有源图案结构和包括其的半导体装置制造方法及图纸

一种有源图案结构，包括：下有源图案，其在与衬底的上表面基本垂直的竖直方向上从衬底的上表面突出；缓冲结构，其位于下有源图案上，缓冲结构的至少一部分可以包括氧化铝硅；以及上有源图案，其位于缓冲结构上。

【技术实现步骤摘要】
有源图案结构和包括其的半导体装置相关申请的交叉引用本申请要求于2019年11月8日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2019-0142901的优先权，该申请的内容以引用方式全部并入本文中。
示例实施例涉及有源图案结构和包括有源图案结构的半导体装置。更具体地，示例实施例涉及包括缓冲结构的finFET。
技术介绍
当在制造finFET期间形成有源鳍时，有源鳍可以由于图案化工艺的特性而具有从上部分到下部分增大的宽度，因此电流会集中在有源鳍的上部分上，或者会在有源鳍的下部分中产生泄漏电流。特别地，由于有源鳍按比例缩小，泄漏电流会在有源鳍的下部分中增大。
技术实现思路
示例实施例提供了一种具有改善的特性的有源图案结构。示例实施例提供了一种具有改善的特性的半导体装置。根据本专利技术构思的一些实施例，提供了一种有源图案结构。有源图案结构可以包括：下有源图案，其在与衬底的上表面基本垂直的竖直方向上从衬底的上表面突出；缓冲结构，其位于下有源图案上，缓冲结构的至少一部分可以包括氧化铝硅；以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源图案结构，包括：/n下有源图案，其在与衬底的上表面实质上垂直的竖直方向上从所述衬底的上表面突出；/n缓冲结构，其位于所述下有源图案上，其中，所述缓冲结构的至少一部分包括氧化铝硅；以及/n上有源图案，其位于所述缓冲结构上。/n

【技术特征摘要】
20191108 KR 10-2019-01429011.一种有源图案结构，包括：
下有源图案，其在与衬底的上表面实质上垂直的竖直方向上从所述衬底的上表面突出；
缓冲结构，其位于所述下有源图案上，其中，所述缓冲结构的至少一部分包括氧化铝硅；以及
上有源图案，其位于所述缓冲结构上。


2.根据权利要求1所述的有源图案结构，其中，所述缓冲结构包括：
第一缓冲器，其包括掺有铝的硅；以及
第二缓冲器，其位于所述第一缓冲器的侧壁上，所述第二缓冲器包括氧化铝硅。


3.根据权利要求2所述的有源图案结构，其中，所述第二缓冲器在与所述衬底的上表面实质上平行的水平方向上从所述下有源图案和所述上有源图案突出。


4.根据权利要求2所述的有源图案结构，还包括：
隔离图案，其位于所述衬底上，
其中，所述隔离图案位于所述下有源图案的侧壁上，并且
其中，所述隔离图案的上表面低于所述缓冲结构相对于所述衬底的上表面。


5.根据权利要求4所述的有源图案结构，其中，所述隔离图案的上表面与所述缓冲结构的下表面实质上共面。


6.根据权利要求1所述的有源图案结构，其中，所述上有源图案的宽度从所述上有源图案的上部分朝向所述上有源图案的与所述缓冲结构相邻的下部分增大。


7.根据权利要求6所述的有源图案结构，其中，所述缓冲结构的上表面的宽度大于所述上有源图案的上表面的宽度。


8.根据权利要求1所述的有源图案结构，其中，所述下有源图案和所述上有源图案包括实质上相同的材料。


9.根据权利要求1所述的有源图案结构，
其中，所述缓冲结构位于所述下有源图案的表面的边缘上部分上，
其中，所述上有源图案位于所述下有源图案的上表面的中心部分上和所述缓冲结构的上表面上，并且
其中，所述下有源图案和所述上有源图案彼此直接接触。


10.根据权利要求9所述的有源图案结构，其中，所述下有源图案和所述上有源图案包括实质上相同的半导体材料。


11.根据权利要求9所述的有源图案结构，还包括：
隔离图案，其位于所述衬底上，
其中，所述隔离图案位于所述下有源图案的侧壁和所述缓冲结构的侧壁上，并且
其中，所述隔离图案的上表面与所述缓冲结构的上表面实质上共面或高于所述缓冲结构的上表面。

【专利技术属性】
技术研发人员：李商文，崔庆寅，李承勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR