一种元胞结构及其制造方法以及功率器件技术

本发明专利技术提供了一种元胞结构及其制造方法以及功率器件，涉及功率半导体领域。元胞结构，包括：第一绝缘部，第一绝缘部具有一端开口的容纳槽；第一介质部，第一介质部设置于容纳槽的底部；第二介质部，第二介质部设置于容纳槽内，且位于第一介质部远离底面的一侧；第二绝缘部，设置于第一介质部和第二介质部之间。本发明专利技术提供的元胞结构，在容纳槽内设有被第二绝缘部隔开且相互绝缘的第一介质部和第二介质部。如此，第一介质部相当于在容纳槽的底部设置了一个额外的电极板，使整个沟槽底部区域的电场分布较为平缓，有效的解决了沟槽底部电场集中的问题，使得此处发生电场击穿的概率大大降低，有效的提高了器件的可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种元胞结构及其制造方法以及功率器件
本专利技术涉及功率半导体领域，具体而言，涉及一种元胞结构及其制造方法以及功率器件。
技术介绍
功率器件，也称作半导体器件，主要用于进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。现有很多功率器件上都会在基板上设置沟槽式的元胞结构，用于提高功率器件的性能。现有的元胞结构，一般包括槽状的绝缘部，以及填充于绝缘部内部的介质材料。但这种沟槽式的元胞结构沟槽底部容易发生电场集中，并在此区域造成电场击穿，导致功率器件损坏。
技术实现思路
本专利技术提供了一种元胞结构及其制造方法以及功率器件，旨在改善现有元胞结构沟槽底部容易发生电场集中，并在此区域造成电场击穿的问题。本专利技术是这样实现的：一种元胞结构，包括：第一绝缘部，所述第一绝缘部具有一端开口的容纳槽，且所述容纳槽的底面为弧形结构；第一介质部，所述第一介质部设置于所述容纳槽的底部，且所述第一介质部远离所述底面的一侧开设有凹槽；r>第二介质部，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种元胞结构，其特征在于，包括：/n第一绝缘部，所述第一绝缘部具有一端开口的容纳槽，且所述容纳槽的底面为弧形结构；/n第一介质部，所述第一介质部设置于所述容纳槽的底部，且所述第一介质部远离所述底面的一侧开设有凹槽；/n第二介质部，所述第二介质部设置于所述容纳槽内，且位于所述第一介质部远离所述底面的一侧，所述第一介质部和所述第二介质部之间具有预设间距；/n第二绝缘部，设置于所述第一介质部和所述第二介质部之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种元胞结构，其特征在于，包括：
第一绝缘部，所述第一绝缘部具有一端开口的容纳槽，且所述容纳槽的底面为弧形结构；
第一介质部，所述第一介质部设置于所述容纳槽的底部，且所述第一介质部远离所述底面的一侧开设有凹槽；
第二介质部，所述第二介质部设置于所述容纳槽内，且位于所述第一介质部远离所述底面的一侧，所述第一介质部和所述第二介质部之间具有预设间距；
第二绝缘部，设置于所述第一介质部和所述第二介质部之间。


2.根据权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述第一介质部包括第一直线段、第二直线段以及弧形段，所述第一直线段和所述第二直线段分别与所述弧形段的两端连接。


3.根据权利要求2所述的元胞结构，其特征在于，所述第一直线段和所述第二直线段相互平行且间隔设置。


4.根据权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述容纳槽的开口处设有第三介质部。


5.根据权利要求4所述的元胞结构，其特征在于，所述第三介质部远离所述容纳槽一侧设有金属层。


6.根据权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述第一绝缘部的底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾丹，史波，肖婷，敖利波，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44