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有源图案结构和包括其的半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:28426411
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一种有源图案结构,包括:下有源图案,其在与衬底的上表面基本垂直的竖直方向上从衬底的上表面突出;缓冲结构,其位于下有源图案上,缓冲结构的至少一部分可以包括氧化铝硅;以及上有源图案,其位于缓冲结构上。...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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