提供处理器和事件处理方法，能够在不消耗外部计时器资源的情况下，实时地测量在执行EVTWAIT指令之后直到返回至RUN状态为止的时间。具有：计时计数器(TMR)，其从初始值起开始计数；事件输入控制部(26)，其检测对事件的发生进行通知的事...

本发明的A/D转换电路所具有的数字/模拟转换器具有：多个比特电路，在多个比特电路中与多个比特对应地设置有电容器、第1开关以及串联电路，电容器的一端输出比较电位，随着从多个比特的低位比特移向高位比特而电容器的电容值变大，第1开关对电容器的...

本申请实施例提供一种导电端子和电气产品，该导电端子从基端起，向前端延伸，所述导电端子包括：基端部，其位于所述导电端子的基端一侧；限位部，其位于所述基端部的前端侧，沿横向延伸，所述横向与所述导电端子的从所述基端指向所述前端的延伸方向交叉；...

本发明涉及半导体模块。本发明提供对微控制单元进行重布线并内置在半导体模块中的结构。另外，提供应对大电流的高功能的半导体模块。本发明的半导体模块在内部搭载微控制单元，微控制单元具备基于重布线的第1焊盘和第2焊盘。另外，微控制单元具有布线区...

本发明具有：电压检测部(1)，其检测输出电压，将所检测出的所述输出电压转换为规定的比特数的数字值；数字滤波器(4)，其基于目标值与所述电压检测部的输出之间的误差，进行规定的运算；驱动部(5)，其在滤波器特性分析期间以规定的占空比对所述开...

本发明是一种处理器，该处理器进行管线处理，在该管线处理中，对多个线程进行处理，执行包括等待指令在内的与所述线程的线程编号对应的指令来并行地进行处理。管线处理部(1～4)具有获取部、解码部和运算执行部，其中所述获取部获取得到了执行权的所述...

本申请实施例提供一种功率设备的控制装置及方法。所述控制装置包括：输入电路，其根据输入信号产生设置脉冲信号或重置脉冲信号；其中，所述重置脉冲信号根据选择信号能够被设定为具有不同的脉冲宽度；电平转换电路，其根据所述设置脉冲信号产生导通信号，...

本申请实施例提供一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置具有：半导体基板；多个第1沟槽，其形成在半导体基板的表面，在第1沟槽内经由第1绝缘膜配置有第1导电体；多个第2沟槽，其形成在比第1沟槽靠外侧的半导体基板的表面；在第2沟槽内经由第...

本申请实施例提供一种温度监控电路以及方法，能够在实现条件内设定恰当的电压温度系数。温度监控电路1具有温度检测电路10，该温度检测电路10使用晶体管Q1、Q2的基极‑发射极间电压V

半导体装置具备：第二导电型的埋设区(20)，其被埋入于第一导电型的半导体衬底(10)的上表面的一部分；第二导电型的第一半导体区(30)，其覆盖埋设区(20)而配置于半导体衬底(10)的上方，并且杂质浓度比埋设区(20)低；第一导电型的连...

本申请实施例提供一种电源控制集成电路以及电子设备。该电源控制集成电路包括多组控制电路，一组控制电路对一个电源进行控制；其中，一组控制电路包括：模数转换器、处理器以及PWM生成器。由此，不需要对输入电源进行切换且吞吐量较高，能够以较高的控...

半导体装置具备在上表面界定出元件区域(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域(120)的半导体基体(10)，各自具有配置于从半导体基体(10)的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21...

半导体装置具备在主面界定出元件区域(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域(120)的半导体基体(10)，具有配置于槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21)之上的导电体膜(22)的外周沟槽(20)包围元件...

本申请实施例提供一种电压转换器的控制电路、电压转换器和开关电源装置。所述电压转换器使开关元件通断从而将从输入电源供给的电源电压即第1直流电压转换为输出电压即第2直流电压并输出，所述控制电路包括：第1模数转换单元，其检测输出电压，并对所述...

本申请实施例提供一种电流谐振电路的控制装置、方法以及电流谐振电源。所述控制方法包括：对电流谐振电路的谐振电流或开关元件的开关电流进行积分以生成积分信号；生成所述电流谐振电路的反馈信号；比较所述积分信号和所述反馈信号，根据比较结果生成测量...

一种沟槽栅型IGBT，具备：第1导电型的第1半导体区(10)；第1导电型的第2半导体区(20)，其配置在第1半导体区(10)的主面，并且杂质浓度比第1半导体区(10)高；第2导电型的第3半导体区(30)，其配置在第2半导体区(20)的上...

提供模拟数字转换器，能够满足较高的解析度的AD转换和针对多个模拟信号的较低的解析度的AD转换双方的需求。具有：单位电路(10

本申请实施例提供一种驱动器电路和电源。该驱动器电路具有电压转换单元，其将输入的直流电压转换为输出的直流电压，电压转换单元具有开关元件、电容元件以及二极管，电压转换单元还具有电感元件或变压器，其中，开关元件通过导通或断开控制输入的直流电压...

本发明具有：多个处理器(11a～11c)，它们执行相互不同的处理；多路复用器(12

一种具有超级结结构的SJ功率MOSFET(10)，为了实现更进一步的开关速度的高速化和耐压的稳定化，在作为N‑柱层的漂移层(13)之间配置的P‑柱层(20)由P柱上部层(21)和P柱下部层(22)形成，并且在将P柱上部层(21)的缺陷密...