半导体装置制造方法及图纸

涉及半导体装置。与阻断电压相匹配地实现IGBT的导通电压的降低。多个IGBT单元(20)各自具有：n基极层(1)，其形成于半导体层(100)；p基极层(2)，其形成于n基极层的第1主面侧的表层部；n发射极层(3)，其形成于p基极层的表层部；以及p集电极层(4)，其形成于半导体层的第2主面侧的表层部。在半导体层的第1主面之上形成以隔着栅极绝缘膜(7)与n基极层、p基极层及n发射极层相对的方式形成的栅极电极(8)、与p基极层及n发射极层连接的发射极电极(10)。在半导体层的第2主面之上形成与p集电极层连接的集电极电极(11)。多个IGBT单元的间距大于或等于p基极层与p集电极层之间的距离的1/40且小于或等于该距离的1/20。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，特别涉及降低半导体装置的导通电压的技术。
技术介绍
就作为代表性的开关功率器件的绝缘栅型双极晶体管(IGBT)而言，作为节能设备的关键组件，例如广泛用于进行电动机的变速控制的逆变器等。对逆变器等所使用的IGBT要求降低功率损耗，为了实现该要求，要求降低IGBT为导通状态时的集电极-发射极间的压降即导通电压。例如，在下述专利文献1中，公开了降低IGBT的导通电压的设计方法。专利文献1：日本专利6288678号公报为了降低IGBT的导通电压，与IGBT的阻断电压相应地优化IGBT单元的间距变得重要，详情在后面叙述。具体而言，需要与决定IGBT的阻断电压的主要因素即基极层的厚度相应地，优化决定IGBT单元的密度的主要因素即IGBT单元的间距。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种能够与阻断电压(基极层的厚度)相匹配地实现IGBT的导通电压的降低的半导体装置。本专利技术所涉及的半导体装置具有：半导体层，其具有第1主面以及第2主面；以及多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其具有：/n半导体层，其具有第1主面以及第2主面；以及/n多个IGBT单元，它们形成于所述半导体层，/n所述多个IGBT单元各自具有：/n第1导电型的第1半导体区域，其形成于所述半导体层；/n第2导电型的第2半导体区域，其形成于所述第1半导体区域的所述第1主面侧的表层部；/n第1导电型的第3半导体区域，其形成于所述第2半导体区域的表层部；/n第2导电型的第4半导体区域，其形成于所述半导体层的所述第2主面侧的表层部；/n栅极绝缘膜，其形成于所述半导体层的所述第1主面之上；/n栅极电极，其以隔着所述栅极绝缘膜与所述第1半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第3半导体区域相对的方...

【技术特征摘要】
20191120 JP 2019-2095331.一种半导体装置，其具有：
半导体层，其具有第1主面以及第2主面；以及
多个IGBT单元，它们形成于所述半导体层，
所述多个IGBT单元各自具有：
第1导电型的第1半导体区域，其形成于所述半导体层；
第2导电型的第2半导体区域，其形成于所述第1半导体区域的所述第1主面侧的表层部；
第1导电型的第3半导体区域，其形成于所述第2半导体区域的表层部；
第2导电型的第4半导体区域，其形成于所述半导体层的所述第2主面侧的表层部；
栅极绝缘膜，其形成于所述半导体层的所述第1主面之上；
栅极电极，其以隔着所述栅极绝缘膜与所述第1半导体区域、所述第2半导体区域以及所述第3半导体区域相对的方式形成；
第1主电极，其形成于所述半导体层的所述第1主面之上，与所述第2半导体区域以及所述第3半导体区域连接；以及
第2主电极，其形成于所述半导体层的所述第2主面之上，与所述第4半导体区域连接，
所述多个IGBT单元的间距大于或等于所述第2半导体区域与所述第4半导体区域之间的距离的1/40且小于或等于该距离的1/20。


2.一种半导体装置，其具有：
半导体层，其具有第1主面以及第2主面；以及
多个IGBT单元，它们形成于所述半导体层，
所述多个IGBT单元各自具有：
第1导电型的第1半导体区域，其形成于所述半导体层；
第2导电型的第2半导体区域，其形成于所述第1半导体区域的所述第1主面侧的表层部；
第1导电型的第3半导体区域，其形成于所述第2半导体区域的表层部；
第2导电型的第4半导体区域，其形成于所述半导体层的所述第2主面侧的表层部；
第1导电型的第5半导体区域，其配置于所述第1半导体区域与所述第2半导体区域之间，杂质的峰值浓度高于所述第1半导体区域；
栅极绝缘膜，其形成于所述半导体层的所述第1主面之上；

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤克己，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP