半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具备在上表面界定出元件区域(110)和包围元件区域(110)的周围的周边区域(120)的半导体基体(10)，各自具有配置于从半导体基体(10)的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面的绝缘膜(21)、以及在槽的内部配置于绝缘膜(21)之上的导电体膜(22)的多个沟槽(20)包围元件区域(110)的周围而多重配置于周边区域(120)。周边区域(120)具有靠近元件区域(110)的内侧区域(121)、以及位于内侧区域(121)的周围的外侧区域(122)，被相邻的沟槽(20)夹着的半导体基体(10)的宽度在内侧区域(121)中比外侧区域(122)更宽。(121)中比外侧区域(122)更宽。(121)中比外侧区域(122)更宽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及形成有用于提高耐压的构造的半导体装置。

技术介绍

[0002]为了提高半导体装置的耐压，在形成有半导体元件的元件区域的周围的周边区域形成有用于提高耐压的构造。例如，通过将在内壁面形成有绝缘膜的槽的内部埋入有电极的沟槽配置于周边区域来缓和电场的集中，实现半导体装置的耐压的提高(参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
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55347号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]在进行大电流的开关动作的功率半导体元件等中，期望进一步提高耐压。然而，为了通过将埋入有电极的沟槽配置于元件区域的周围的构造进一步提高耐压，需要为了增加包围元件区域的周围的沟槽的包围数量而扩大周边区域的宽度。因此，存在芯片尺寸增大的问题。
[0008]鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种在抑制芯片尺寸的增大的同时提高了耐压的半导体装置。
[0009]用于解决课题的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具备半导体基体，该半导体基体在上表面界定出元件区域和包围所述元件区域的周围的周边区域，多个沟槽包围所述元件区域的周围而多重配置于所述周边区域，所述多个沟槽各自具有：绝缘膜，其配置于从所述半导体基体的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面；以及导电体膜，其在所述槽的内部配置于所述绝缘膜之上，所述周边区域具有：内侧区域，其靠近所述元件区域；以及外侧区域，其位于所述内侧区域的周围，被相邻的所述沟槽夹着的所述半导体基体的宽度在所述内侧区域中比所述外侧区域更宽。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，将相邻的所述沟槽的配置间隔设为沟槽间距P1，将相邻的所述沟槽间的所述半导体基体的上表面露出的区域的宽度设为沟槽柱P2，沟槽比P1/P2小于1.5的区域为所述内侧区域。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基体是在第一导电型的第一半导体层之上层叠有第二导电型的第二半导体层的构造，所述沟槽是从所述第二半导体层的上...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川嘉寿子，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：