【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及形成用于由外部因素引起的耐压变动的抑制、稳定性提高的构造的半导体装置。
技术介绍
为了提高半导体装置的耐压，在形成有半导体元件的元件区域的周围的周边区域形成有用于提高耐压的构造。例如，将在内壁面形成有绝缘膜的槽的内部埋入有导电体膜的沟槽配置于周边区域，实现半导体装置的耐压提高(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-59766号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题耗尽层在周边区域扩展并到达半导体基体的表面，由此半导体装置容易受到来自外部离子等的影响。例如，由于从外部侵入的离子的影响，耗尽层的形状变形而耐压变动或变得不稳定。另外，需要防止向外侧扩展的耗尽层到达被芯片化的半导体装置的侧面。因此，例如，考虑使到达至用于将形成于晶片的半导体装置芯片化的切割线的周边区域的宽度变宽的对策。但是，在该对策中芯片尺寸会大型化。另外，若在周边区域的外缘将沟道截断区域形成得较深，则存在制造工序变长的问题。鉴于上述问题，本专利技...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，/n该半导体装置具备半导体基体，该半导体基体在主面界定出元件区域和包围所述元件区域的周围的周边区域，/n在所述元件区域形成有在主电极之间被施加电压而动作的半导体元件，/n在所述周边区域配置有外周沟槽，该外周沟槽具有：绝缘膜，其配置于从所述半导体基体的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面；以及导电体膜，其在所述槽的内部配置于所述绝缘膜之上，/n所述外周沟槽内的所述导电体膜被设定为比所述半导体元件的负侧的主电极的电位高的电位。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，
该半导体装置具备半导体基体，该半导体基体在主面界定出元件区域和包围所述元件区域的周围的周边区域，
在所述元件区域形成有在主电极之间被施加电压而动作的半导体元件，
在所述周边区域配置有外周沟槽，该外周沟槽具有：绝缘膜，其配置于从所述半导体基体的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面；以及导电体膜，其在所述槽的内部配置于所述绝缘膜之上，
所述外周沟槽内的所述导电体膜被设定为比所述半导体元件的负侧的主电极的电位高的电位。
2.一种半导体装置，其特征在于，
该半导体装置具备半导体基体，该半导体基体在主面界定出元件区域和包围所述元件区域的周围的周边区域，
在所述周边区域配置有外周沟槽，该外周沟槽具有：绝缘膜，其配置于从所述半导体基体的上表面向膜厚方向延伸的槽的内壁面；以及导电体膜，其在所述槽的内部配置于所述绝缘膜之上，
所述半导体基体包括：
第一导电型的第一半导体层，其遍及所述元件区域和所述周边区域而形成...
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