半导体结构及半导体器件制造技术

一种半导体结构，包括：一第一碳纳米管，一半导体层，以及一第二碳纳米管，该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面，该第一碳纳米管设置在半导体层的第一表面，并与第一表面直接接触，该第二碳纳米管设置在半导体层的第二表面，并与该第二表面直接接触，且所述第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，所述半导体层包括一n型半导体层和一p型半导体层，该n型半导体层和p型半导体层均为二维材料，且该n型半导体层和p型半导体层层叠设置并在垂直于所述半导体层的方向上形成一p‑n结。本发明专利技术还提供一种采用上述半导体结构的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体器件
本专利技术涉及一种半导体结构及半导体器件，尤其涉及一种纳米尺寸的半导体结构及半导体器件。
技术介绍
通过竖直堆叠具有不同性质(电学以及光学等)的二维半导体材料制成竖直异质结构，可以实现对组合而成的“新”材料的性质进行人工调控。由于在竖直方向上增加了新的维度，该竖直异质结构能够为光电技术带来更多的可能性。而且与横向异质结构相比，由于其原子薄结构，竖直异质结构具有更高的光电转换效率。另外，含有竖直异质结构的光电器件含有高信噪比和低功耗的优点。然而，现有的竖直异质结构的二维p-n结半导体层与电极的的重叠区域通常为微米尺寸，进而使得包括竖直异质结构的半导体结构无法达到纳米级，限制了包括竖直异质结构的半导体结构及其半导体器件的实际应用。而且现有的半导体结构的异质结仅能实现p-p结，p-n结，和n-n结之中的一种工作模式，不能在p-p结，p-n结，和n-n结三种工作模式之间进行变换，因此采用该半导体结构的半导体器件只能在单一的一种模式下工作。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种半导体结构及其相关应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一碳纳米管，一半导体层，以及一第二碳纳米管，该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面，该第一碳纳米管设置在半导体层的第一表面，并与第一表面直接接触，该第二碳纳米管设置在半导体层的第二表面，并与该第二表面直接接触，且所述第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，所述半导体层包括一n型半导体层和一p型半导体层，该n型半导体层和p型半导体层层叠设置，该n型半导体层和p型半导体层均为二维材料，在所述第一碳纳米管以及第二碳纳米管的交叉点处，在垂直于所述半导体层的方向上，所述第一碳纳米管、半导体层以及第二碳纳米管的重叠区域形成一多层...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一碳纳米管，一半导体层，以及一第二碳纳米管，该半导体层定义一第一表面以及与该第一表面相对设置的第二表面，该第一碳纳米管设置在半导体层的第一表面，并与第一表面直接接触，该第二碳纳米管设置在半导体层的第二表面，并与该第二表面直接接触，且所述第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向交叉设置，所述半导体层包括一n型半导体层和一p型半导体层，该n型半导体层和p型半导体层层叠设置，该n型半导体层和p型半导体层均为二维材料，在所述第一碳纳米管以及第二碳纳米管的交叉点处，在垂直于所述半导体层的方向上，所述第一碳纳米管、半导体层以及第二碳纳米管的重叠区域形成一多层立体结构。


2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一碳纳米管的延伸方向垂直于所述第二碳纳米管的延伸方向。


3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管均为内壳碳纳米管。


4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一碳纳米管和第二碳纳米管均为金属性碳纳米管。


5.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金，魏洋，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11