属硅，其特征在于：是将熔融粗金属硅通过单向凝固进行精炼来制备，该金属硅具有３Ｎ以上～６Ｎ以下的纯度，且平均晶体粒径为１ｍｍ以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-8-31 235775/20061. 金属硅，其特征在于是将熔融粗金属硅通过单向凝固进行精炼来制备，该金属硅具有3N以上～6N以下的纯度，且平均晶体粒径为1mm以上。2. 权利要求1所述的金属硅，该金属硅是使加入到内周层含有 微细二氧化硅的容器中的熔融粗金属硅以1 mm/分钟以下的速度单向 凝固，接着以2tV分钟以下的速度冷却至200。C以下来制备，该金属 硅具有3 N以上~ 6N以下的纯度，且平均晶体粒径为1 mm以上。3. 权利要求1或2所述的金属硅，其中，铁和铝的含量分...
【专利技术属性】
技术研发人员：续桥浩司，池田洋，柳町惇夫，胁田三郎，
申请(专利权)人：三菱麻铁里亚尔株式会社，日本电材化成股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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