鳍式场效应晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法。该鳍式场效应晶体管包括鳍部，鳍部设置在衬底的第一表面上，该鳍部包括：第一鳍段，设置在第一表面上；第二鳍段，设置在第一鳍段上且位于第一鳍段远离衬底的一侧；第一鳍段和第二鳍段一体设置，第一鳍段平行于第一表面的最大截面面积小于或等于第二鳍段平行于第一表面的最大截面面积。本申请的鳍部包括形状不同的第一鳍段和第二鳍段，且第一鳍段平行于第一表面的最大截面面积小于或等于第二鳍段平行于第一表面的最大截面面积，即将现有技术中上窄下宽的三角形形状替换为部分上窄下宽，但底部变窄的组合形状，从而有效缓解了体效应并保持较低的漏电流，进而改善了鳍式场效应晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】
鳍式场效应晶体管及其制作方法
本专利技术涉及鳍式场效应晶体管
，具体而言，涉及一种鳍式场效应晶体管及其制作方法。
技术介绍
鳍式场效应晶体管(FinFieldEffectTransistor，FinFET)是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管是具有一从衬底突出的有源区域，此结构狭长，故被称为鳍式结构(FIN)；相邻两个鳍式结构之间形成有浅沟道隔离(STI)；鳍式结构和浅沟道隔离的表面形成有栅极结构。在FinFET中，栅至少可以从两侧对超薄体进行控制，具有比平面MOSFET器件强得多的栅对沟道的控制能力，能够很好的抑制短沟道效应，而且相对其它器件具有更好的集成电路生产技术的兼容性。通常认为理想的FinFET的FIN结构应该是标准的矩形或者正方形，然而由于尖角处的可靠性隐患以及工艺条件的限制，实际的FinFET的FIN不会是理想的形状。如Intel在22nm技术结点，采用了一种上小下大的类三角形Fin，而在发布下一代14nm技术节点的FinFET时，其用作沟道的FIN结构采用一种尖角圆滑处理的近似矩形的形状。针对三角形FIN来说，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍式场效应晶体管，包括鳍部，所述鳍部设置在衬底的第一表面上，其特征在于，所述鳍部包括：/n第一鳍段，设置在所述第一表面上；/n第二鳍段，设置在所述第一鳍段上且位于所述第一鳍段远离所述衬底的一侧；/n所述第一鳍段和所述第二鳍段一体设置，所述第一鳍段平行于所述第一表面的最大截面面积小于或等于所述第二鳍段平行于所述第一表面的最大截面面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应晶体管，包括鳍部，所述鳍部设置在衬底的第一表面上，其特征在于，所述鳍部包括：
第一鳍段，设置在所述第一表面上；
第二鳍段，设置在所述第一鳍段上且位于所述第一鳍段远离所述衬底的一侧；
所述第一鳍段和所述第二鳍段一体设置，所述第一鳍段平行于所述第一表面的最大截面面积小于或等于所述第二鳍段平行于所述第一表面的最大截面面积。


2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，沿远离所述衬底的方向所述第二鳍段的平行于所述第一表面的截面面积逐渐减小，所述第二鳍段的顶面为平面。


3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，沿远离所述衬底的方向所述第一鳍段的平行于所述第一表面的截面面积逐渐减小，优选所述第一鳍段平行于所述第一表面的截面的宽度为10～15nm。


4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述第一鳍段的高度和所述第二鳍段的高度比值2：1～3：1，所述鳍部的高度为100～160nm。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的鳍式场效应晶体管，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构设置在所述鳍部之间。


6.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，所述制作方法包括鳍部的制作过程，其特征在于，所述鳍部的制作过程包括：
利用自对准图形化工艺在衬底上形成多个相互间隔的鳍形结构；
在所述鳍形结构之间填充旋涂碳材料，形成旋涂碳层，所述旋涂碳层的厚度小于所述鳍形结构的高度；
在所述旋涂碳层和所述鳍形结构裸露的表面上设置硬掩膜；
依次去除所述旋涂碳层表面上的硬掩膜以及所述旋涂碳层，以使所述鳍形结构中被所述旋涂碳层包裹的部分裸露；以及
利用剩余的所述硬掩膜为...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜丙杰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42